公开(公告)号：KR1020140135126A

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020140058458

申请日：2014-05-15

Applicant: 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하

Inventor： 글라스마허스알브레흐트 ,  알리망미혤

IPC: H01J49/26

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J37/252 ,  H01J49/022 ,  H01J49/027 ,  H01J49/424 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/057

Abstract: 본 발명은 하나 이상의 이온 또는 복수의 이온의 질량 선택성 결정을 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 예컨대 이온 트랩(1404)을 포함하는 측정 장치에서 사용된다. 이온 트랩(1404)은 제1 개구를 가진 환형 전극(1401)을 포함한다. 제1 전극(1402)이 상기 제1 개구에 배치된다. 또한, 이온 트랩(1404)을 위한 고주파 저장 신호의 제공을 위한 증폭기(1408) 및 제1 변압기(1411)가 제공되며, 제1 변압기는, 고주파 저장 신호가 상기 제1 변압기(1411)에 의해 제1 전극(1402)에 커플링되는 방식으로, 증폭기(1408) 및 제1 전극(1402)과 연결된다.

Abstract translation: 本发明涉及用于一种或多种离子的质量选择性测定的装置。 根据本发明的装置例如用于包括离子阱（1404）的测量装置中。 离子阱（1404）包括具有第一开口的环形电极（1401）。 第一电极（1402）布置在第一开口上。 此外，提供了用于为离子阱（1404）提供高频存储信号的放大器（1408）和第一变压器（1411），其中第一变压器与放大器（1408）和第一电极（1402）连接， 在由第一变压器（1411）与第一电极（1402）耦合的高频存储信号的方法中。

公开(公告)号：KR101346592B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020097008298

申请日：2007-09-26

Applicant: 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.

Inventor： 벤베니스트,빅토르

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/04756

Abstract: 개선된 이온 빔 수송을 위한 기술이 개시된다. 일 실시예에 있어서, 상기 기술은, 이온 빔을 발생시키기 위한 이온 소스, 상기 이온 빔의 이온 입자들로부터 원하는 이온 종들을 선택하기 위한 질량 분석기, 상기 이온 빔에서 이온들의 에너지를 감소시키는 이온 감속기, 상기 이온 빔으로부터의 이온들이 주입되는 적어도 하나의 대상체를 지지하기 위한 엔드 스테이션, 및 상기 이온 감속기에 도달하기 전에 상기 이온 빔으로부터 중성적으로 대전된 입자들을 제거하는 중성 입자 분리기를 포함하는 이온 주입 시스템으로 실현될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070115671A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020070051915

申请日：2007-05-29

Applicant: 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤

Inventor： 츠키하라미츠쿠니 ,  가바사와미츠아키

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/04 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/30483

Abstract: A beam processing system and method is provided to minimize longitudinal-direction divergence of a beam at a beam irradiation position on a processing object. A particle beam extracted from a beam generating source passes in turn through a mass analysis magnet device(13), a mass analysis slit(15), and a deflection scanner(17) to irradiate a processing object. The mass analysis slit is disposed between the mass analysis magnet device and the deflection scanner at a position of maximum convergence in a lateral direction. A first DC quadruple electromagnet(14) and a second DC quadruple electromagnet(16) are installed on an upstream side and a downstream side of the mass analysis slit.

Abstract translation: 提供了一种光束处理系统和方法，以使处理对象上的光束照射位置处的光束的纵向发散最小化。 从光束发生源提取的粒子束依次通过质量分析磁体装置（13），质量分析狭缝（15）和偏转扫描器（17），以照射处理对象。 质量分析狭缝在横向上最大会聚的位置处设置在质量分析磁体装置和偏转扫描仪之间。 在质量分析狭缝的上游侧和下游侧安装有第一DC四重电磁体（14）和第二DC四重电磁体（16）。

公开(公告)号：KR1020060032137A

公开(公告)日：2006-04-14

申请号：KR1020057021353

申请日：2004-04-26

Applicant: 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 노지노부하루 ,  사타케도루 ,  소부카와히로시 ,  김바도시후미 ,  하타케야마마사히로 ,  요시카와쇼지 ,  무라카미다케시 ,  와타나베겐지 ,  가리마타츠토무 ,  스에마츠겐이치 ,  다베유타카 ,  다지마료 ,  도야마게이이치

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N23/225 ,  H01J37/05 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2441 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/2817

Abstract: A system for further increasing an inspection speed or a throughput in an SEM-system inspection device. An inspection device which inspects the surface of a substrate adjusts an electron beam produced from an electron source (26.6) by a primary optical system (26.1) to apply it to a substrate with a desired sectional shape. The electron beam is adjusted so as to keep an unevenness in electron beam illuminance to up to 10%. Electrons emitted from a sample are detected by a detector (26.4).

