公开(公告)号：KR102015697B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020170026944

申请日：2017-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시게키 ,  오가와히로유키 ,  나이토하지메 ,  시미즈아키타카 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR1020160053808A

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：KR1020150154193

申请日：2015-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  마츠도다츠오 ,  고시미즈치시오

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/334

Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括具有第一和第二天线元件的高频天线。 第一天线元件的一端接地，另一端与高频电源连接。 第二天线元件的一端是开放端，其另一端连接到第一天线元件的一端和另一端中的任一端，第二天线元件的线长度具有通过将第 （λ/ 4）+nλ/ 2）缩短比（λ是真空中高频波长，n是自然数）。 从高频电源向高频天线观察的电路被配置为通过调整阻抗调整单元来产生高频功率的频率改变两个谐振频率。

公开(公告)号：KR101124938B1

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020090024130

申请日：2009-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642

Abstract: 본 발명은 넓은 RF 주파수 영역 또한 넓은 RF 파워 영역에서 플라즈마 프로세스의 면내 균일성을 향상시키는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 챔버(10)내에는 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 서셉터(하부 전극)(12)와 상부 전극(38)이 평행하게 대향해서 배치된다. 서셉터(12)에는 제 1 고주파 전원(32)으로부터 플라즈마 생성용의 제 1 고주파가 인가된다. 서셉터(12)의 측면과 상면 주변부(에지부)는 유전체(16)를 사이에 두고, 챔버(10)의 바닥벽으로부터 수직 위쪽으로 연장하는 RF 접지부재(18)로 덮여 있다. 배기로(20)의 상부에 부착되는 배기 링(22)의 위에 핀 부재(25)가 마련된다.

公开(公告)号：KR100819313B1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070026777

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0291 ,  G01J3/42 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67253

Abstract: 퇴적물을 직접 분석하는 데 사용되는 퇴적물 모니터 장치의 구성 요소 설치의 자유도를 향상시킬 수 있다. 기판이 처리되는 처리실 내의 퇴적물을 모니터하는 기판 처리 장치의 퇴적물 모니터 장치는 상기 처리실 내에 적어도 일부가 노출되도록 배치된 광파이버를 포함한다. 입사광은 이 광파이버의 한쪽 단부에 접속되어 상기 광파이버로 방출되며, 광파이버를 통과한 광은 광파이버의 다른 쪽 단부에 접속된 수광 디바이스에 의해 수광된다.

Abstract translation: 安装用于直接分析沉积物的沉积物监测装置的部件的自由度可以得到改善。 在其中衬底是处理腔室监测的沉积物的基板处理装置的沉淀物监测装置包括所述光纤布置成使得暴露所述处理腔室内的至少一部分上。 入射光被连接到所述光纤的一端被发射到光纤中，通过光纤已经通过的光被连接到所述光纤的另一端上的光接收器件接收。

公开(公告)号：KR1020070095227A

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020070026777

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0291 ,  G01J3/42 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67253

Abstract: A substrate processing apparatus, a deposit monitoring apparatus, and a deposit monitoring method are provided to monitor a deposit by using an exposed part of an optical fiber arranged within a processing chamber. A substrate processing apparatus includes a deposit monitoring unit(50). The deposition monitoring unit monitors a deposit within a processing chamber for performing a predetermined treatment process on a processing target substrate. The deposit monitoring unit includes an optical fiber(60) disposed within the processing chamber in order to expose at least a part, a light emitting unit connected to one end of the optical fiber and emitting incident light to the optical fiber, and a light receiving unit connected to another end of the optical fiber and receiving the light penetrating the optical fiber.

Abstract translation: 提供了基板处理装置，沉积物监测装置和沉积物监测方法，以通过使用布置在处理室内的光纤的暴露部分来监测沉积物。 衬底处理装置包括沉积监测单元（50）。 沉积监测单元监测处理室内的沉积物，以对处理目标基板执行预定的处理过程。 沉积监测单元包括设置在处理室内的光纤（60），用于暴露至少一部分，连接到光纤的一端并将入射光发射到光纤的发光单元，以及光接收 单元连接到光纤的另一端并接收穿透光纤的光。

公开(公告)号：KR1020060105668A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029690

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  C23C14/34 ,  C23C16/505 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구(10)를 갖는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 제 2 전극(18)은, 그 적어도 제 1 전극(2)과의 대향 부분이, 도체로 이루어지고 플로팅 상태이거나 또는 접지되어 있는 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)으로 분할되어 있고, 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)의 사이에 전압을 인가하는 가변 직류 전원을 더 갖는다.

Abstract translation: 高的面内均匀性的等离子体处理时，也提供了耦合的电荷的等离子处理装置是难以发生的电容耦合式损害的能力。

公开(公告)号：KR100586386B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.

公开(公告)号：KR102202347B1

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190069236

申请日：2019-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020200144531A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020160053812A

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：KR1020150154315

申请日：2015-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  마츠도다츠오 ,  고시미즈치시오

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183

Abstract: (과제) 피처리기판에대하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마밀도의면 내분포를조정할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 처리용기(1) 내의탑재대(21)상에탑재된피처리기판 W에대하여, 처리가스를플라즈마화하여처리를행하는플라즈마처리장치는, 유도결합에의해처리가스를플라즈마화하는플라즈마발생부를구비한다. 플라즈마발생부의제 1 고주파안테나(541)는, 양단에개방단을갖고, 고주파의주파수에대응하는공진주파수를갖는소용돌이코일로이루어지고, 그중앙부에고주파의공급점과, 콘덴서(64)를통해서접지되는접지점을구비한다. 제 2 고주파안테나(542)는, 소용돌이코일로이루어지고, 제 1 고주파안테나(541)를구성하는고주파안테나소자(541a, 541b)의사이에배치된다. 임피던스조정부(62~65)는, 양고주파안테나소자(541a, 541b)에서로상이한공진주파수를갖게한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于在等离子体处理装置中调整等离子体密度的面内分布的技术，该等离子体处理装置对待处理的基板进行等离子体处理。 对处理气体进行等离子体处理并使用经处理的气体处理装载在处理容器（1）中的基座（21）上的待处理基板W的等离子体处理装置包括：等离子体生成单元， 通过电感耦合将气体加工成等离子体。 等离子体发生单元的第一高频天线（541）由具有开口端和对应于高频的谐振频率的涡流线圈组成，并且在中心部分由高频的供电点和通过 冷凝器（64）。 第二高频天线（542）由涡流线圈构成，并配置在构成第一高频天线（541）的高频天线元件（541a，541b）之间。 阻抗调整单元（62-65）被配置为使得两个高频天线元件（541a，541b）彼此具有不同的谐振频率。