公开(公告)号：KR100830485B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.
기판 처리 장치, 약액 처리, 린스액 처리, 건조 처리, 배기

公开(公告)号：KR100827800B1

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020070128864

申请日：2007-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  이이노타다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 이 기판처리장치는 밀폐된 처리용기(10)내에 수용된 웨이퍼(W)에 오존가스와 수증기를 공급하여, 웨이퍼(W)를 처리하는 기판처리장치에 있어서, 처리용기(10)내에 오존가스를 공급하는 오존가스생성수단(40)과, 처리용기(10)내에 수증기를 공급하는 수증기생성수단(30)과, 처리용기(10)내에 배설되면서, 수증기생성수단(30)에 접속되는 수증기공급노즐(35)을 구비하여, 수증기공급노즐(35)은, 적당간격을 두고 설치되는 복수의 수증기분사공(35f)을 갖는 노즐본체(35a)와, 이 노즐본체(35a)내의 수증기의 결로를 방지하는 히터(35h)를 구비하고, 밀폐된 처리용기내에서의 입자 등의 발생원과 세정(에칭)번짐 등의 원인이 되는 용매증기의 결로를 억제하여, 처리효율의 향상을 꾀할 수 있는 기술을 제공한다.
반도체, 기판, 세정, 처리장치

Abstract translation: 本发明涉及一种通过向容纳在密封处理容器10中的晶片W供应臭氧气体和水蒸气来处理晶片W的衬底处理设备， 向处理容器10内供给臭氧气体的臭氧气体生成单元40;供给处理容器10内的水蒸气的水蒸气生成单元30; 蒸汽供应喷嘴35包括具有以适当间隔设置的多个蒸汽喷射孔35f的喷嘴主体35a和连接到喷嘴主体35的蒸汽供应喷嘴35.蒸汽供应喷嘴35连接到喷嘴主体35， （35h），用于防止处理室（35a）内的水蒸气凝结，能够抑制密封处理容器内的粒子等的产生和引起清洗（蚀刻）的溶剂蒸气的凝结， 等等。

公开(公告)号：KR1020070093894A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：KR1020070024996

申请日：2007-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베즈카사 ,  신도나오키 ,  후루카와다카히로 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/12 ,  B01F15/00207 ,  B01F15/0022 ,  B01F15/0429 ,  B08B3/00 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/67057

Abstract: A substrate cleaning method and apparatus and a programmable recording medium are provided to improve the particle removing efficiency of a substrate by uniformly removing particles from the substrate. A substrate(W) is immersed in a cleaning liquid stored in a cleaning tank(12). The substrate is cleaned by generating ultrasonic waves in the cleaning liquid contained in the cleaning tank. In the step of cleaning the substrate, a dissolved gas concentration of a gas dissolved by the cleaning liquid inside the cleaning tank is changed. The generation of ultrasonic waves is stopped, and the dissolved gas concentration is changed during stop. When the dissolved gas concentration is changed, the dissolved gas concentration of the cleaning liquid is lowered.

Abstract translation: 提供了基板清洗方法和装置以及可编程记录介质，以通过从基板均匀地除去颗粒来提高基板的颗粒去除效率。 将衬底（W）浸入存储在清洗槽（12）中的清洗液中。 通过在包含在清洗槽中的清洗液中产生超声波来清洁基板。 在清洗基板的步骤中，清洗槽内的清洗液溶解的气体的溶解气体浓度变化。 停止产生超声波，停止时溶解气体浓度变化。 当溶解气体浓度变化时，清洗液的溶解气体浓度降低。

公开(公告)号：KR100420225B1

公开(公告)日：2004-07-12

申请号：KR1019970038124

申请日：1997-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  야마사카미야코 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B08B9/027 ,  B08B3/00 ,  C03C23/0075 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  Y10S134/902

Abstract: Disclosed is a liquid treatment for an object to be processed, such as a semiconductor wafer or a glass LCD substrate, which is designed to remove any chemicals remaining in chemical supply nozzles and also improve the rinse capability and throughput. To that end, a processing liquid supply means is configured as jet nozzle pipes 40, a bottom surface 40c of each of the jet nozzle pipes 40 is inclined so as to slope downward from a chemical supply side thereof to an end portion, and the end portion is connected to a drain pipe 55 by a waste liquid orifice 40d and a drain valve 54. A chemical is supplied from nozzle orifices 40b of the jet nozzle pipes 40, the chemical is brought into contact with wafers W, and a treatment is performed thereby. Thereafter, a chemical-removing agent such as pure water or N2 is supplied through the jet nozzle pipes 40 to remove any remaining chemical from the jet nozzle pipes 40, then pure water is brought into contact with the wafers W to wash them.

