公开(公告)号：KR1020140029289A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020130103099

申请日：2013-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

Abstract: The present invention relates to a plasma processing device comprising a processing vessel, a mounting tray, a remote plasma unit, a diffusion part, and an ion filter. The mounting tray is formed in the processing vessel. Excitation gas is generated by controlling the remote plasma unit to excite hydrogen containing gas. The exit of the excitation gas is formed at the remote plasma unit. The diffusion part is formed at the exit of the remote plasma unit and receives the excitation gas flowing from the exit for diffusing the active species of hydrogen with reduced amount of hydrogen ion. The ion filter is positioned between the diffusion part and the mounting tray and separated from the diffusion part. The ion filter traps hydrogen ion included in the active species of the hydrogen diffused by the diffusion part for passing the active species of the hydrogen with additionally reduced amount of the hydrogen ions. [Reference numerals] (26) Exhaustion device; (30) Direct current power circuit; (32) Heater power; (36) Cooler

Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括处理容器，安装托盘，远程等离子体装置，扩散部件和离子过滤器。 安装托盘形成在处理容器中。 通过控制远程等离子体单元来激发含氢气体产生激发气体。 在远程等离子体单元处形成激发气体的出口。 扩散部分形成在远程等离子体单元的出口处，并接收从出口流出的激发气体，用于以减少量的氢离子扩散活性物质的氢。 离子过滤器位于扩散部分和安装托盘之间，并与扩散部分分离。 离子过滤器捕获由扩散部分扩散的氢的活性物质中包含的氢离子，用于使氢的活性物质进一步减少氢离子的量。 （附图标记）（26）耗尽装置; （30）直流电源电路; （32）加热器功率; （36）冷却器

公开(公告)号：KR1020140020203A

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention provides a method for forming Cu wiring capable of obtaining the Cu wiring having electromigration tolerance without generating void and without complex processes or the increase of leakage current between wiring. The present invention comprises the process of forming a barrier film at the front surface of a wafer W having a trench; the process of forming a Ru film on the barrier film; the process of embedding the Cu film at the trench by forming the Cu film with PVD on the Ru film; the process of forming an additional layer on the Cu layer; the process of forming the Cu wiring on the trench by polishing the front surface with CMP; the process of forming a metal cap composed with a manganese oxide film at the front surface of the wafer W; and the process of forming a dielectric cap on the metal cap.

Abstract translation: 本发明提供一种形成Cu布线的方法，其能够获得具有电迁移公差的Cu布线，而不会产生空隙并且没有复杂的工艺或布线之间的漏电流的增加。 本发明包括在具有沟槽的晶片W的前表面形成阻挡膜的工艺; 在阻挡膜上形成Ru膜的过程; 通过在Ru膜上形成具有PVD的Cu膜将Cu膜嵌入沟槽的过程; 在Cu层上形成附加层的工艺; 通过用CMP抛光前表面在沟槽上形成Cu布线的过程; 在晶片W的前表面形成由氧化锰膜构成的金属盖的工序; 以及在金属盖上形成电介质盖的工艺。

公开(公告)号：KR101356918B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020120116441

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345

Abstract: 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막속도를 높이고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것에 대한 것이다. 타겟(31)의 배면측에 마련된 마그네트 배열체(5)는 양단이 서로 이극인 봉형상 마그네트(6)가 그물코형상으로 배치되며, 그물코의 교점에서, 봉형상 마그네트(6)의 단면에 둘러싸이는 영역에는 투자성의 코어 부재(7)를 마련하도록 구성되어 있다. 봉형상 마그네트(6)의 양단의 극으로부터의 자속이 코어 부재(7)를 통해 나가기 때문에, 인접하는 봉형상 마그네트(6)끼리의 자속의 반발이 억제되어 자속선의 왜곡이 억제되고, 수평 자장이 넓은 범위에서 형성된다. 이 때문에, 고밀도의 플라즈마가 광범위하게 균일하게 형성되고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 빠른 성막속도가 얻어진다. 또한, 타겟(31)의 이로전의 면내 균일성이 양호하며, 이로전이 균일성을 갖고 진행하기 때문에, 타겟(31)의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.