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公开(公告)号：KR1020060125903A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020067019050
申请日：2005-03-03
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 아킨스로버트피. , 샌드스트롬리차드엘. , 파르틀로윌리암엔. , 포멘코프이고르브이. , 스타이거토마스디. , 알고츠마틴제이. , 보워링노버트알 , 자크스로버트엔. , 팔렌샤트프레데릭에이. , 송준
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
Abstract: An EUV light source apparatus (20) comprises a pulse laser (22) providing laser pulses (55) at a selected pulse repetition rate focused at a desired target ignition site (28); a target formation system (92) providing discrete targets (94); a target steering system (350) intermediate the target formation system (92) and the ignition site (28); a target tracking system (42) providing information about movement of the target (94) between the target formation system (92) and the target steering system (350); an electrostatic plasma containment apparatus (314) providing an electric plasma confinement field (316) at or near the ignition site (28) at the time of ignition; a vessel (30) having an intermediate wall (282) for passing EUV light; and a magnetic plasma confinement mechanism (329) creating a magnetic field (320) in the vicinity of the ignition site (28).
Abstract translation: EUV光源装置（20）包括脉冲激光器（22），所述脉冲激光器以聚焦在期望的目标点火现场（28）的选定的脉冲重复频率提供激光脉冲（55）; 提供离散目标（94）的目标形成系统（92）; 在目标形成系统（92）和点火位置（28）之间的目标转向系统（350）; 目标跟踪系统（42）提供关于目标形成系统（92）和目标转向系统（350）之间的目标（94）的移动的信息; 静电等离子体容纳装置（314），其在点火时在点火现场（28）处或附近提供电等离子体限制场（316）; 具有用于使EUV光通过的中间壁（282）的容器（30） 以及在点火现场（28）附近产生磁场（320）的磁等离子体限制机构（329）。
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公开(公告)号：KR1020050012235A
公开(公告)日：2005-01-31
申请号：KR1020047017911
申请日：2003-04-23
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 샌드스트롬리차드엘. , 판샤오지양 , 멜치올존티. , 알고츠존엠. , 볼매튜 , 프로이로프블라디미르 , 어쇼프알렉산더아이. , 야거토마스 , 질레스피에월터디. , 루브린레오나드 , 그라첼홀저케이. , 파르틀로윌리암엔. , 마쉬엘리자베쓰 , 모톤리차드디. , 우자즈도우키리차드씨. , 와켄틴데이비드제이. , 웹알키레.
IPC: H01S3/22
CPC classification number: H01S3/225 , G03F7/7055 , H01S3/1024 , H01S3/2251 , H01S3/2258 , H01S3/2333
Abstract: 본 발명은 고 반복율 고전력 출력 빔(38)을 발생하는 모듈러, 고 반복율, 자외선 가스 방전 레이저 시스템(도 1)을 위한 수명이 긴 광학기구를 제공한다. 본 발명은 프로토타입 레이저 시스템의 출력 빔(14C)의 고 펄스 강도 섹션(10)(26)에 위치된 CaF
2 광학기구(4260)(422)(424)(426)상에서의 표면 손상 문제에 대해 본원인에 의해 발견된 해결책을 포함한다. 실시예는 수십억 출력 레이저 펄스(38)의 빔 운반을 위한 빔 포인팅 컨트롤(40A)(40B)(6)에 의한 인클로우징된(4) 및 퍼지된 빔 경로(14C)를 포함한다. 본원에 설명된 광학 컴포넌트 및 모듈은 수십억 펄스(14A)에 대해 3.5 x10
6 Watts/㎠ 이상의 피크 강도 및 1.75 x 10
6 Watts/㎠ 이상의평균 출력 펄스 강도로 200nm 이하의 파장을 갖춘 자외선 레이저 출력 펄스(14A)를 제어할 수 있는 데 이는 상기 펄스 강도에서 수분 후엔 고장나는 종래기술의 광학 컴포넌트 및 모듈과 비교된다.-
公开(公告)号：KR100965770B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020047002982
申请日：2002-08-28
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 노울레스데이비드에스. , 브라운다니엘제이.,더블유. , 베사첼레허브에이. , 마이어스데이비드더블유. , 어쇼프알렉산더아이. , 파르틀로윌리암엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 다스플래쉬피. , 앤더슨스튜어트엘. , 포멘코프이고르브이. , 우자즈도우스키리차드씨. , 온켈스에커하드디. , 네스리차드엠. , 스미스스코트티. , 헐버드윌리암지. , 오이클레스제프리
