公开(公告)号：DE102016110523A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102016110523

申请日：2016-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  KERN RONNY ,  BROCKMEIER ANDRE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/266 ,  G03F1/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren (2) zum Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10) der Leistungshalbleitervorrichtung (1), Koppeln (24) einer Maske (30) an den Halbleiterkörper (10) und Ausführen (28) einer Ionenimplantation am Halbleiterkörper (10), so dass Implantationsionen (40) die Maske (30) durchqueren, bevor sie in den Halbleiterkörper (10) eindringen.

公开(公告)号：DE102016110035A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016110035

申请日：2016-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  DOMES DANIEL ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778

Abstract: Eine elektrische Baugruppe umfasst eine bipolare Schaltvorrichtung (510) und eine Transistorschaltung (560). Die Transistorschaltung (560) ist mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden und umfasst einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke.

公开(公告)号：DE102016100565A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102016100565

申请日：2016-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/328 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Einführen von Fremdstoffen in einen Teil eines Halbleitersubstrats an einer ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Ionenimplantation, wobei die Fremdstoffe geeignet sind, um elektromagnetische Strahlung einer Energie kleiner als eine Bandlückenenergie des Halbleitersubstrats zu absorbieren (S100). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden einer Halbleiterschicht auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (S110). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bestrahlen des Halbleitersubstrats mit elektromagnetischer Strahlung, die geeignet ist, um durch die Fremdstoffe absorbiert zu werden, und die geeignet ist, um eine lokale Schädigung eines Kristallgitters des Halbleitersubstrats zu erzeugen (S120). Das Verfahren umfasst weiterhin ein Trennen der Halbleiterschicht und des Halbleitersubstrats durch thermisches Prozessieren des Halbleitersubstrats und der Halbleiterschicht, geeignet, um eine Rissbildung längs der lokalen Schädigung des Kristallgitters durch thermomechanische Spannung zu verursachen (S130).

公开(公告)号：DE102016122217A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes enthalten: Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist; Ausbilden einer vergrabenen Schicht in und/oder über dem Substrat durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats; und Dünnen des Substrats von der zweiten Seite des Substrats her, wobei die vergrabene Schicht eine feste Verbindung enthält, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat, und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht stoppt.

公开(公告)号：DE102015117286A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102015117286

申请日：2015-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  RUPP ROLAND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG ,  POENARIU VICTORINA ,  UNEGG GERALD ,  REINWALD GERALD

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Graben (190) wird ausgebildet, der sich von einer Hauptoberfläche (101a) in eine kristalline Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (100a) erstreckt. Eine Maske (400) wird ausgebildet, die eine Maskenöffnung (401) umfasst, die den Graben (190) und eine Randsektion (105) der Hauptoberfläche (101a) um den Graben (190) freilegt. Durch Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (990) werden ein erster Abschnitt (181) der Halbleiterschicht (100a), der durch die Maskenöffnung (401) freigelegt ist, und ein zweiter Abschnitt (182) amorphisiert, der außerhalb der vertikalen Projektion der Maskenöffnung (401) liegt und direkt an den ersten Abschnitt (181) angrenzt. Eine vertikale Ausdehnung des amorphisierten zweiten Abschnitts (182) nimmt mit zunehmender Distanz zum ersten Abschnitt (181) allmählich ab. Die amorphisierten ersten und zweiten Abschnitte (181, 182) werden entfernt.

公开(公告)号：DE102016218771A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102016218771

申请日：2016-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  RUPP ROLAND ,  KERN RONNY ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/673

Abstract: Ein Wafer-Träger umfasst eine erste Folie, eine zweite Folie und eine Kammer zwischen der ersten Folie und der zweiten Folie. Die erste Folie weist eine Perforation auf und wird zum Tragen des Wafers verwendet. Die erste und die zweite Folie sind miteinander verbunden, um die Kammer zu bilden. Die Kammer ist konfiguriert, um evakuiert zu werden, um ein Vakuum in der Kammer zu bilden, wobei das Vakuum einen Unterdruck an der Perforation verursacht, wobei der Unterdruck eine Tragkraft für den Wafer, der getragen werden soll, bildet.

公开(公告)号：DE102015114429A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114429

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN

IPC: H01J37/09 ,  A61N5/10 ,  G21K1/04 ,  G21K1/10 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Strahlmodifikatorvorrichtung (700) umfasst streuende Teile (720), in welchen Partikel, die vertikal auf eine Belichtungsoberfläche (701) der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) auftreffen, von einer vertikalen Richtung abgelenkt sind. Eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel ändert sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701).

公开(公告)号：DE102014118336A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：DE102014118336

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GÜNTHER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/225

Abstract: Eine Verbundstruktur, die einen Trägerwafer und zumindest ein Halbleiterstück umfasst, das an den Trägerwafer durch ein Bondmaterial gebondet ist, das durch einen Keramik-bildenden Polymerpräkursor erhalten wird.

公开(公告)号：DE102014100083A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：DE102014100083

申请日：2014-01-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  RUHL GÜNTHER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/30 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/67 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verbundwafer weist ein Substrat (11) und eine SiC-basierte Funktionsschicht (18) auf. Das Substrat (11) weist einen porösen Kohlenstoffsubstratkern (12) und eine Verkapselungsschicht (14) auf, die den Substratkern (12) verkapselt. Die SiC-basierte Funktionsschicht (18) umfasst an einer Grenzflächenregion (17) mit der Verkapselungsschicht (14) mindestens: ein Carbid oder ein Silicid, die durch die Reaktion eines Abschnitts der SiC-basierten Funktionsschicht (18) mit einem carbid- und silicidbildenden Metall gebildet werden. Eine Menge des carbid- und silicidbildenden Metalls, integriert über die Dicke der Funktionsschicht (18), beträgt 10–4 mg / cm2 bis 0,1 mg / cm2.

公开(公告)号：DE102012112769A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012112769

申请日：2012-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  RUPP ROLAND ,  DOMES DANIEL

IPC: H01L23/049 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: Ein Modul enthält ein DCB-Substrat und eine diskrete Vorrichtung, die auf dem DCB-Substrat montiert ist, wobei die diskrete Vorrichtung einen Leadframe, einen Halbleiterchip, der auf dem Leadframe montiert ist, und ein Einkapselungsmaterial, das den Halbleiterchip bedeckt, aufweist.