Abstract translation: 一种用于在SEM系统检查装置中进一步增加检查速度或吞吐量的系统。 检查基板的表面的检查装置通过主光学系统（26.1）调整由电子源（26.6）产生的电子束，以将其施加到具有所需截面形状的基板。 调整电子束以将电子束照度的不均匀度保持在10％以下。 通过检测器（26.4）检测从样品发射的电子。

公开(公告)号：KR100427113B1

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：KR1019960008494

申请日：1996-03-23

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 피터로에엔하르트 ,  제랄드레이아오이인

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/057

Abstract: An ion energy analyzer (100) having a micro-channel plate (104) where the geometric filtering characteristics of the micro-channel plate (104) are electrically controlled. The ion energy analyzer contains a metallic collector (116), a control grid (108) and a micro-channel plate (104), all formed into a cylindrical stack where the collector (116), control grid (108) and micro-channel plate (104) are separated by ceramic insulating washers. A control element is formed within each aperture (124) of the micro-channel plate (104) for controlling a critical angle of each aperture (124). A voltage is applied to the control element such that an electric field is generated within each micro-channel (124). By varying the magnitude of the electric field, the critical angle of the micro-channel plate (104) can be electrically controlled, and as such, certain ion trajectories can be selected for entry into the ion energy analyzer (100).

Abstract translation: 一种具有微通道板（104）的离子能量分析器（100），其中微通道板（104）的几何滤波特性被电控制。 离子能量分析仪包括全部形成为圆柱形堆叠的金属收集器（116），控制栅格（108）和微通道板（104），其中收集器（116），控制栅格（108）和微通道 板（104）由陶瓷绝缘垫圈分开。 控制元件形成在微通道板（104）的每个孔（124）内，用于控制每个孔（124）的临界角。 电压被施加到控制元件，使得在每个微通道（124）内产生电场。 通过改变电场的大小，可以电控制微通道板（104）的临界角，并且因此可以选择特定的离子轨迹以进入离子能量分析仪（100）。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030029045A

公开(公告)日：2003-04-11

申请号：KR1020027014575

申请日：2001-06-27

Applicant: 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 나카스지마모루 ,  노지노부하루 ,  사타케도루 ,  김바도시후미 ,  소부카와히로시 ,  요시가와쇼지 ,  가리마타츠토무 ,  오와다신 ,  사이토무츠미 ,  하마시마무네키 ,  다카기도루

IPC: H01J37/29

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G01N23/225 ,  H01J37/05 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/075 ,  H01J37/185 ,  H01J37/20 ,  H01J37/222 ,  H01J37/226 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/22 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/248 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/2816 ,  H01J2237/2817

Abstract: 본 발명은 검사장치 및 그 검사장치를 사용한 반도체장치의 제조방법이다.
검사장치는 웨이퍼 등의 시료의 결함검사, 선폭측정, 표면전위측정 등을 행하기 위하여 사용된다. 검사장치에 있어서, 1차 광학계로부터 복수의 하전입자가 시료에 입사되고, 시료로부터 방출되는 2차 하전입자가 1차 광학계로부터 분리되어 2차 광학계를 사이에 두고 검출기로 유도된다. 하전입자의 조사는 시료를 이동하면서 행하여진다. 하전입자 조사점은 시료의 이동방향으로 N행, 이것과 직각방향으로 M열로 배치된다. 하전입자 조사점의 각 행이 순차 시료 이동방향과 직각방향으로 일정량씩 어긋나게 된다.