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G01J1/4257 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70333 , G03F7/70483 , G03F7/70575 , G03F7/70933 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0385 , H01S3/0387 , H01S3/0404 , H01S3/041 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/08036 , H01S3/0943 , H01S3/097 , H01S3/09702 , H01S3/09705 , H01S3/0971 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S3/134 , H01S3/137 , H01S3/139 , H01S3/22 , H01S3/2207 , H01S3/223 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256 , H01S3/2258 , H01S3/2333 , H01S3/2366
Abstract: 약 4,000Hz이상의 펄스율과 약 5mJ이상의 펄스에너지로 고품질의 펄스된 레이저빔을 산출할 수 있는 주입 시딩된 모듈러 가스 방전 레이저 시스템이 개시되었다. 두 개의 개별 방전 챔버가 제공되고, 하나는 제2 방전 챔버에서 증폭되는, 초협대역 시드 빔을 산출하는 마스터 오실레이터의 일부분이다. 챔버는 챔버 증폭에서 펄스 에너지 파라미터의 최적화 및 마스터 오실레이터에서 파장 파라미터의 개별 최적화를 개별적으로 허용하도록 제어된다. MOPA로서 구성된 ArF 엑시머 레이저 시스템의 바람직한 실시예는 집적회로 리소그래피를 위한 광원으로서의 사용을 위해 설계된다. 바람직한 MOPA 실시예에서, 각각의 챔버는 펄스간에 약 0.25 밀리초 미만의 시간으로 충전 영역으로부터의 잔해를 클리어시킴으로써 4,000Hz이상의 펄스율로 동작하는 것을 허용하기 위해 충분한 가스 흐름을 제공하는 단일 탄젠셜 팬을 포함한다. 마스터 오실레이터에는 0.2pm미만의 정밀도로 4,000Hz이상의 반복율로 펄스 기준에서 중심라인 파장을 제어할 수 있는 초고속 튜닝 미러를 갖는 라인 협소화 패키지가 구비된다.
펄스율, 광원, 파장, 가스 방전 레이저, 펄스, 미러, 방전 챔버, 전극-
公开(公告)号：KR1020050062519A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020057001756
申请日：2003-07-30
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 팔론존피. , 룰존에이. , 자끄로버트엔. , 립콘자콥피. , 샌드스트롬리차드엘. , 파르틀로윌리암엔. , 어쇼프알렉산더아이. , 이시하라도시히코 , 마이스너존 , 네스리차드엠. , 멜처폴씨.
IPC: H01S3/22
CPC classification number: H01S3/2333 , H01S3/036 , H01S3/134 , H01S3/225 , H01S3/2366
Abstract: The present invention provides a control system for a modular high repetition rate two discharge chamber ultraviolet. In preferred embodiments, the laser is a production line machine with a master oscillator (10) producing a very narrow band seed beam which is amplified (12) in the second discharge chamber. Novel control features specially adapted for a two-chamber gas discharge laser system include (1) pulse energy controls, with nanosecond timing precision (2) precision pulse to pulse wavelength controls with high speed and extreme speed wavelength tuning (3) fast response gas temperature control and (4) F2 injection controls with novel learning algorithm.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于模块化高重复率两放电室紫外线的控制系统。 在优选实施例中，激光器是具有主振荡器（10）的生产线机器，其产生非常窄的带子种子束，其在第二放电室中被放大（12）。 特别适用于双室气体放电激光系统的新型控制特征包括（1）脉冲能量控制，具有纳秒定时精度（2）精确脉冲到脉冲波长控制，具有高速和极速波长调谐（3）快速响应气体温度 控制和（4）F2注射控制与新的学习算法。
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公开(公告)号：KR1020060125905A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020067019063
申请日：2005-03-03
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 파르틀로윌리암엔. , 브라운다니엘제이.더블유. , 포멘코프이고르브이. , 보워링노버트알. , 레티그커티스엘. , 맥팔레인조셉제. , 어쇼프알렉산더아이. , 한손비요른에이엠.
