公开(公告)号：KR100935489B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020087005649

申请日：2006-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  오사다유키

IPC: H01J23/34 ,  H05B6/68 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05B6/666 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/043

Abstract: 마이크로파 발생 장치는 필라멘트(78)를 포함하는 음극(80)과, 음극(80)에 대향하여 배치되고 공동 공진기(84)를 포함하는 양극(82)을 대향 배치함과 동시에, 자계를 부여한 상태에서 발진시키는 것에 의해서 마이크로파를 발생시키는 마그네트론(74)과, 필라멘트(78)에 가변으로 전력을 공급하는 필라멘트 전원(98)과, 필라멘트의 전류계측기(100)와, 필라멘트에 인가되는 전압을 구하는 전압계측부(102)를 구비하고 있다. 전류계측부(100)와 전압계측부(102)에서 구해진 전류와 전압에 의거하여, 저항값 산출부(104)에 있어서 필라멘트의 저항값을 구한다. 온도 산출부(106)에 있어서, 저항값 산출부(104)에서 구한 저항값과 필라멘트의 미리 구해진 저항-온도 의존 특성에 의거하여, 필라멘트의 온도를 구한다. 필라멘트의 온도가 소정의 온도범위내를 유지하도록 필라멘트 전원(98)을 전원 제어부(110)에 의해 제어한다.

公开(公告)号：KR100765558B1

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：KR1020037008717

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/68

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: A substrate heating apparatus of the present invention, which heats a substrate mounted on a mount table 104 having heating means 108, in a processing vessel 102, includes a supporting part 202 made from a first material to support the mount table, a sealing part 204 made from a second material different from the first material in heat conductivity to seal the supporting part and the processing vessel and a joint part 206 for joining the supporting part and the sealing part in an airtight manner. With the constitution, by selecting the first material and the second material of different heat conductivities properly, it is possible to reduce a heat gradient between the top of the mount table and the bottom of the mount table. As a result, it is possible to shorten a supporting structure for the mount table, in length.

公开(公告)号：KR100667714B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 기밀하게 구성된 처리실(2)과, 처리실(2)에 접속된 가스 도입관(3)과, 가스 도입관(3)을 통해 처리실(2) 내에 가스를 공급하는 가스 공급원(4)과, 처리실(2) 내에 배치되고 웨이퍼(6)를 적재하는 적재대(7)와, 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)에 설치되어 분출측을 적재대(7)측을 향해 배치된 샤워 헤드(8)와, 샤워 헤드(8)의 적재대측 격벽을 구성하는 다수의 토출홀(10)이 천공된 토출판(9)과, 토출판(9)과 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)와의 사이에 배치되고 다수의 관통홀(12)이 천공된 배플판(11)을 구비한다. 관통홀(12)은 가스 도입관(3)측에 형성된 상측홀부(13)와, 토출판(9)측에 상측홀부(13)로부터 확대 개방된 하측홀부(14)로 이루어지는 상이한 직경 홀로 구성된다. 그 결과, 피처리체 상의 전면에 가스를 균일하게 공급할 수 있는 가스 처리 장치, 가스 처리 방법 및 그와 같은 장치나 방법에 이용하는 배플판이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070004037A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020067021277

申请日：2005-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: Processing equipment for an object to be processed is provided with a process container, the internal of which can be evacuated, a gas introducing means for introducing a prescribed gas into the process container, a supporting table provided in the process container, a ring-shaped supporting part provided on the supporting table for supporting the object to be processed, a plurality of thermoelectric conversion elements provided on an upper plane of the supporting table on an inner side of the supporting part, an element storing space evacuating means for evacuating inside the element storing space formed by a lower plane of the object to be treated, which is supported by the supporting part, an upper plane of the supporting table and the supporting part. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 用于待处理物体的加工设备设置有可以抽真空的处理容器，用于将预定气体引入处理容器的气体引入装置，设置在处理容器中的支撑台，环形 支撑部件，设置在支撑台上，用于支撑待处理物体;多个热电转换元件，设置在支撑台的内侧的支撑台的上平面上;元件收纳空间抽出装置， 由被支撑部支撑的待处理对象的下平面形成的空间，支撑台的上平面和支撑部。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100655250B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020017012536