Abstract translation: 本发明公开了一种用于待处理物体（例如半导体晶圆或玻璃LCD基体）的液体处理，其被设计成去除化学物质供应喷嘴中残留的任何化学物质，并且还改善了漂洗能力和产量。 为此，处理液体供应装置被构造为喷射喷嘴管40，每个喷射喷嘴管40的底面40c倾斜成从化学物质供应侧向端部向下倾斜，并且末端部分 部分通过废液孔40d和排水阀54连接到排水管55.从喷嘴管40的喷嘴孔40b供应化学品，使化学品与晶片W接触，并且执行处理 从而。 此后，通过喷射喷嘴管40供应诸如纯水或N 2的化学清除剂，以从喷射喷嘴管40除去任何残留的化学物质，然后使纯水与晶片W接触以清洗它们。

公开(公告)号：KR100239942B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960000944

申请日：1996-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  요코미조겐지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67781 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/137

Abstract: 기판세정장치는, 여러개의 웨이퍼가 수용되는 처리조와, 이 처리조내에 세정액을 공곱하는 세정액 공급원과, 처리조로부터 흘러넘친 세정액을 다시 처리조내에 되돌리는 제1유로와, 헹굼액을 공급하는 헹굼액 공급원과, 헹굼액이 흘러 통과되는 제2유로와, 제1및 제2유로의 각각에 연통함과 동시에 처리조의 저부에도 연통하는 공용유로와, 제1유로에 설치된 제1밸브와, 제2유로에 설치된 제2밸브와, 제1유로로부터 분기하여 세정액을 배출하는 배출유로와, 이 배출유로에 설치된 제3밸브와, 제1, 제2 및 제3밸브의 각 동작을제어하는 제어부를 구비하고 있으며, 상기 제1밸브는, 제1유로를 개폐하는 제1밸브체와, 제1유로와 병렬로 설치되고 제1유로보다도 작은 직경의 제3유로와, 이 제3유로를 개폐하는 제2밸브체를 갖고 있으며, 제1밸브체를 개방하고 제2� �브체를 폐쇄하고 또한 제3밸브도 폐쇄함에 의해 세정액을 처리조내에 유입시키는 한편, 제1밸브의 제1밸브체를 폐쇄하고 제2밸브체를 개방하고 또한 제3밸브도 개방함에 의해 헹굼액을 처리조내에 유입시킴과 동시에 제1, 제3유로내에 체류하는 세정액을 헹굼액과 함께 배출유로를 통하여 배출한다.

公开(公告)号：KR1019980018559A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019970038124

申请日：1997-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  야마사카미야코 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02

Abstract: 반도체 웨이퍼와 LCD 유리기판 등의 피처리체의 액처리에 있어서, 약액공급노즐에 잔류하는 약액의 제거, 린스성능 및 처리량(through-put)의 향상을 나타내기 위해, 처리액 공급수단을 제트 노즐관(40)에서 형성하고, 제트 노즐관(40)의 저면(40c)을 약액의 공급측에서 선단을 향하게 아래쪽 균배로 기울어지게 하고, 선단측에 배액공(40d) 및 배수밸브(54)을 통해서 배수관(55)을 접속한다. 제트 노즐관(40)의 노즐공(40b)에서 약액을 공급해서 반도체 웨이퍼 W에 약액을 접촉시켜서 처리를 행한 후, 이 제트 노즐관(40)에 순수 또는 N
2 가스 등의 약액 제거용 기체를 공급해서 제트 노즐관(40)에 잔류하는 약액을 제거하고, 순수를 반도체 웨이퍼 W에 접촉시켜서 세정처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1019970052713A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019960062257

申请日：1996-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  가미카와유지 ,  모쿠오쇼리 ,  구마가이요시오