CPC classification number: H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H01S3/0085 , H01S3/0092 , H01S3/1611 , H01S3/1653 , H01S3/2255 , H01S3/2325 , H01S3/2375 , H01S3/2383 , H05G2/005 , H05G2/008
Abstract: An LPP EUV light source (20) comprises a laser initial target irradiation pulse generating mechanism (60) for irradiating a plasma initiation target (94) with an initial target irradiation pulse (55) to form an EUV generating plasma (30) having an emission region emitting in-band EUV light (40); a laser plasma irradiation pulse generating mechanism (72) for irradiating the plasma (30) with a plasma irradiation pulse (76) after the initial target irradiation pulse (55) to compress emission material in the plasma (30).
Abstract translation: LPP EUV光源（20）包括激光初始靶照射脉冲发生机构（60），用于用初始靶照射脉冲（55）照射等离子体引发靶（94）以形成具有发射的EUV产生等离子体（30） 区域发射带内EUV光（40）; 用于在初始目标照射脉冲（55）之后用等离子体照射脉冲（76）照射等离子体（30）以压缩等离子体（30）中的发射材料的激光等离子体照射脉冲产生机构（72）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040108718A
公开(公告)日：2004-12-24
申请号：KR1020047016139
申请日：2003-04-09
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 멜니츄크스티븐티. , 파르틀로윌리암엔. , 포멘코프이고르브이. , 올리버아이로저 , 네스리차드엠. , 보워링노버트 , 코디킨올레 , 레티그커티스엘. , 브루멘스톡게리엠 , 다이어티모시에스. , 시몬스로드니디. , 호프만저지알. , 존슨알마크
CPC classification number: H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , H01S3/005 , H05G2/005 , H05G2/008 , H05H1/06
Abstract: 신뢰성있고, 고반복율을 갖는, 제조라인에 알맞는 고에너지 포톤 소스로서, 소망하는 극자외선(EUV) 파장 범위내의 방사 라인을 갖는 원자 엘리먼트를 함유하는 핫 플라즈마는 진공 펌프에서 산출된다. EUV 광원은 유닛은 스테퍼 머신과 같은 리소그래피에 직접적으로 통합된다. 통합된 부품들로는 부재 번호 120으로 표기된 것에 모두 나타난, 정류자, 고체-상태 펄스 파워 유닛의 압축 헤드 및 진공 베셀을 포함한다. 지원 장비는 지원 장비 캐비넷(122)에 위치되고, 러프 진공 펌프 및 고압 워터 펌프는 제3 캐비넷(124)에 위치된다. 상기 펄스 파워 유닛은 버스트 기준으로 20 와트를 초과하고 연속 기준으로 5 와트를 초과하는 비율로 EUV 광을 중간 포커스에 산출하기에 충분한 전위 및 충분한 에너지를 갖는 전기 펄스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101024559B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020047017911
申请日：2003-04-23
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 샌드스트롬리차드엘. , 판샤오지양 , 멜치올존티. , 알고츠존엠. , 볼매튜 , 프로이로프블라디미르 , 어쇼프알렉산더아이. , 야거토마스 , 질레스피에월터디. , 루브린레오나드 , 그라첼홀저케이. , 파르틀로윌리암엔. , 마쉬엘리자베쓰 , 모톤리차드디. , 우자즈도우키리차드씨. , 와켄틴데이비드제이. , 웹알키레.
IPC: H01S3/22
CPC classification number: H01S3/225 , G03F7/7055 , H01S3/1024 , H01S3/2251 , H01S3/2258 , H01S3/2333
Abstract: 본 발명은 고 반복율 고전력 출력 빔(38)을 발생하는 모듈러, 고 반복율, 자외선 가스 방전 레이저 시스템(도 1)을 위한 수명이 긴 광학기구를 제공한다. 본 발명은 프로토타입 레이저 시스템의 출력 빔(14C)의 고 펄스 강도 섹션(10)(26)에 위치된 CaF
2 광학기구(4260)(422)(424)(426)상에서의 표면 손상 문제에 대해 본원인에 의해 발견된 해결책을 포함한다. 실시예는 수십억 출력 레이저 펄스(38)의 빔 운반을 위한 빔 포인팅 컨트롤(40A)(40B)(6)에 의한 인클로우징된(4) 및 퍼지된 빔 경로(14C)를 포함한다. 본원에 설명된 광학 컴포넌트 및 모듈은 수십억 펄스(14A)에 대해 3.5 x10
6 Watts/㎠ 이상의 피크 강도 및 1.75 x 10
6 Watts/㎠ 이상의평균 출력 펄스 강도로 200nm 이하의 파장을 갖춘 자외선 레이저 출력 펄스(14A)를 제어할 수 있는 데 이는 상기 펄스 강도에서 수분 후엔 고장나는 종래기술의 광학 컴포넌트 및 모듈과 비교된다.