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로 ,  야자와미노루

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0818 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0875 ,  G01J5/0887 ,  G01J2005/0048

Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020060116248A

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020067020302

申请日：2003-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이시바시세이지 ,  야마모토가오루 ,  다나카스미 ,  야나기타니게니치

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05D16/208

Abstract: A fluid treatment apparatus and a fluid treatment method, the apparatus comprising a treatment container (4) having a loading table (8) for loading a treated body (W) thereon, a gas introducing means (10) introducing treatment gas into the treatment container, treatment gas feed systems (14, 16, 18) feeding specified treatment gases, an inert gas feed system (12) feeding inert gas, a vacuum exhaust system (32) in which a pressure regulating valve (36) allowing a valve opening to be varied and a vacuum pump (38) are installed, and a pressure gauge (48), wherein when a treatment in which the partial pressure of the treatment gas is important is performed, the valve opening of the pressure regulating valve (36) is controlled based on the detected values on the pressure gauge (48) while the treatment gas flows at a specified rate and when a treatment in which the partial pressure of the treatment gas is not so important, the valve opening of the pressure regulating valve (36) is fixed to a specified value and, based on the detected values on the pressure gauge (48), the supplied amount of the inert gas is controlled, whereby even when a plurality of types of the treatments in which the ranges of treatment pressures are largely different from each other are performed, the pressure controls of the treatments can be properly performed.

Abstract translation: 一种流体处理装置和流体处理方法，该装置包括：处理容器（4），具有用于装载处理体（W）的装载台（8）;气体导入装置（10），将处理气体导入处理容器 ，供给特定处理气体的处理气体供给系统（14,16,18），供给惰性气体的惰性气体供给系统（12），真空排气系统（32），其中压力调节阀（36）允许阀打开 改变并安装真空泵38和压力计48，其中当处理气体的分压重要的处理被执行时，压力调节阀36的阀开度为 当处理气体以规定的速度流动时，基于压力计（48）上的检测值进行控制，并且当处理气体的分压不那么重要的处理时，压力调节阀（36）的开阀 ）被固定为a 规定值，并且基于压力计（48）上的检测值，控制惰性气体的供给量，由此即使处理压力范围大大不同的多种处理方式 可以适当地进行处理的压力控制。

公开(公告)号：KR1020060103287A

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：KR1020067018174

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

公开(公告)号：KR100627782B1

公开(公告)日：2006-09-25

申请号：KR1020047013333

申请日：2003-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이토마사히데 ,  나가사와순로

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67161 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68707

Abstract: 본 발명에 의한 피처리체 수납 용기체는, 운반 가능하게 구성된 용기 본체와, 상기 용기 본체의 내부에 설치되어, 복수매의 피처리체를 지지할 수 있는 피처리체 지지부재와, 상기 용기 본체의 일측 측면에 형성되고, 상기 용기 본체의 내부와 연통하는 접합 포트와, 상기 접합 포트에 설치된 개폐 가능한 게이트 밸브와, 상기 용기 본체의 내부의 분위기를 배기할 수 있도록 개폐 가능하게 이루어진 배기 포트를 구비한다. 상기 게이트 밸브 및 상기 배기 포트의 폐쇄시에는, 상기 용기 본체의 내부가 밀폐 상태로 된다.

公开(公告)号：KR1020060038481A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020067006792

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

公开(公告)号：KR1020040106381A

公开(公告)日：2004-12-17

申请号：KR1020047017091

申请日：2003-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  다나카스미 ,  사이토데츠야 ,  야마모토노리히코 ,  야나기타니겐이치

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 장치내로 공급하는 것이 가능한 처리 시스템을 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 장치(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 시스템(24)을 갖는 처리 시스템에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 시스템은 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.