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公开(公告)号：KR1020070047773A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020077002817
申请日：2005-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L27/10873
Abstract: In the present invention, when a gate insulation film in a DRAM is formed, an oxide film constituting a base of the gate insulation film is plasma-nitrided. The plasma nitridation is performed with microwave plasma generated by using a plane antenna having a large number of through holes. Nitrogen concentration in the gate insulation film formed by the plasma nitridation is 5 to 20% in atomic percentage. Even without subsequent annealing, it is possible to effectively prevent a boron penetration phenomenon in the DRAM and to reduce traps in the film causing deterioration in driving capability of the device.
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公开(公告)号：KR101122347B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020087029310
申请日：2007-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/3185 , H01L29/518
Abstract: 절연막의 형성 방법은 표면에 실리콘이 노출된 피처리 기판에 대해, 상기 실리콘을 질화하는 질화 처리를 실시하여, 실리콘 표면에 실리콘 질화막을 형성하는 것과, 실리콘 질화막이 형성된 피처리 기판을 N
2 O 분위기에서 열처리하여 실리콘 산질화막을 형성하는 것과, 실리콘 산질화막을 질화 처리하는 것을 포함한다.Abstract translation: 一种形成绝缘膜的方法包括：通过执行渗氮工艺在硅表面上形成氮化硅膜，用于氮化在暴露有硅的衬底的表面上的硅;
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公开(公告)号：KR101005953B1
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：KR1020097017507
申请日：2005-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0214 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207
Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화 처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화 처리를 행한다.
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公开(公告)号：KR1020100019469A
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：KR1020097024919
申请日：2008-06-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/316
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/02326 , H01L21/3115 , H01L21/3144 , H05H1/46
Abstract: In a micro wave plasma processing device (100), plasma of a processing gas is formed in a chamber (1) by a micro wave which has been emitted from a micro wave emission hole (32) of a planar antenna (31) and transmitted through a micro wave transmitting plate (28). Plasma processing is performed by the plasma on a work (W) placed on a table (2). The micro wave transmitting plate (28) has a concave/convex section (42) at a part of the micro wave transmitting plane corresponding to a peripheral portion of the work and a flat section (43) at a part corresponding to the center portion of the work (W).
Abstract translation: 在微波等离子体处理装置（100）中，通过从平面天线（31）的微波发射孔（32）发射的微波在室（1）中形成处理气体的等离子体，并传输 通过微波传输板（28）。 等离子体处理由放置在工作台（2）上的工件（W）上的等离子体进行。 微波传输板（28）在与工件的周边部分相对应的微波透射平面的一部分处具有凹凸部（42），在与该工件的周边部分对应的部分处具有平坦部（43） 工作（W）。
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公开(公告)号：KR1020070072909A
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020077010211
申请日：2005-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0214 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207
Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.
Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170142899A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020170075559
申请日：2017-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L29/786
Abstract: (과제) 본발명의과제는보호막에있어서의 H 원자의함유량을저감하면서, Cu를포함한전극상에보호막을정상적으로성막하는것이다. (해결수단) 보호막의성막방법은반입스텝과, 공급스텝과, 성막스텝을포함한다. 반입스텝에서는, 처리용기내에, Cu를포함한재료에의해형성된구조물인 Cu부가노출되어있는기판이반입된다. 공급스텝에서는, 처리용기내에제 1 가스, 제 2 가스, 및제 3 가스가공급된다. 성막스텝에서는, 처리용기내에공급된제 1 가스, 제 2 가스, 및제 3 가스를포함한혼합가스의플라즈마에의해, Cu부상에보호막이성막된다. 제 1 가스는할로겐원자를포함한실리콘계가스이다. 제 2 가스는 O가스, NO 가스, N가스, 또는희가스이다. 제 3 가스는 HO 가스또는 SiH가스이다.
Abstract translation: 本发明要解决的问题是通常在包含Cu的电极上形成保护膜，同时减少保护膜中H原子的含量。 形成保护膜的方法包括承载步骤，供应步骤和成膜步骤。 在搬入工序中，在处理容器内露出由含有Cu的材料构成的结构即Cu部分的基板。 在供应步骤中，将第一气体，第二气体和第三气体供应到处理容器中。 在成膜工序中，通过供给到处理容器内的包含第一气体，第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu表面形成保护膜。 第一气体是含有卤素原子的硅基气体。 第二种气体是O，NO，N或稀有气体。 第三种气体是HO气体或SiH气体。
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公开(公告)号：KR1020120112244A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033307
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/321 , C23C8/36 , H01L21/28176 , H01L21/28247 , H01L21/7685 , H01L29/4941 , H01L29/518
Abstract: PURPOSE: A plasma nitriding method, a plasma nitriding apparatus, and a manufacturing method for a semiconductor device are provided to form a nitride film covering only a surface of a first section by selectively nitriding the surface of the first section containing tungsten. CONSTITUTION: Nitrogen containing gas is provided within a processing container(S1). Pressure within the processing container is set as predetermined pressure(S2). Nitrogen containing plasma is generated within the processing container(S3). A nitride film is selectively formed by the nitrogen containing plasma(S4). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Providing of nitrogen containing gas to a processing container; (S2) Setting of pressure in the processing container as predetermined pressure; (S3) Generation of nitrogen containing plasma within the processing container; (S4) Selective formation of a nitride film with the nitrogen containing plasma
Abstract translation: 目的：提供等离子体氮化方法，等离子体氮化装置和半导体装置的制造方法，以通过选择性地氮化包含钨的第一部分的表面来形成仅覆盖第一部分的表面的氮化物膜。 构成：在加工容器内设置含氮气体（S1）。 处理容器内的压力被设定为预定压力（S2）。 在处理容器内产生含氮等离子体（S3）。 通过含氮等离子体选择性地形成氮化物膜（S4）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）向加工容器提供含氮气体; （S2）将处理容器内的压力设定为预定压力; （S3）在处理容器内产生含氮等离子体; （S4）用含氮等离子体选择性地形成氮化物膜
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公开(公告)号：KR101095318B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020097026243
申请日：2009-07-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/76886 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: An alteration method of a titanium nitride film, comprising exposing a titanium nitride film formed on a semiconductor substrate to plasma obtained by exciting a process gas that includes noble gas or nitrogen and excludes oxygen, thereby increasing a specific resistance of the titanium nitride film.
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公开(公告)号：KR100939125B1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：KR1020077010211
申请日：2005-11-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0214 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207
Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐 함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화처리를 실행한다.
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公开(公告)号：KR101389247B1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020127028202
申请日：2011-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 요네자와료타 , 다카하시데츠로 , 오사키요시노리 , 스즈키고우키 , 사이토도모히로 , 야마시타쥰 , 사토요시히로 , 시오자와도시히코 , 야마자키고이치 , 후루키가즈히로
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J2237/166
Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
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