公开(公告)号：KR1020120030057A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020117028045

申请日：2010-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라다쇼오이찌 ,  기무라요시오 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67173 ,  B29C33/58 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/0274

Abstract: 본 발명은, 템플릿을 사용하여, 기판 상의 도포막에 전사 패턴을 전사하여, 당해 도포막에 소정의 패턴을 형성하는 임프린트 유닛을 구비한 시스템이며, 임프린트 유닛에 접속되고, 템플릿에 소정의 처리를 행하는 처리 스테이션과, 처리 스테이션에 접속되고, 템플릿을 보유 가능하고, 또한 처리 스테이션에 템플릿을 반입출하는 템플릿 반입출 스테이션과, 임프린트 유닛 내로 통해 설치되고, 템플릿을 임프린트 유닛과 처리 스테이션 사이에서 반송하는 반송 라인과, 임프린트 유닛에 접속되고, 기판을 보유 가능하고, 또한 임프린트 유닛에 기판을 반입출하는 기판 반입출 스테이션을 갖고 있다.

公开(公告)号：KR100762522B1

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020060021016

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  기무라요시오 ,  유에다잇세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178

Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060097613A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060021016

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  기무라요시오 ,  유에다잇세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178

Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.

公开(公告)号：KR100610418B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1019990026557

申请日：1999-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기무라요시오

IPC: H01L21/00

CPC classification number: F16L53/32 ,  Y10T137/6579

Abstract: 피처리 타겟 기판상에 처리 용액을 공급하기 위한 처리 용액 공급 장치는 처리 용액 공급원, 상기 처리 용액 공급원에 접속된 업스트림 단부를 갖고, 다운스트림으로부터 상기 타겟 기판상으로 처리 용액을 방출하도록 작용하는 처리 용액 공급관, 상기 처리 공급관을 개폐하기 위한 상기 처리 용액 공급관의 다운스트림 측면상에 장착된 유체 통로 개폐 밸브 장치, 및 상기 유체 통로 개폐 밸브 장치를 통해 상기 처리 용액 공급관내에 처리 용액의 온도를 조절하기 위한 유체 통로 개폐 밸브를 포함하는 처리 공급관의 다운스트림부에 연속적으로 배열된 온도 조절 부재를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020020025732A

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：KR1020010059540

申请日：2001-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가타구니에 ,  니시무코고키 ,  도미타히로시 ,  기무라요시오 ,  우에무라료이치 ,  다나카미치오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: Provided are a method and an apparatus for forming a resist pattern in which amending operation is facilitated by a reduced workload of an operator and in the same time, the appropriate amendment can be performed. CONSTITUTION: A controller(7) having a controlling portion controls a processing of a coating and developing apparatus(100) with a coating unit(3A) and a developing unit(3B). An inspecting portion(A2) and the like measures at least one of a plurality of measurement items selected from, a reflection ratio and a film thickness of a base film and a resist film, a line width after the development, an accuracy that the base film matches with a resist pattern, a defect after the development, and so on. The measured data is transmitted to the controller(7). At the controller(7), a parameter subject to an amendment is selected based on the corresponding data of each of the measurement item such as the film thickness of the resist and the line width after the development, and the amendment of the parameters subject to the amendment is performed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和装置，其中通过减少操作者的工作量来促进修改操作，并且同时可以进行适当的修改。 构成：具有控制部分的控制器（7）通过涂覆单元（3A）和显影单元（3B）来控制涂覆和显影设备（100）的处理。 检查部（A2）等测量从基膜和抗蚀剂膜的反射率和膜厚选择的多个测量项目中的至少一个，显影后的线宽度，基底 电影与抗蚀剂图案匹配，发展后的缺陷等。 测量数据被传送到控制器（7）。 在控制器（7）中，根据测量项目的各个对象的数据（例如抗蚀剂的膜厚度和开发后的线宽度）来选择修改参数，修改参数 执行修正。

公开(公告)号：KR1019940020507A

公开(公告)日：1994-09-16

申请号：KR1019940002162

申请日：1994-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 기무라요시오

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 시스템은, 로드/언로드 유니트와, 처리 유니트를 구비한다. 처리유니트에는 반송로가 배치되고, 반송로를 따라서, 애드히젼 처리부, 프리베이크부, 냉각부, 레지스트 도포부, 및 피복층 도포부가 배치된다. 애드히젼 처리부, 프리베이크부, 및 피복층 도포부는, 개개의 처리실내의 배치되는 한편, 냉각부 및 레지스트 도포부는 공통의 주처리실내로 배치된다.
반송로를 따라서 이동이 자유롭게 반송로보트이 배치되고, 그 로보트에 의하여 처리실 사이에서 기판이 반송된다. 주처리실내에는 전용의 반송부재가 배치되고, 그 반송부재에 의하여 냉각부로부터 레지스트 도포부로 기판이 반송된다.
선택도 : 제1도.