公开(公告)号：NL2003998C

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：NL2003998

申请日：2009-12-21

Applicant: ZEISS CARL NTS GMBH

Inventor： PREIKSZAS DIRK ,  STEIGERWALD MICHAEL ,  TOBIAS DANIEL ,  EISELE ANDREAS ,  MOMMSEN MOMME ,  DOENITZ DIETMAR ,  HENDRICH CHRISTIAN

IPC: G21K1/093 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1475 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/26

公开(公告)号：WO2019125891A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：PCT/US2018/065380

申请日：2018-12-13

Applicant: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE

Inventor： IBRAHIM, Yehia M. ,  SMITH, Richard D.

IPC: H01J49/06

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/21 ,  H01J49/062 ,  H01J49/065 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/30472

Abstract: Apparatus includes a plurality of electrode arrangements spaced apart from each other opposite an ion propagation axis and defining an ion transfer channel that extends along the ion propagation axis that tapers between an input end that is situated to receive ions and an output end that is situated to couple the received ions to an input end of an ion guide. Methods include positioning a plurality of electrode arrangements at oblique angles opposite an ion propagation axis so as to form an ion transfer channel that tapers between an input end and an output end, and coupling the output end of the ion transfer channel to an input end of an ion optical element so as to direct ions in the ion transfer channel into the ion optical element. RF voltages are applied for confining the ions. Travelling waves are generated along the ion propagation axis.

公开(公告)号：WO2016106424A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/US2015/067728

申请日：2015-12-28

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： VANDERBERG, Bo ,  EISNER, Edward

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09

CPC classification number: H01J37/1475 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701

Abstract: An ion implantation system (110) employs a mass analyzer (126) for both mass analysis and angle correction. An ion source generates an ion beam (124) along a beam path. A mass analyzer is located downstream of the ion source that performs mass analysis and angle correction on the ion beam. A resolving aperture (134) within an aperture assembly (133) is located downstream of the mass analyzer component and along the beam path. The resolving aperture has a size and shape according to a selected mass resolution and a beam envelope of the ion beam. An angle measurement system (156) is located downstream of the resolving aperture and obtains an angle of incidence value of the ion beam. A control system (154) derives a magnetic field adjustment for the mass analyzer according to the angle of incidence value of the ion beam from the angle measurement system.

Abstract translation: 离子注入系统（110）使用质量分析器（126）进行质量分析和角度校正。 离子源沿着光束路径产生离子束（124）。 质量分析仪位于离子源的下游，对离子束进行质量分析和角度校正。 孔组件（133）内的分辨孔（134）位于质量分析器部件的下游并且沿着光束路径。 分辨孔径根据所选质量分辨率和离子束的束包络具有尺寸和形状。 角度测量系统（156）位于分辨孔径的下游，并获得离子束的入射角。 控制系统（154）根据来自角度测量系统的离子束的入射角导出质量分析器的磁场调整。

公开(公告)号：WO2015174268A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/JP2015/062759

申请日：2015-04-28

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 高橋　範次 ,  早田　康成 ,  森　渉 ,  笹氣　裕子 ,  川野　源

IPC: H01J37/153 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/21 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/153 ,  H01J37/21 ,  H01J37/244 ,  H01J37/265 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/1532 ,  H01J2237/2448

Abstract: 　半導体製造プロセスにおける微細回路パターンの寸法計測等に用いられる荷電粒子線装置において、２次電子などの２次信号の偏向器として作用するウィーンフィルタの動作条件を変更した際に発生する焦点ずれや非点収差を補正し、取得画像の表示寸法を一定に保持する。　荷電粒子線装置において、荷電粒子線を集束する２段のレンズのうち試料側に配置されたレンズ（１１）と検出器の間にウィーンフィルタ（２３）を配置し、さらに前記ウィーンフィルタ（２３）と２段のレンズのうち荷電粒子源側に配置されたレンズ（１２）とを連動して制御する演算装置（９３）を設ける。

Abstract translation: 一种用于在半导体制造工艺中测量精细电路图案的尺寸等的带电粒子束装置，其中在作为偏转器的维恩滤波器的操作条件变化期间产生的散焦和像散中进行校正 的次级信号，例如二次电子，并且所获得的图像的显示尺寸保持恒定。 在带电粒子束装置中，维纳滤光器（23）布置在检测器和布置在测试样品侧的透镜（11）之间，用于会聚带电粒子束的两级透镜中的计算装置 （93）设置用于Wien滤波器（23）的互锁控制和布置在两级透镜中的带电粒子源侧的透镜（12）。