公开(公告)号：EP0605300A1

公开(公告)日：1994-07-06

申请号：EP93403154.3

申请日：1993-12-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Diem, Bernard ,  Delaye, Marie-Thérèse

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0166 ,  B81C2201/0177 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S73/01 ,  Y10S73/04

Abstract: Ce procédé comprend les étapes suivantes : a) réalisation d'un film (32) de silicium monocristallin conducteur sur un substrat (8) en silicium et séparé de ce dernier par une couche isolante (28) ; b) gravure du film de silicium (32) et de la couche isolante (28) jusqu'au substrat (8) pour fixer la forme des éléments mobiles (2, 6) et des moyens de mesure (12, 20, 16) ; c) réalisation de contacts électriques (24, 26) pour les moyens de mesure ; d) élimination partielle de la couche isolante (32) pour dégager les éléments mobiles (2, 6), le restant de la couche isolante (28) rendant les éléments mobiles et le substrat solidaires.

Abstract translation: 此方法包括以下步骤：a）制作在硅衬底（8）和通过从后者中分离（在绝缘层28）进行单晶硅的膜（32）; b）中，以固定的移动部件的形式（2蚀刻所述硅膜（32）和绝缘层（28）下降到所述基板（8），6）和所述测量装置（12，20，16） ; c）在进行用于所述测量装置的电触头（24，26）; D）部分，以便去除绝缘层（32）以露出的移动部件（2，6），被用于连接移动部件和基板上的绝缘层（28）的其余部分。

公开(公告)号：EP2682363A1

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：EP12175390.9

申请日：2012-07-06

Applicant: IMEC ,  NXP B.V.

Inventor： Boccardi, Guillaume ,  Du Bois, Bert

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/053

Abstract: The present invention is related to a method for producing a Micro-Electromechanical System (MEMS) device, comprising:
- Depositing a sacrificial oxide layer on a substrate,
- Depositing one or more structural layers on said sacrificial oxide layer and patterning said structural layers to form a structure,
- Removing the sacrificial layer by vapour etching,
to thereby release a portion of said structure,

wherein the step of depositing a sacrificial oxide layer comprises depositing a first layer (7) of a first sacrificial oxide having a first density, and depositing on said first layer a second layer (8) of a second sacrificial oxide, the second layer having a higher density than the first layer. The method allows to protect a first structural layer deposited on and in contact with the second sacrificial oxide layer, said vapour etching step having low selectivity of said first structural layer towards said first sacrificial oxide layer. Said first structural layer may be a silicon nitride layer protecting the backplate of a MEMS microphone.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微机电系统（MEMS）器件的方法，包括： - 在衬底上沉积牺牲氧化物层， - 在所述牺牲氧化物层上沉积一个或多个结构层，并将所述结构层图案化 形成结构， - 通过蒸汽蚀刻去除牺牲层，从而释放所述结构的一部分，其中沉积牺牲氧化物层的步骤包括沉积具有第一密度的第一牺牲氧化物的第一层（7），以及 在所述第一层上沉积第二牺牲氧化物的第二层（8），所述第二层具有比所述第一层更高的密度。 该方法允许保护沉积在第二牺牲氧化物层上并与第二牺牲氧化物层接触的第一结构层，所述蒸气蚀刻步骤具有所述第一结构层朝向所述第一牺牲氧化物层的低选择性。 所述第一结构层可以是保护MEMS麦克风的背板的氮化硅层。

公开(公告)号：EP2536168A2

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：EP12169041.6

申请日：2012-05-23

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： Diamond, Brett M. ,  Laermer, Franz ,  Doller, Andrew J. ,  Daley, Michael J. ,  Stetson, Michael ,  Muza, John M.

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/075 ,  B81C2203/0778 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.

Abstract translation: 使用外延生长硅制造麦克风的方法。 提供了一种单片晶圆结构。 该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。 混晶硅层外延沉积在晶片表面上。 接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。 因此，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。 然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

公开(公告)号：EP2138451A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：EP09290471.3

申请日：2009-06-22

Applicant: Commissariat à l'Energie Atomique

Inventor： Perruchot, François ,  Diem, Bernard ,  Larrey, Vincent ,  Clavelier, Laurent ,  Defay, Emmanuel

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/02

CPC classification number: B81C1/00507 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/175 ,  H03H9/2436 ,  Y10S438/933

Abstract: L'invention est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif électromécanique sur au moins un substrat comprenant au moins un élément actif caractérisé en ce qu'il comporte :
a) la réalisation d'un substrat hétérogène comprenant une première partie (1, 3, 6), une couche d'interface (8) et une seconde partie (9), la première partie (1, 3, 6) comportant une ou plusieurs zones enterrées (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) en sandwich entre une première (1), et une deuxième (6) région réalisées dans un premier matériau monocristallin, la première région (1) s'étendant jusqu'à la surface (1') de la première partie, et la deuxième région (6) s'étendant jusqu'à la couche d'interface (8, 8'), au moins une dite zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) étant au moins en partie dans un deuxième matériau monocristallin de manière à la rendre sélectivement attaquable par rapport à la première (1) et la deuxième (6) région ;
b) la réalisation depuis la surface (1") de la première partie et à travers ladite première région (1) d'ouvertures (20) débouchant sur au moins une dite zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) ;
c) la gravure au moins partielle d'au moins une zone enterrée (2 1 , 3 1 , 5 1 , 51) pour former au moins une cavité (14), de manière à définir au moins un élément actif qui est au moins une partie de la deuxième région (6) entre une dite cavité (14) et ladite couche d'interface (8, 8') ;

caractérisé en ce que les première (1, 3, 6) et seconde (9) parties du substrat sont constituées respectivement d'un premier et d'un deuxième substrats assemblés par collage dont l'un au moins porte au moins sur une partie de sa surface, une dite couche d'interface (8).

