Patent search cpc:"H01L2924/01004" Page 8

71.

发明授权
半导体装置失效复审申请

公开(公告)号：CN101379612B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200680053103.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宗毅志 , 久保秀雄

IPC: H01L25/00 , H01L23/36 , H01L23/12

CPC classification number: H01L23/36 , H01L21/4871 , H01L23/42 , H01L23/642 , H01L25/165 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/19105 , H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及在基板上设置有半导体元件和其他电子部件、且具有与半导体元件热连接的盖的半导体装置，该半导体装置具有：封装基板；半导体元件；芯片部件，其与半导体元件一起搭载在封装基板上；盖，其与封装基板对置地进行设置，对半导体元件的热进行散热；以及热连接部件，其将半导体元件和盖热连接起来，使用焊锡作为热连接部件，并且，将防止附着片与芯片部件隔开设置，其中，所述防止附着片防止在加热时熔化流出的热连接部件附着在芯片部件上。

72.

发明授权
用于处理基板的方法、用于生产半导体芯片的方法和用于生产具有树脂粘结剂层的半导体芯片的方法有权

公开(公告)号：CN102388438B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201080015705.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 , 土师宏

IPC: H01L21/301 , H01L21/3065

CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512

Abstract: 公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成，所述区域为蚀刻的对象。此后，首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b)，从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4)，该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。

73.

发明公开
铜接合线及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103871537A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310597813.9

申请日：2013-11-22

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 佐川英之 , 青山正义 , 鹫见亨 , 藤户启辅

IPC: H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00

CPC classification number: H01B1/026 , C22F1/08 , H01L2224/43 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45157 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45618 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/00015 , H01L2924/01204 , H01L2924/20753 , H01L2924/01206 , H01L2224/45664 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/013 , H01L2924/01022 , H01L2924/00013 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

Abstract: 本发明提供一种铜接合线及其制造方法。所述铜接合线可抑制接合线保管时在接合线表面生长氧化膜，可提高接合时的连接可靠性。铜接合线（1）具备以铜为主成分的芯材（2）和形成于芯材（2）的表面的表面处理层（3），表面处理层（3）具有含有与氧的亲和性比铜高的金属和氧的非晶质层。

74.

发明公开
一种合金键合丝及其制备方法及应用有权

公开(公告)号：CN103789568A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410054839.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 浙江佳博科技股份有限公司

Inventor： 周钢 , 薛子夜 , 赵义东

IPC: C22C5/06 , C22C1/02 , C22F1/14 , H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01205 , H01L2924/0102 , H01L2924/01034 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01027 , H01L2924/01049 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005

Abstract: 本发明提供一种合金键合丝及其制备方法，所述合金键合丝的成分和重量含量为：金5-10%，铝1-5%，镍0.5-5%，其余为纯度≥99.999wt%的银。本发明提供的合金键合丝成本低廉、键合性能优良、在高速键合条件下不断线、机械性能强，可用于集成电路、大规模集成电路、分立器件、LED封装。

75.

发明授权
电路连接用粘接膜以及电路连接结构体有权

公开(公告)号：CN102474025B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201180002362.9

申请日：2011-01-06

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 立泽贵 , 小林宏治 , 关耕太郎

IPC: H01R11/01 , C09J4/00 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L21/60 , H05K1/14 , H05K3/32

CPC classification number: H05K3/323 , C08K3/08 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/134 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H05K3/361 , H05K2201/0221 , H05K2203/1189 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种电路连接用粘接膜，其特征在于至少具有粘接剂层A和粘接剂层B，并且粘接剂层A是含有规定的粘接剂成分3a和导电粒子5的各向异性导电层11，粘接剂层B是含有规定的粘接剂成分3a的绝缘层12，粘接剂层A的厚度是该粘接剂层A中含有的导电粒子的平均粒径的0.3～1.5倍，在所述电路基板中，至少一方的电路基板的电路间距为40μm以下。

76.

发明授权
超声波焊接用铝带材失效

公开(公告)号：CN102326242B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080008770.0

申请日：2010-11-05

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 三上道孝 , 菊地照夫 , 中岛伸一郎 , 平田勇一 , 中村政晴 , 木村启裕

IPC: H01L21/60 , H01L21/607

CPC classification number: H01L24/43 , C22C21/00 , H01L24/45 , H01L2224/43 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01204 , Y10T428/31678 , H01L2924/01205 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01003 , H01L2924/01004 , H01L2924/01039 , H01L2224/48 , H01L2924/00015

Abstract: 本发明的课题是提供超声波焊接用铝带材，即使进行几万次接合其也能够保持高的焊接接合强度和规定的接合强度。作为解决手段，为一种超声波焊接用铝带材，其包含金属铝或铝基合金，该铝的纯度为99.99质量％以上，并且在铝带材的镜面光泽面上蒸发干燥粘着有分子量为500以下的非离子性表面活性剂，该非离子性表面活性剂的有机碳总量为100-1000微克/平方米。

77.

发明授权
制造半导体器件的方法失效

公开(公告)号：CN102280414B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110199758.9

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 , 青木智幸

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/13 , H01L2224/13019 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。为了将包括集成电路的半导体器件连接至以天线为代表的外电路，设计待形成在半导体器件上的接触电极的形状，使得外电路与接触电极不易产生不良连接并且提供具有高度可靠性的接触电极。接触电极利用具有切角或楔形形状的橡皮辊通过丝网印刷方法形成。接触电极具有外围部分和中间部分。外围部分具有膜厚从中间部分朝向端部减小的渐窄部分，而中间部分具有延续渐窄部分的突出部分。