IPC: H01L21/304

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼난 LCD용 유리기판과 같은 기판을 세정하고 건조하는 기판세정 건조장치, 기판세정방법 및 기판세정장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
기판에서의 파티클의 부착을 방지하고, 건조얼룩을 억제할 수가 있는 고 생산성으로 소형의 기판세정 건조방법 및 기판세정 건조장치를 제공하고, 공장측의 배출액 라인을 효율좋게 운용할 수가 있고, 처리조내의 처리액을 일정한 상태로 유지할 수가 있는 기판세정방법 및 기판세정장치를 제공하고자 하는 것이다.
3.발명의 해결방법의 요지
본 발명의 기판세정 건조장치는, 복수의 웨이퍼를 유지하는 보오트를 수용할 수 있는 처리부와, 이 처리부의 바닥부에 형성되어 세정처리액을 처리부내 도입한 세정처리액을 처리부내로부터 배출하기 위한 공급배출구와, 복수 종류의 세정액중으로부터 적어도 1종류의 세정액을 선택하여 공급배출구를 통하여 처리부내에 공급하는 처리액 공급기구와, 건조용 증기를 생성하기 위한 히터를 구비한 건조용 증기생성부와, 이 건조용 증기생성부와 처리부에 각각 연이어 통하고 건조용 증기를 처리부내로 안내하는 건조용 증기공급로와, 처리부의 하부에 설치되어 처리부내로부터 세정처리액을 신속하게 배출하기 위한 개구를 갖는 강제 배출액기구와, 이 개구는 개폐가능한 것과, 처리부내의 세정처리액의 비례저항값을 검출하는 비례저항 검출계와, 검 한 비례저항값에 기초하여 처리액 공급기구로부터 처리부내에 처리부내에 처리액의 공급을 제어하는 제어기를 구비하는 것이다.

公开(公告)号：KR101774427B1

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020120021826

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치야요스케 ,  신도나오키

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 실리콘산화막에대한실리콘질화막의높은에칭선택비와, 실리콘질화막의높은에칭레이트를양립시킬수 있는기술을제공한다. 에칭방법은실리콘질화막및 실리콘산화막이표면에노출된기판에가열된 HSO를공급하여기판을가열하는프리히팅공정과, 이후, 상기기판에가열된 HSO와, HF, NHF 및 NHHF중적어도어느하나와, HO와의혼합액체를공급하는에칭공정을구비하고있다.

Abstract translation: 可以实现既能够实现氮化硅膜对氧化硅膜的高蚀刻选择性又能够实现氮化硅膜的高蚀刻速率的技术。 该蚀刻方法包括：预热步骤，通过将加热的HSO供给暴露在氮化硅膜和氧化硅膜的表面上的衬底，然后通过HSO，HF，NHF和NHHF中的任一个加热衬底来加热衬底 以及用于供应混合液体的蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR101608105B1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：KR1020110127651

申请日：2011-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  하치야요스케 ,  아이우라가즈히로 ,  이토노리히로 ,  신도나오키 ,  이토유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/68728 ,  B08B3/04 ,  B08B3/041 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: 본발명은, 노즐을지지하는노즐지지아암에부착된오물에의하여처리실내의기판이오염되는것을방지할수 있는액 처리장치및 액처리방법을제공한다. 본발명의액 처리장치(10)는, 기판(W)을유지하는기판유지부(21) 및해당기판유지부(21)의주위에배치되는컵(40)이내부에설치된처리실(20)과, 기판유지부(21)에유지된기판(W)에대하여유체를공급하기위한노즐(82a)과, 노즐(82a)을지지하는노즐지지아암(82)을구비하고있다. 액처리장치(10)에는, 노즐지지아암(82)을세정하기위한아암세정부(88)가설치된다.

Abstract translation: 本发明提供一种液体处理装置和液体处理方法，其能够防止由于附着到支撑喷嘴的喷嘴支撑臂上的污物而污染处理室中的基板。 本发明的液体处理装置10包括用于保持基板W的基板保持部21和配置在基板保持部21周围的杯40内的处理室20， 喷嘴82a用于向由基板支架21保持的基板W供给流体，喷嘴支撑臂82用于保持喷嘴82a。 液处理装置10具备用于清扫喷嘴支承臂82的臂清扫部88。

公开(公告)号：KR1020150125586A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：KR1020150057995

申请日：2015-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이도야스유키 ,  신도나오키 ,  오리이다케히코 ,  에가시라게이스케 ,  하치야요스케 ,  오오이시고타로 ,  가와노히사시 ,  시모무라신이치로

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B12/14 ,  B05C11/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715

Abstract: 노즐내에서의가수분해열화에따른실릴화액의폐기량을저감한다. 노즐(43) 내의실릴화액유로(431)에차단유체를공급함으로써, 실릴화액유로내에있는실릴화액보다토출구(434)에가까운측에존재하는차단유체에의해실릴화액유로내에있는실릴화액을토출구의외부의분위기로부터차단한다.

Abstract translation: 由于喷嘴中的水解劣化引起的消耗的甲硅烷基化液体的量减少。 向喷嘴（43）中的甲硅烷基化液体流路（431）供给封闭流体，以通过存在于更靠近排出口的一侧的阻塞流体从排出孔的外部气氛中阻断甲硅烷醇化液体流路中的甲硅烷基化液体 （434）比硅烷化液体流路中的甲硅烷基化液体。