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公开(公告)号:KR102099294B1
公开(公告)日:2020-04-09
申请号:KR1020130053509
申请日:2013-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号:KR101789765B1
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:KR1020100129238
申请日:2010-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L21/683 , H01L25/065 , H01L27/146 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/4835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49827 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L27/14618 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02166 , H01L2224/02313 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/024 , H01L2224/03462 , H01L2224/03466 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06138 , H01L2224/06181 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29011 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은반도체장치및 이의제조방법을제공한다. 이반도체장치에서는, 재배선패턴들사이에유기절연패턴이개재된다. 상기재배선패턴이열에의해팽창될경우발생되는물리적스트레스를상기유기절연패턴이흡수할수 있다. 이로써유연성을증대시킬수 있다. 재배선패턴들사이에유기절연패턴이개재되므로, 재배선패턴들사이에반도체패턴이개재되는경우에비해, 절연성을증대시킬수 있다. 또한재배선패턴과유기절연패턴사이그리고반도체기판과유기절연패턴사이에시드막패턴이개재되므로, 재배선패턴의접착력이향상되어박리문제를개선할수 있다. 또한재배선패턴을구성하는금속이유기절연패턴으로확산되는것을시드막패턴이방지할수 있다. 이로써, 신뢰성이향상된반도체장치를구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。 在该半导体器件中,有机绝缘图案插入再分布图案之间。 有机绝缘图案可以吸收重新布线图案因热而膨胀时产生的物理应力。 这可以增加灵活性。 由于有机绝缘图案介于再布线图案之间,因此与在再布线图案之间插入半导体图案的情况相比,可以增加绝缘性。 另外,由于种子膜图案介于再布线图案和有机绝缘图案之间以及半导体基板和有机绝缘图案之间,因此再布线图案的附着性得到改善并且可以解决剥离问题。 也可以防止籽晶膜图案将构成再布线图案的金属扩散到有机绝缘图案中。 结果,可以实现具有改进的可靠性的半导体器件。
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公开(公告)号:KR101719636B1
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:KR1020110008990
申请日:2011-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는제1 반도체기판을포함하는제1 반도체칩, 상기제1 반도체칩 하부에배치된제2 반도체기판, 상기제1 반도체칩의측벽을덮는언더필부, 및상기언더필부의측벽을덮으며, 상기언더필부에의해상기제1 반도체칩으로부터이격되어있는몰딩부를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括:第一半导体芯片,包括第一半导体衬底,设置在第一半导体芯片下方的第二半导体衬底,覆盖第一半导体芯片的侧壁的底部填充部分, 以及通过底部填充部分与第一半导体芯片间隔开的模制部分。
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公开(公告)号:KR101683814B1
公开(公告)日:2016-12-08
申请号:KR1020100072049
申请日:2010-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L23/045 , H01L23/00 , H01L25/065 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49855 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 본발명은관통전극을포함하는반도체장치에관한것이다. 본발명의반도체장치의일례에따르면, 반도체장치는메모리제어회로, 메모리제어회로와연결된제 1 관통전극및 메모리제어회로와절연된제 2 관통전극을구비하는로직칩과, 로직칩에적층된메모리칩을포함한다.
Abstract translation: 半导体装置包括基底基板和布置在基底基板上的逻辑芯片。 逻辑芯片包括存储器控制电路,第一通孔硅通孔和第二硅通孔。 存储器控制电路设置在逻辑芯片的基板的第一表面上,并且存储芯片设置在逻辑芯片的基板的第二表面上。 第一通孔硅通过电连接存储器控制电路和存储器芯片,第二通孔硅通孔电连接到存储器芯片,并被配置为向存储器芯片发送功率,第二通孔硅通孔与逻辑电绝缘 芯片,并且逻辑芯片的基板的第一表面面向基底。
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公开(公告)号:KR1020160084159A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:KR1020150000717
申请日:2015-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M1/725
CPC classification number: G09B5/02 , G09B19/0038 , H04M1/72563 , H04M1/72541
Abstract: 휴대단말및 그제어방법이개시된다. 본발명의다양한실시예에따른휴대단말은, 사용자의상태를판단하기위한제1 영상을제공하는디스플레이모듈및 상기디스플레이모듈과전기적으로연결되는제어모듈을포함하고, 상기제어모듈은, 상기제1 영상에대한상기사용자의응답정보를기초로상기사용자의상태를판단하는것을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了便携式设备及其控制方法。 根据本发明的各种实施例的便携式设备包括提供用于确定用户状态的第一图像的显示模块和电连接到显示模块的控制模块。 控制模块基于第一图像上的用户的响应信息来确定用户的状态。 因此,可以根据用户的运动能力提供适当的运动程序。
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公开(公告)号:KR1020160034491A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:KR1020140125085
申请日:2014-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3005 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/3053 , H01J2237/2812 , H01J2237/3174
Abstract: 반도체검사장비는, 샘플웨이퍼의표면상으로클러스터이온빔을조사하여상기샘플웨이퍼의상기표면을식각하는이온빔 밀링유닛, 및상기샘플웨이퍼의식각된표면상으로전자빔을조사하여상기식각된표면의이미지를측정하는이미지측정유닛을포함한다.
