Abstract:
본 발명은 하나 이상의 이온 또는 복수의 이온의 질량 선택성 결정을 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 예컨대 이온 트랩(1404)을 포함하는 측정 장치에서 사용된다. 이온 트랩(1404)은 제1 개구를 가진 환형 전극(1401)을 포함한다. 제1 전극(1402)이 상기 제1 개구에 배치된다. 또한, 이온 트랩(1404)을 위한 고주파 저장 신호의 제공을 위한 증폭기(1408) 및 제1 변압기(1411)가 제공되며, 제1 변압기는, 고주파 저장 신호가 상기 제1 변압기(1411)에 의해 제1 전극(1402)에 커플링되는 방식으로, 증폭기(1408) 및 제1 전극(1402)과 연결된다.
Abstract:
개선된 이온 빔 수송을 위한 기술이 개시된다. 일 실시예에 있어서, 상기 기술은, 이온 빔을 발생시키기 위한 이온 소스, 상기 이온 빔의 이온 입자들로부터 원하는 이온 종들을 선택하기 위한 질량 분석기, 상기 이온 빔에서 이온들의 에너지를 감소시키는 이온 감속기, 상기 이온 빔으로부터의 이온들이 주입되는 적어도 하나의 대상체를 지지하기 위한 엔드 스테이션, 및 상기 이온 감속기에 도달하기 전에 상기 이온 빔으로부터 중성적으로 대전된 입자들을 제거하는 중성 입자 분리기를 포함하는 이온 주입 시스템으로 실현될 수 있다.
Abstract:
A beam processing system and method is provided to minimize longitudinal-direction divergence of a beam at a beam irradiation position on a processing object. A particle beam extracted from a beam generating source passes in turn through a mass analysis magnet device(13), a mass analysis slit(15), and a deflection scanner(17) to irradiate a processing object. The mass analysis slit is disposed between the mass analysis magnet device and the deflection scanner at a position of maximum convergence in a lateral direction. A first DC quadruple electromagnet(14) and a second DC quadruple electromagnet(16) are installed on an upstream side and a downstream side of the mass analysis slit.
Abstract:
A system for further increasing an inspection speed or a throughput in an SEM-system inspection device. An inspection device which inspects the surface of a substrate adjusts an electron beam produced from an electron source (26.6) by a primary optical system (26.1) to apply it to a substrate with a desired sectional shape. The electron beam is adjusted so as to keep an unevenness in electron beam illuminance to up to 10%. Electrons emitted from a sample are detected by a detector (26.4).
Abstract:
An ion energy analyzer (100) having a micro-channel plate (104) where the geometric filtering characteristics of the micro-channel plate (104) are electrically controlled. The ion energy analyzer contains a metallic collector (116), a control grid (108) and a micro-channel plate (104), all formed into a cylindrical stack where the collector (116), control grid (108) and micro-channel plate (104) are separated by ceramic insulating washers. A control element is formed within each aperture (124) of the micro-channel plate (104) for controlling a critical angle of each aperture (124). A voltage is applied to the control element such that an electric field is generated within each micro-channel (124). By varying the magnitude of the electric field, the critical angle of the micro-channel plate (104) can be electrically controlled, and as such, certain ion trajectories can be selected for entry into the ion energy analyzer (100).
Abstract:
본 발명은 검사장치 및 그 검사장치를 사용한 반도체장치의 제조방법이다. 검사장치는 웨이퍼 등의 시료의 결함검사, 선폭측정, 표면전위측정 등을 행하기 위하여 사용된다. 검사장치에 있어서, 1차 광학계로부터 복수의 하전입자가 시료에 입사되고, 시료로부터 방출되는 2차 하전입자가 1차 광학계로부터 분리되어 2차 광학계를 사이에 두고 검출기로 유도된다. 하전입자의 조사는 시료를 이동하면서 행하여진다. 하전입자 조사점은 시료의 이동방향으로 N행, 이것과 직각방향으로 M열로 배치된다. 하전입자 조사점의 각 행이 순차 시료 이동방향과 직각방향으로 일정량씩 어긋나게 된다.
Abstract:
Apparatus includes a plurality of electrode arrangements spaced apart from each other opposite an ion propagation axis and defining an ion transfer channel that extends along the ion propagation axis that tapers between an input end that is situated to receive ions and an output end that is situated to couple the received ions to an input end of an ion guide. Methods include positioning a plurality of electrode arrangements at oblique angles opposite an ion propagation axis so as to form an ion transfer channel that tapers between an input end and an output end, and coupling the output end of the ion transfer channel to an input end of an ion optical element so as to direct ions in the ion transfer channel into the ion optical element. RF voltages are applied for confining the ions. Travelling waves are generated along the ion propagation axis.
Abstract:
An ion implantation system (110) employs a mass analyzer (126) for both mass analysis and angle correction. An ion source generates an ion beam (124) along a beam path. A mass analyzer is located downstream of the ion source that performs mass analysis and angle correction on the ion beam. A resolving aperture (134) within an aperture assembly (133) is located downstream of the mass analyzer component and along the beam path. The resolving aperture has a size and shape according to a selected mass resolution and a beam envelope of the ion beam. An angle measurement system (156) is located downstream of the resolving aperture and obtains an angle of incidence value of the ion beam. A control system (154) derives a magnetic field adjustment for the mass analyzer according to the angle of incidence value of the ion beam from the angle measurement system.