公开(公告)号：KR100952685B1

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: 절연막의 오목부를 따라 성막한 구리 및 첨가 금속의 합금막을 이용하여 배리어 막과 구리 막을 형성하고, 그 후, 구리 배선을 매립함에 있어서, 상기 구리 막의 산화를 억제하고, 또한 배선 저항의 상승을 억제하는 기술을 제공하는 것이다.
구리에 첨가 금속을 첨가한 합금막을 기판 표면의 층간 절연막의 오목부의 벽면을 따라 형성하는 공정과, 또한 상기 첨가 금속과 층간 절연막의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성하고, 또한 잉여 첨가 금속을 합금막의 표면으로 석출(析出)시키기 위해, 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류를 포함하는 분위기에서 기판을 가열하는 공정과, 오목부에 구리를 매립하는 공정을 포함하도록 반도체 장치의 제조 방법을 실시한다. 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류는 구리에 대해 환원성을 가지므로, 합금막에 포함되는 구리의 산화를 억제하면서, 첨가 금속과 절연막 중의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090008426A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020087029103

申请日：2007-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3124 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: Disclosed is a heat treatment unit (4) as a heat treatment apparatus, which comprises a chamber (42) for containing a wafer (W) on which a low dielectric constant interlayer insulating film is formed, a formic acid supply mechanism (44) for supplying a vapor-phase formic acid into the chamber (42), and a heater (43) for heating the wafer (W) in the chamber (42) which is supplied with formic acid by the formic acid supply mechanism (44).

Abstract translation: 公开了作为热处理装置的热处理单元（4），其包括用于容纳其上形成有低介电常数层间绝缘膜的晶片（W）的室（42），用于形成低介电常数层间绝缘膜的甲酸供给机构 向室（42）供给气相甲酸，以及用于加热通过甲酸供给机构（44）供给甲酸的室（42）中的晶片（W）的加热器（43）。

公开(公告)号：KR1020080098077A

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：KR1020087023369

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828

Abstract: Substrate treating apparatus (100) including support table (103) for not only supporting of treatment object substrate (W) but also heating of the treatment object substrate (W); treatment vessel (101) having the support table (103) disposed therein; and gas supply section (102) for supplying of treating gas into the treatment vessel (101), characterized in that the treating gas contains a metal complex of organic acid or metal salt of organic acid.

Abstract translation: 基板处理装置（100），其包括用于不仅支撑处理对象基板（W）的支撑台（103），而且还包括处理对象基板（W）的加热; 具有设置在其中的支撑台（103）的处理容器（101） 以及用于将处理气体供给到处理容器（101）中的气体供给部（102），其特征在于，所述处理气体含有有机酸或有机酸的金属盐的金属络合物。

公开(公告)号：KR100778947B1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020047003005

申请日：2002-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  스기우라마사히토 ,  가시와기유사쿠 ,  가가와요시히사 ,  오타도모히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3185

Abstract: A process gas constituted by a compound having a ring structure in its molecules is introduced into a chamber (12). In the meantime, an excitation gas such as argon, etc. is excited by an activator (34) and introduced into the chamber (12), so that the process gas is excited. The excited process gas is deposited on a process target substrate (19), forming a porous low dielectric constant film having ring structures in the film.

公开(公告)号：KR1020030074721A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 전극판(20)의 서셉터(10)에 대향하는 면을 볼록형의 형상으로 한다. 전극판(20)은 볼록부(20a)에 있어서 실드링(Shield Ring)(26)의 개구(26a)와 결합한다. 이 때, 볼록부(20a)의 두께는, 실드링(26)의 두께와 거의 동일하다. 이로써, 전극판(20)과 실드링(26)은 실질적으로 동일한 평면을 형성한다. 또한, 볼록부(20a)의 주요면은, 웨이퍼(W)의 직경의 1.2∼1.5배의 직경을 갖는다. 또한, 전극판(20)은, 예컨대 SiC로 구성된다.

公开(公告)号：KR101361249B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020127001744

申请日：2010-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔모또겐지 ,  미요시히데노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/40 ,  C23C16/406 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855

Abstract: 본 발명은 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기 내에서, 유기 금속 원료 가스를 사용해서 피처리체의 표면에 박막을 형성하도록 한 성막 장치에 있어서, 상기 처리 용기 내의 분위기에 노출되는 부재의 표면에 소수층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR101275679B1

公开(公告)日：2013-06-17

申请号：KR1020117030046

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 저면(底面)에 금속층(3)이 노출되는 오목부(2)를 가지는 low-k막으로 이루어지는 절연층(1)이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 성막 처리를 실시하는 성막 방법은, 제 1 금속 예를 들면 루테늄(Ru)을 포함하는 제 1 금속 함유막을 형성하는 제 1 금속 함유막 형성 공정과, 상기 제 1 금속 함유막 형성 공정의 다음에 행해지고, 상기 오목부에 매립되는 매립 금속에 대하여 배리어성을 가지는 제 2 금속 예를 들면 망간(Mn)을 포함하는 제 2 금속 함유막을 형성하는 제 2 금속 함유막 형성 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020090109578A

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：KR1020097018799

申请日：2008-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  니시무라에이이치 ,  구보타가즈히로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76814

Abstract: A semiconductor device having high reliability is provided by reducing fluorine remaining in a metal constituting the semiconductor device. Specifically disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a fluoride removal step for removing a metal fluoride produced on a metal constituting an electrode or wiring of a semiconductor device which is formed on a substrate to be processed. This method for manufacturing a semiconductor device is characterized in that the metal fluoride is removed by supplying formic acid in a gaseous state to the substrate to be processed in the fluoride removal step.

Abstract translation: 通过减少构成半导体器件的金属中残留的氟来提供具有高可靠性的半导体器件。 具体公开了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括氟化物除去步骤，用于去除构成形成在待处理衬底上的半导体器件的电极或布线的金属上产生的金属氟化物。 这种半导体装置的制造方法的特征在于，通过在氟化物除去工序中向被处理基板供给气态的甲酸，除去金属氟化物。

公开(公告)号：KR1020090035007A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of treating a substrate, comprising the first step of setting a substrate with metal layer to be treated to a first temperature so that a treating gas containing an organic compound is adsorbed on the metal layer to thereby form a metal complex, and the second step of heating the substrate at a second temperature higher than the first temperature to thereby sublime the metal complex.

Abstract translation: 一种处理基板的方法，包括将待处理金属层的基板设置到第一温度的第一步骤，使得含有有机化合物的处理气体被吸附在金属层上，从而形成金属络合物，第二步骤 在高于第一温度的第二温度下加热基材以使金属络合物升华的步骤。

公开(公告)号：KR1020090025380A

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020097002044

申请日：2007-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883

Abstract: Disclosed is a heat treatment method comprising a step for placing a wafer (W) provided with a low-k film and a wiring layer in a heat treatment furnace (41), a step for supplying gaseous acetic anhydride into the heat treatment furnace (41), while controlling the flow rate using a mass flow controller (44d), and a step for heating the wafer (W) in the heat treatment furnace (41) supplied with gaseous acetic anhydride by using a heater (41b) provided to the heat treatment furnace (41).

Abstract translation: 公开了一种热处理方法，其包括将设置有低k膜和布线层的晶片（W）放置在热处理炉（41）中的步骤，将气态乙酸酐供给到热处理炉（41） ），同时使用质量流量控制器（44d）控制流量;以及通过使用提供给热量的加热器（41b）来加热供应有气态乙酸酐的热处理炉（41）中的晶片（W）的步骤 处理炉（41）。