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    성막 장치의 제어 방법, 성막 방법, 성막 장치, 유기 ＥＬ 전자 디바이스 및 그 제어 프로그램을 격납한 기억 매체
    11.
    发明授权
    성막 장치의 제어 방법, 성막 방법, 성막 장치, 유기 ＥＬ 전자 디바이스 및 그 제어 프로그램을 격납한 기억 매체 有权
    用于控制膜形成装置，膜形成方法，膜形成装置，有机EL电子装置的方法和具有用于控制存储的膜形成装置的程序的存储介质

    公开(公告)号：KR101113128B1

    公开(公告)日：2012-02-16

    申请号：KR1020107003944

    申请日：2008-09-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모야마카즈키

    IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L51/5092 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  C23C14/548 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

    Abstract: (과제) 워크 함수가 낮은 재료를 신속하게 유기층과 음극의 계면(界面) 근방에 삽입한다.
    (해결 수단) 스퍼터 장치(Sp)는, 은(Ag)으로 이루어지는 타겟재(305)와, 처리 용기 밖에 형성되어, 은(Ag)보다 워크 함수가 작은 세슘(Cs)을 가열하여 증발시키는 디스펜서(Ds)와, 디스펜서(Ds)에 연통하여, 증발시킨 세슘(Cs)의 증기를, 아르곤 가스를 캐리어 가스로 하여 처리 용기 내까지 반송시키는 제1 가스 공급관(345)과, 처리 용기 내에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(360)을 갖는다. 제어기(50)는, 고주파 전력의 에너지를 이용하여 아르곤 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마에 의해 타겟재(305)로부터 튀어나온 은(Ag) 원자를 메탈 전극(30)으로 하여 성막할 때, 디스펜서(Ds)의 온도를 제어함으로써 성막 중인 메탈 전극(30)에 혼입시키는 세슘(Cs)의 비율을 제어한다.

    성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법
    12.
    发明授权
    성막 장치, 성막 시스템 및 성막 방법 有权
    成膜装置，成膜系统和成膜方法

    公开(公告)号：KR101046239B1

    公开(公告)日：2011-07-04

    申请号：KR1020097002796

    申请日：2007-08-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모야마카즈키 ,  노자와토시히사

    IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/34 ,  H01L51/50

    CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/228 ,  C23C16/54 ,  H01L51/56

    Abstract: 유기 EL 소자 등의 제조 공정에서 형성된 각 층에서의 상호 오염을 피할 수 있고, 또한, 풋프린트도 작고 생산성이 높은 성막 시스템을 제공한다. 기판(G)에 성막하는 성막 장치(13)로서, 처리 용기(30)의 내부에서, 제 1 층을 성막시키는 제 1 성막 기구(35)와, 제 2 층을 성막시키는 제 2 성막 기구(36)를 구비하고, 제 1 성막 기구(35)는, 처리 용기(30)의 내부에 배치된, 성막 재료의 증기를 기판에 공급하는 노즐(34)과, 처리 용기의 외부에 배치된, 성막 재료의 증기를 발생시키는 증기 발생부(45)와, 증기 발생부(45)에서 발생시킨 성막 재료의 증기를 노즐(34)에 보내는 배관(46)을 구비한다.

    Abstract translation: 能够避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层中的相互污染，并且占地面积小，生产率高的成膜系统。 用于在基板G上形成膜的成膜装置13包括用于形成第一层的第一成膜机构35和用于在处理容器30内形成第二层的第二成膜机构36 第一成膜机构35包括设置在处理容器30内的喷嘴34，用于向基板供给成膜材料的蒸气， 以及用于将在蒸汽发生部分45中产生的成膜材料的蒸汽输送到喷嘴34的管46.蒸汽发生部分45产生成膜材料的蒸汽。

    플라즈마 처리 장치
    16.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101304408B1

    公开(公告)日：2013-09-05

    申请号：KR1020120043187

    申请日：2012-04-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 유전체 부재, 마이크로파를 도입하는 수단, 인젝터 및 전계 차폐부를 구비하고 있다. 처리 용기는 그 내부에 처리 공간을 구획하여 형성한다. 스테이지는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 유전체 부재는 스테이지에 대면하도록 설치되어 있다. 마이크로파를 도입하는 수단은, 유전체 부재를 개재하여 처리 공간 내에 마이크로파를 도입한다. 인젝터는 유전체제이며, 하나 이상의 관통홀을 가진다. 인젝터는, 예를 들면 벌크 유전체 재료로 구성된다. 이 인젝터는 하나 이상의 관통홀을 가지고, 유전체 부재의 내부에 배치된다. 인젝터는, 유전체 부재에 형성된 관통홀과 함께 처리 공간으로 처리 가스를 공급하기 위한 경로를 구획하여 형성한다. 전계 차폐부는 인젝터의 주위를 덮는다.

    안테나, 유전체창, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    17.
    发明公开
    안테나, 유전체창, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    天线，电介质窗，等离子体加工设备和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR1020130006351A

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：KR1020120073543

    申请日：2012-07-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시카와쥰 ,  모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32238

    Abstract: PURPOSE: An antenna, a dielectric window, a plasma treatment device and a plasma treatment method are provided to modify a protection layer by detecting the energy line like energy beam from the protection layer. CONSTITUTION: An antenna comprises a dielectric window(16), and a slot plate(20) installed at one direction of the dielectric window. Another side of the dielectric window comprises a planation surface surrounded a first depressed portion of illusion. Another side of the dielectric window comprises several second depressed portion formed inside a planation surface to surround center location of the planation surface. Each center location of a second depressed portion is overlapped inside several slots at the slot plate in the vertical direction of the main surface of the slot plate. [Reference numerals] (10) Exhaust device; (100) Gas supply source; (AA) Other element; (BB) Controller; (CC) Power supply

    Abstract translation: 目的：提供天线，电介质窗，等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过检测来自保护层的能量束的能量线来修改保护层。 构成：天线包括电介质窗（16）和安装在电介质窗的一个方向上的槽板（20）。 电介质窗口的另一侧包括围绕着错觉的第一凹陷部分的平面表面。 电介质窗口的另一侧包括形成在平面表面内部以围绕平面表面的中心位置的多个第二凹陷部分。 第二凹陷部的每个中心位置在槽板的主表面的垂直方向上在槽板的多个槽内重叠。 （附图标记）（10）排气装置; （100）气源; （AA）其他要素; （BB）控制器; （CC）电源

    시료대 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치
    18.
    发明公开
    시료대 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치 有权
    样品台和微波等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020120060889A

    公开(公告)日：2012-06-12

    申请号：KR1020127010099

    申请日：2010-09-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

    Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

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