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公开(公告)号：CN111192858A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910232291.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。
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公开(公告)号：CN107492532A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201611253338.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/50 , G06K9/00
Abstract: 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107133556A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710096151.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06K9/00 , H01L23/522 , H01L25/04
Abstract: 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括：传感器芯片；贯穿通路，电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件，第二侧与第一侧相对；高电压芯片，与贯穿通路电连接；以及衬底，与贯穿通路电连接，其中高电压芯片位于衬底的开口内。
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公开(公告)号：CN103117261B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210187433.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L25/105 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种器件包括再分配线，以及在该再分配线上模制的聚合物区域。该聚合物区域包括第一平坦顶面。焊接区域设置在该聚合物区域中并且与再分配线电连接。焊接区域包括不高于第一平坦顶面的第二平坦顶面。本发明提供了封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103681561B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310024884.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2021/60022 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/4916 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了层叠封装结构中的无源器件及其形成方法，其中该器件包括聚合物。器件管芯设置在聚合物中。无源器件包括穿透聚合物的三个组件通孔(TAV)，其中TAV串联连接。再分布线(RDL)位于聚合物下方。RDL将TAV中的第一个电连接至TAV中的第二个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730434A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310162895.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。
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公开(公告)号：CN103117261A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210187433.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L25/105 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种器件包括再分配线，以及在该再分配线上模制的聚合物区域。该聚合物区域包括第一平坦顶面。焊接区域设置在该聚合物区域中并且与再分配线电连接。焊接区域包括不高于第一平坦顶面的第二平坦顶面。本发明提供了封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102074544B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010527840.5
申请日：2010-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法，该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连(interconnect)焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成在顶部焊盘下面。至少有一个虚拟结构与顶部焊盘和底层下层相连接，以紧固顶部焊盘和互连焊盘。
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公开(公告)号：CN102024776B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010151858.X
申请日：2010-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/482
CPC classification number: H01L24/16 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/13005 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/812 , H01L2224/814 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/206 , H01L2924/207
Abstract: 本发明为一种封装组合与应用此封装组合的集成电路装置。例示性的封装组合包含第一基材、第二基材以及设置于第一基材与第二基材间的连接结构。每一连接结构包含位于第一基材和第二基材间的内连接柱体以及位于此内连接柱体与第二基材间的焊料，其中内连接柱体具有一宽度和一第一高度。每两相邻的连接结构间的距离是以间隙来表示。前述的第一高度小于此间隙的一半。
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公开(公告)号：CN101308834B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810084038.6
申请日：2008-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、形成于一穿透硅通道开口中并位于衬底之中的从该衬底的一上表面延伸至该衬底的一下表面的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中该上表面和该下表面是该衬底的相对两表面，此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、形成于一开口中并由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与穿透硅通道的填充材料相同的材料、以及覆盖于该开口和该穿透硅通道开口的侧壁以及该穿透硅通道开口的底部的扩散阻挡层，其中该扩散阻挡层与该开口和该穿透硅通道开口共形。
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