Abstract translation: 半导体检查系统包括:离子束研磨单元,被配置为将聚簇离子束照射到样品晶片的表面上以蚀刻样品晶片的表面; 以及图像测量单元,被配置为将电子束照射到样品晶片的蚀刻表面上,以测量蚀刻表面的图像。 因此,该系统可实现高速大面积破坏性检测。
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公开(公告)号:KR1020160033910A
公开(公告)日:2016-03-29
申请号:KR1020140124723
申请日:2014-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/673 , B65D85/38
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 웨이퍼캐리어용리테이너는몸체및 지지구조물을포함할수 있다. 몸체는웨이퍼캐리어의내측면에배치될수 있다. 지지구조물은상기몸체의내측면에수직방향을따라형성되어상기웨이퍼캐리어에수납된복수개의웨이퍼들각각의측면과접촉할수 있다. 지지구조물은상기웨이퍼의측면의상부모서리로부터이격될수 있다. 따라서, 지지구조물이웨이퍼의측면모서리와접촉하지않게되어, 웨이퍼의측면모서리가지지구조물과의접촉에의해서파손되지않을수 있다.
Abstract translation: 用于晶片载体的保持器包括主体和支撑结构。 主体可以布置在晶片载体的内表面上。 支撑结构垂直地形成在主体的内表面上以与存储在晶片载体中的每个多个晶片的侧表面接触。 支撑结构与晶片的侧表面的上边缘分离。 因此,支撑结构不与晶片的侧边缘接触,从而防止晶片的侧边缘与支撑结构接触而损坏。
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公开(公告)号:KR1020150051855A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:KR1020140014150
申请日:2014-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 세탁기는개구가형성된캐비닛, 개구를개폐하는도어, 도어의폐쇄시선택적으로도어의동작을구속하는락킹장치를포함하여구성된다. 이러한구성을통해도어의위치를조정하여개구의폐쇄를안정적으로하며, 도어의임의의개방을방지하여세탁효율을향상시킬수 있다. 또한개구전방의구조를개선할수 있어세탁물의유출입을편리하게할 수있다.
Abstract translation: 洗衣机包括:形成有开口的橱柜; 一扇门打开和关闭开口; 以及锁定装置,当关闭门时选择性地限制门的操作。 通过调节门的位置可以稳定地打开和关闭门,并且可以通过防止门被随意打开而提高洗涤效率。 此外,可以提高开口前部的结构,使得衣物可以方便地流入和流出。
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公开(公告)号:KR1020140032238A
公开(公告)日:2014-03-14
申请号:KR1020120098897
申请日:2012-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/764 , H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/42332 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L21/76205
Abstract: Provided are a semiconductor device and a method for fabricating the same. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate with a trench to define active areas; a gate electrode crossing the active areas; a charge storage pattern between the gate electrode and the active areas; a porous insulation film to extend on the trench between the gate electrode and the charge storage pattern; and an air gap between the porous insulation film and the bottom surface of the trench.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括具有沟槽以限定有源区的半导体衬底; 栅电极穿过有源区; 栅电极和有源区之间的电荷存储图案; 多孔绝缘膜,用于在栅电极和电荷存储图案之间的沟槽上延伸; 以及多孔绝缘膜和沟槽的底表面之间的气隙。
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公开(公告)号:KR101347285B1
公开(公告)日:2014-01-07
申请号:KR1020070098360
申请日:2007-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0862 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/221 , G06F2212/222
Abstract: 본 발명은 하드디스크 드라이브의 선반입 방법, 이에 적합한 기록 매체 그리고 이에 적합한 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 하드디스크 드라이브의 선반입 방법에 있어서, 외부장치로부터 요청받은 데이터의 논리적 블록 주소가 비휘발성 캐쉬의 히스토리에 저장되어 있는지 탐색하는 단계; 및 요청된 데이터의 LBA가 히스토리에 저장되어 있는 경우, 히스토리에 저장되어 있는 LBA들 중에서, 요청된 데이터의 LBA의 다음 순서로 저장된 LBA에 기록된 데이터를 버퍼에 저장하는 단계를 포함한다.
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