Abstract translation: 该方法包括实现具有由单晶硅层（1,3）和机械层（6）组成的部分的异质衬底，其中层（6）被延伸直到由磷硅酸盐实现的牺牲界面层（8） 玻璃或二氧化硅。 开口（20）由部分的表面形成，其中开口在掩埋区（2-1,3-1,5-1）上打开。 掩埋区域被部分地雕刻以形成空腔，以便限定作为空腔和界面层之间的层（6）的一部分的有源元件。

公开(公告)号：EP1049157B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：EP99830255.8

申请日：1999-04-29

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Barlocchi, Gabriele ,  Villa, Flavio ,  Corona, Pietro

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/20

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B01L3/5027 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/0177 ,  H01L21/764

公开(公告)号：EP0895090B1

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：EP97830407.9

申请日：1997-07-31

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Ferrari, Paolo ,  Vigna, Benedetto ,  Montanini, Pietro ,  Ferrera, Marco

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: H01L21/764 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0778 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/76202

公开(公告)号：EP0895090A1

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：EP97830407.9

申请日：1997-07-31

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Ferrari, Paolo ,  Vigna, Benedetto ,  Montanini, Pietro ,  Ferrera, Marco

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: H01L21/764 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0778 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H01L21/76202

Abstract: To increase the sensitivity of the sensor, the movable mass (40) forming the seismic mass is formed starting from the epitaxial layer (13) and is covered by a weighting region of tungsten (26c) which has high density. To manufacture it, buried conductive regions (2) are formed in the substrate (1); then, at the same time, a sacrificial region is formed in the zone where the movable mass is to be formed and oxide insulating regions (9a-9d) are formed on the buried conductive regions (2) so as to cover them partially; the epitaxial layer (13) is then grown, using a nucleus region; a tungsten layer (26) is deposited and defined and, using a silicon carbide layer (31) as mask, the suspended structure (40) is defined; finally the sacrificial region is removed, forming an air gap (38).

Abstract translation: 为了提高传感器的灵敏度，在形成振动质量运动质量块（40）形成由具有高密度的外延层（13）和由钨（26C）的加权区域覆盖开始。 为了制造它，掩埋的导电区域（2）在基片（1）形成; 然后，在在Sametime，牺牲区域在可动质量将要形成与氧化物绝缘区域（图9A-9D）是在掩埋的导电区域形成的区域（2）形成，以覆盖它们的部分; 然后在外延层（13）上生长，使用核区; 钨层（26）沉积和定义，并使用碳化硅层（31）作为掩模，对悬挂结构（40）所定义; 最后牺牲区域被移除，在空气间隙（38）形成。

公开(公告)号：JP4431502B2

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：JP2004564805

申请日：2003-10-23

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： ゴゴイ、ビシュヌ

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L27/12

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

公开(公告)号：JP2010012594A

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：JP2009147930

申请日：2009-06-22

Applicant: Commissariat A L'energie Atomique ,  コミサリア ア レネルジィ アトミークCommissariat A L’Energie Atomique

Inventor： PERRUCHOT FRANCOIS ,  DIEM BERNARD ,  LARREY VINCENT ,  CLAVELIER LAURENT ,  DEFAY EMMANUEL

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00507 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/175 ,  H03H9/2436 ,  Y10S438/933

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electromechanical device, including at least one active element, on at least one substrate.
SOLUTION: The method includes a step for manufacturing a heterogeneous substrate including a first part 1, an interface layer 8, and a second part 9. The first part 1 includes a buried zone 3
1 formed in a first monocrystalline material and the buried zone is formed of a second monocrystalline material 3 so as to make the buried zone selectively corrosive through an opening 20 connecting between the surface 1" and the buried zone, and a trench 26 connecting between the buried zone and the interface layer 8. The method further includes a step for forming at least one cavity 14 by etching at least a part of the buried zone 3
1 .
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在至少一个基板上制造包括至少一个有源元件的机电装置的方法。 解决方案：该方法包括用于制造包括第一部分1，界面层8和第二部分9的异质衬底的步骤。第一部分1包括形成的掩埋区域3 1 在第一单晶材料中，并且所述掩埋区由第二单晶材料3形成，以便通过连接在所述表面1“和所述掩埋区之间的开口20使所述掩埋区选择性腐蚀，以及连接在所述掩埋区之间的沟槽26 该方法还包括通过蚀刻掩埋区域3的至少一部分来形成至少一个空腔14的步骤。版权所有：（C）2010，JPO和INPIT

公开(公告)号：JP2009542452A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：JP2009518807

申请日：2007-05-23

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： ショイルレ アンドレアス

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00714 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

Abstract: 本発明は、シリコン製の少なくとも１つの機能層を有するＭＥＭＳ構造体を作製する方法に関し、この機能層は、犠牲層を除去することによって開放される構造を有する。 ここでは少なくとも１つの犠牲層および少なくとも１つの機能層をデポジットして、これらの層を単結晶で成長させ、また上記の犠牲層をシリコン−ゲルマニウム−混合層から構成する。