파장, 펄스, 반복율, 자외선 가스 방전, 레이저, 빔, 퍼지-
公开(公告)号：KR100907299B1
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020077019695
申请日：2002-08-28
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 노울레스데이비드에스. , 브라운다니엘제이.,더블유. , 베사첼레허브에이. , 마이어스데이비드더블유. , 어쇼프알렉산더아이. , 파르틀로윌리암엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 다스플래쉬피. , 앤더슨스튜어트엘. , 포멘코프이고르브이. , 우자즈도우스키리차드씨 , 온켈스에커하드디. , 네스리차드엠. , 스미스스코트티. , 헐버드윌리암지. , 오이클레스제프리
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G01J1/4257 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70333 , G03F7/70483 , G03F7/70575 , G03F7/70933 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0385 , H01S3/0387 , H01S3/0404 , H01S3/041 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/08036 , H01S3/0943 , H01S3/097 , H01S3/09702 , H01S3/09705 , H01S3/0971 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S3/134 , H01S3/137 , H01S3/139 , H01S3/22 , H01S3/2207 , H01S3/223 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256 , H01S3/2258 , H01S3/2333 , H01S3/2366
Abstract: 약 4,000Hz이상의 펄스율과 약 5mJ이상의 펄스에너지로 고품질의 펄스된 레이저빔을 산출할 수 있는 주입 시딩된 모듈러 가스 방전 레이저 시스템이 개시되었다. 두 개의 개별 방전 챔버가 제공되고, 하나는 제2 방전 챔버에서 증폭되는, 초협대역 시드 빔을 산출하는 마스터 오실레이터의 일부분이다. 챔버는 챔버 증폭에서 펄스 에너지 파라미터의 최적화 및 마스터 오실레이터에서 파장 파라미터의 개별 최적화를 개별적으로 허용하도록 제어된다. MOPA로서 구성된 ArF 엑시머 레이저 시스템의 바람직한 실시예는 집적회로 리소그래피를 위한 광원으로서의 사용을 위해 설계된다. 바람직한 MOPA 실시예에서, 각각의 챔버는 펄스간에 약 0.25 밀리초 미만의 시간으로 충전 영역으로부터의 잔해를 클리어시킴으로써 4,000Hz이상의 펄스율로 동작하는 것을 허용하기 위해 충분한 가스 흐름을 제공하는 단일 탄젠셜 팬을 포함한다. 마스터 오실레이터에는 0.2pm미만의 정밀도로 4,000Hz이상의 반복율로 펄스 기준에서 중심라인 파장을 제어할 수 있는 초고속 튜닝 미러를 갖는 라인 협소화 패키지가 구비된다.
펄스율, 광원, 파장, 가스 방전 레이저, 펄스, 미러, 방전 챔버, 전극-
公开(公告)号：KR1020070093464A
公开(公告)日：2007-09-18
申请号：KR1020077019695
申请日：2002-08-28
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 노울레스데이비드에스. , 브라운다니엘제이.,더블유. , 베사첼레허브에이. , 마이어스데이비드더블유. , 어쇼프알렉산더아이. , 파르틀로윌리암엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 다스플래쉬피. , 앤더슨스튜어트엘. , 포멘코프이고르브이. , 우자즈도우스키리차드씨 , 온켈스에커하드디. , 네스리차드엠. , 스미스스코트티. , 헐버드윌리암지. , 오이클레스제프리
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G01J1/4257 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70333 , G03F7/70483 , G03F7/70575 , G03F7/70933 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0385 , H01S3/0387 , H01S3/0404 , H01S3/041 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/08036 , H01S3/0943 , H01S3/097 , H01S3/09702 , H01S3/09705 , H01S3/0971 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S3/134 , H01S3/137 , H01S3/139 , H01S3/22 , H01S3/2207 , H01S3/223 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256 , H01S3/2258 , H01S3/2333 , H01S3/2366
Abstract: An injection seeded modular gas discharge laser system (2) capable of producing high quality pulsed beams at pulse rates of about 4,000 Hz or greater and at pulse energies of about 5 mJ or greater. Two separate discharge chambers are provided, one of which is a part of a master oscillator (10) producing a very narrow band seed beam, which is amplified (12) in the second discharge chamber. The chambers can be controlled separately permitting separate optimization of wavelength parameters in the master oscillator and optimization of pulse energy parameters in the amplifying chamber. A preferred embodiment in the ArF excimer laser system configured as a MOPA and specifically designed for use as a light source for integrated circuit lithography. In the preferred MOPA embodiment, each chamber comprises a single tangential fan (10A) providing sufficient gas flow to permit operation at pulse rates of 4,000 Hz or greater by cleaning debris from the discharge region in less time that the approximately 0.25 milliseconds between pulses. The masters oscillation is equipped with a line narrowing package having a very fast tuning mirror capable of controlling centerline wavelength on a pulse-to-pulse basis at repetition rates of 4000 Hz or greater to a precision of less than 0.2 pm.
