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公开(公告)号：CN103972115B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310594257.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00 , B23K35/26
CPC classification number: H01L24/13 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2101/40 , H01L21/76843 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/73204 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81815 , H01L2924/0103 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K3/3494 , H05K2201/10734 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在布线板的第一电极和半导体元件的第二电极中的至少一者的表面上形成阻挡金属膜；在第一电极与第二电极之间设置连接端子，连接端子由含锡、铋和锌的钎料制成；以及通过加热连接端子并且将连接端子的温度保持在不低于钎料熔点的恒定温度下一定时间段，来将连接端子接合至阻挡金属膜。
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公开(公告)号：CN107039379A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611027509.0
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L23/367 , H01L21/98 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN104701281A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410708719.0
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN107424983A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710096783.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN105592636A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510741043.X
申请日：2015-11-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , B23K35/26 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/13023 , H01L2224/13109 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81098 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H01L2924/00014 , H01L2224/05166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H05K3/3457 , C22C13/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/04
Abstract: 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In-Sn-Ag合金，所述In-Sn-Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646609B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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公开(公告)号：CN105592636B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510741043.X
申请日：2015-11-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , B23K35/26 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/13023 , H01L2224/13109 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81098 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H01L2924/00014 , H01L2224/05166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In‑Sn‑Ag合金，所述In‑Sn‑Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。
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公开(公告)号：CN106887418A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710096431.6
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/065 , H01L21/98 , H05K3/34 , H01L23/14 , H01L23/31 , H05K1/02
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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公开(公告)号：CN103123916A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210376141.4
申请日：2012-09-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/5383 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81002 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/8121 , H01L2224/8142 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81457 , H01L2224/81464 , H01L2224/81469 , H01L2224/81805 , H01L2224/81893 , H01L2224/81931 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083
Abstract: 本发明涉及半导体器件、电子器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：连接构件，该连接构件包括形成在连接构件的主表面上的第一焊垫；半导体芯片，该半导体芯片包括其上形成第二焊垫的电路形成表面，该芯片安装在连接构件上使得电路形成表面面向主表面；以及钎料凸块，该钎料凸块连接第一焊垫和第二焊垫并且由包含Bi和Sn的金属制成，其中该块包括形成为靠近第二焊垫的第一界面层、形成为靠近第一焊垫的第二界面层、形成为靠近界面层中的任一个的第一中间区域，以及形成为靠近界面层中的另一个并且形成为靠近第一中间区域的第二中间区域；在第一中间区域中，Bi浓度高于Sn浓度；而在第二中间区域中，Sn浓度高于Bi浓度。
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公开(公告)号：CN104701281B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410708719.0
申请日：2014-11-26
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子设备及其制造方法。该电子设备包括：具有第一端子的第一电子部件，具有与第一端子相对的第二端子的第二电子部件，以及将第一端子与第二端子接合的接合部。接合部包含极状化合物，该极状化合物在第一端子与第二端子彼此相对的方向上延伸。接合部包含极状化合物，使得接合部的强度提高。当第一端子与第二端子接合时，使第一电子部件和第二电子部件中的一个电子部件的温度高于另一个电子部件的温度。在这种状态中冷却并且固化接合材料。通过这样做，形成极状化合物。
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