公开(公告)号：KR101226830B1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：KR1020087032212

申请日：2007-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카시마쓰네나가 ,  이나도미히로아키 ,  기무라요시오

IPC: F16K27/00 ,  B05C11/08 ,  H01L21/027 ,  B05C13/02

CPC classification number: F16K27/003 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178

Abstract: 본 발명에 있어서, 기체 공급 유닛은, 직방체 형상의 연결 블록을 가지며, 연결 블록의 하나의 측면에는, 복수의 전자밸브로 이루어진 전자밸브 블록과, 복수의 스피드 컨트롤러로 이루어진 스피드 컨트롤러 블록이 연결되어 있다. 연결 블록내에는, 대응하는 전자밸브와 스피드 컨트롤러를 연이어 통하게 하는 제1 유로와, 스피드 컨트롤러로부터 다른 측면으로 연이어 통하는 제2 유로가 형성되어 있다. 다른 측면의 제2 유로의 출력측에는, 접속 포트가 설치된다. 각 기압식 구동부에 통하는 복수의 급기관은, 멀티 코넥터를 개재하여 접속 포트에 접속된다. 본 발명에 의하면, 기판의 처리장치에 이용되는 복수의 기압식 구동부에 기체를 공급하는 기체 공급 설비의 품질을 안정시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120030058A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020117028046

申请日：2010-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라다쇼오이찌 ,  기무라요시오 ,  기따노다까히로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B05C13/00 ,  B29C33/58 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/566 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67333 ,  H01L21/68707 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S414/141 ,  H01L21/0274 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 표면에 전사 패턴이 형성된 템플릿 상에 이형제를 성막하는 템플릿 처리 장치이며, 템플릿의 표면에 이형제를 성막하는 처리 스테이션과, 복수의 템플릿을 보유 가능하고, 또한 처리 스테이션에 대해 템플릿을 반입출하는 템플릿 반입출 스테이션을 갖고, 처리 스테이션은 템플릿의 표면을 세정하는 세정 유닛과, 세정된 템플릿의 표면에 이형제를 도포하는 도포 유닛과, 도포된 이형제를 소성하는 가열 유닛과, 세정 유닛, 도포 유닛 및 가열 유닛에 대해, 템플릿을 반송하는 반송 유닛을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020010014582A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000012720

申请日：2000-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  오모리쓰타에 ,  기무라요시오

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03D5/04 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/38 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A developing device is provided to be capable of uniformizing line width and less liable to cause defects at the application of developing solution. CONSTITUTION: A solution having a photosensitive group is applied to the entire surface of a resist film(51) on a substrate(W) to form a photosensitive film(53). A developing solution is applied to the entire surface of the photosensitive film(53) to form a developing paddle(54). The entire surface of the photosensitive layer(53) on the resist film(51) is exposed. The resist film formed on the substrate and exposed in a prescribed pattern is thus developed.

Abstract translation: 目的：提供一种显影装置，能够使线宽均匀化，并且在应用显影液时不易引起缺陷。 构成：将具有感光性基团的溶液施加到基板（W）上的抗蚀剂膜（51）的整个表面上以形成感光膜（53）。 将显影液施加到感光膜（53）的整个表面上以形成显影板（54）。 抗蚀剂膜（51）上的感光层（53）的整个表面露出。 因此，形成在基板上并以规定图案曝光的抗蚀剂膜显影。

公开(公告)号：KR100256081B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019940002162

申请日：1994-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 기무라요시오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: G03F7/16 ,  H01L21/6715 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 장치는, 로드/언로드 유니트와, 처리 유니트를 구비한다. 처리유니트에는 반송로가 배치되고, 반송로를 따라서, 애드히젼 처리부, 프리베이크부, 냉각부, 레지스트 도포부, 및 피복층 도포부가 배치된다. 애드히젼 처리부, 프리베이크부, 및 피복층 도포부는, 개개의 처리실내의 배치되는 한편, 냉각부 및 레지스트 도포부는 공통의 주처리실내로 배치된다.
반송로를 따라서 이동이 자유롭게 반송로보트이 배치되고, 그 로봇에 의하여 처리실 사이에서 기판이 반송된다. 주처리실내에는 전용의 반송부재가 배치되고, 그 반송부재에 의하여 냉각부로부터 레지스트 도포부로 기판이 방송된다.