Abstract translation: 一种注射接种的模块化气体放电激光系统（2），其能够以约4,000Hz或更大的脉冲速率和约5mJ或更大的脉冲能量产生高质量的脉冲光束。 提供两个单独的放电室，其中之一是主振荡器（10）的一部分，其产生非常窄的带状晶体束，其在第二放电室中放大（12）。 可以单独控制室，允许主振荡器中的波长参数的单独优化和放大室中的脉冲能量参数的优化。 配置为MOPA并被专门用于集成电路光刻的光源的ArF准分子激光系统中的优选实施例。 在优选的MOPA实施例中，每个腔室包括单个切向风扇（10A），该切向风扇（10A）提供足够的气流，以允许在脉冲之间的大约0.25毫秒的时间内清除来自放电区域的碎屑。 主机振荡配备有具有非常快的调谐镜的线窄化包，能够以4000Hz或更大的重复频率在脉冲到脉冲的基础上控制中心线波长，精度低于0.2μm。
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公开(公告)号：KR101118995B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020067019050
申请日：2005-03-03
Applicant: 사이머 엘엘씨
Inventor： 아킨스로버트피. , 샌드스트롬리차드엘. , 파르틀로윌리암엔. , 포멘코프이고르브이. , 스타이거토마스디. , 알고츠마틴제이. , 보워링노버트알 , 자크스로버트엔. , 팔렌샤트프레데릭에이. , 송준
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
Abstract: 선택된 펄스 반복율로 소망하는 타겟 점화 사이트(28)에 포커싱된 레이저 펄스(55)를 공급하는 펄스 레이저(22); 이산 타겟(94)을 제공하는 타겟 형성 시스템(92); 타겟 형성 시스템(92)과 점화 사이트(28) 사이에 있는 타겟 스티어링 시스템(350); 타겟 형성 시스템(92)과 타겟 스티어링 시스템(350) 사이에서의 타겟의 이동에 대한 정보를 제공하는 타겟 추적 시스템(42); 점화시 점화 사이트(28) 또는 그 근방에 전기 플라즈마 감금 필드(316)를 제공하는 정전 플라즈마 억제 장치(314); EUV광을 통과시키기 위한 중간벽(282)을 갖는 베셀(30); 및 점화 사이트 근방에 자기 필드(320)를 발생시키는 자기 플라즈마 한정 매커니즘(329)을 포함하는 EUV 광원 장치(20).
타겟 스티어링 시스템, 펄스 반복율, 점화 사이트, EUV 광, 펄스 레이저Abstract translation: 公开了一种EUV光源装置和方法，其可以包括脉冲激光，其以所选择的脉冲重复频率提供激光脉冲，聚焦在期望的目标点火部位; 目标形成系统，以与激光脉冲重复率配合的选定间隔提供离散目标; 目标转向系统在目标地层系统和期望的目标点火站点之间; 以及目标跟踪系统，其提供关于目标形成系统和目标转向系统之间的目标移动的信息，使得目标转向系统能够将目标定向到期望的目标点火点。 该装置和方法可以包括具有中间壁的容器和具有低压阱的容器，其允许EUV光通过并且保持横跨低压阱的压差。
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