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公开(公告)号：KR1020090085547A
公开(公告)日：2009-08-07
申请号：KR1020090008989
申请日：2009-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: A substrate processing apparatus is provided to reduce consumption of a cleaning time and a cleaning solution by uniformly spraying the cleaning solution to an inner surface of a container. A substrate processing apparatus includes a rotation holding member(21), a container(24), a cleaning jig(20), and a scattering guide part. The rotation holding member rotates a substrate. The container surrounds the substrate. The container prevents scattering of a cleaning solution supplied to the substrate. The cleaning jig cleans an inner surface of the container. The scattering guide part is installed in an outer circumference of the cleaning jig. The scattering guide part scatters the cleaning solution to an inner surface of the container by rotation of the cleaning jig. A position of the scattering guide part is successively changed into a thickness direction of the cleaning jig according to the outer circumference of the cleaning jig.
Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，用于通过将清洁溶液均匀地喷射到容器的内表面来减少清洁时间的消耗和清洁溶液。 基板处理装置包括旋转保持构件（21），容器（24），清洁夹具（20）和散射引导部。 旋转保持部件旋转基板。 容器围绕基底。 容器防止向基板供应的清洗溶液的散射。 清洁夹具清洁容器的内表面。 散射引导部安装在清扫夹具的外周。 散射引导部分通过清洁夹具的旋转将清洁溶液分散到容器的内表面。 根据清洁夹具的外周，散射导向部的位置依次变化为清洁夹具的厚度方向。
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公开(公告)号：KR100701578B1
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020010004660
申请日：2001-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 키타노준이치 , 마츠야마유지 , 키타노타카히로 , 카타노타카유키 , 마츠이히데후미 , 스즈키요 , 야마시타마사미 , 아오야마토루 , 이와키히로유키 , 시무라사토루 , 데구치마사토시 , 요시하라코우스케 , 이이다나루아키
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/70991 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67184 , H01L21/67742 , H01L21/67778 , Y10T29/41
Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.
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公开(公告)号：KR101841593B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020120017769
申请日：2012-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/3021 , G03F7/325
Abstract: 유기용제를함유하는현상액을이용한현상처리에서처리시간의단축화를가능하게하여처리능력을향상시킬수 있는현상처리방법및 현상처리장치를제공하는것이다. 표면에레지스트가도포되고, 노광된후의기판으로유기용제를함유하는현상액을공급하여현상을행하는현상처리방법에서, 기판을회전시키면서(단계(S1)), 현상액공급노즐로부터기판의중심부로현상액을공급하여액막을형성하는액막형성공정(단계(A))과, 현상액공급노즐로부터기판으로의현상액의공급을정지시키고, 또한현상액의액막을건조시키지않은상태에서기판을회전시키면서, 기판상의레지스트막을현상하는현상공정(단계(B))을구비한다.
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公开(公告)号：KR101840842B1
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR1020130080226
申请日：2013-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 기판표면에처리액의액막을형성하는처리를실시하고, 액막을제거하여건조하는액처리에서, 액막과건조영역의경계면을제어함으로써, 기판표면의처리액의잔사방지및 액갈라짐방지를도모하고, 또한기판표면의결함방지를도모할수 있도록하는것이다. 웨이퍼(W)를회전시키면서, 제 1 세정액노즐(60)로부터웨이퍼의표면중심으로세정액(L)을공급하여액막을형성하고, 웨이퍼의중심부로부터주연부를향해제 1 가스노즐(70)로부터 N가스를공급하여웨이퍼표면의액막을제거하여건조영역(D)을형성하고, 제 1 건조유체공급부가이 제 1 건조유체공급부와간섭하지않는위치로설정된제 2 건조유체공급개시위치와동심원상의위치로이동했을시, 제 2 건조유체공급개시위치로부터웨이퍼의주연부를향해제 2 가스노즐(80)로부터액막과건조영역의경계면으로 N가스를공급하고, 또한제 1 가스노즐과제 2 가스노즐을동심원형상으로이동시킨다.
Abstract translation: 它执行形成处理液的液膜到基材表面，并且在用于干燥的溶液处理的处理通过控制液体膜和干燥区域之间的界面除去液体膜，并减少残余物防止基板表面的处理液和液体防裂 并且还防止衬底表面上的缺陷。 而由供给清洗液（L）向晶片中心的表面旋转晶片（W），从第一清洗液体倒出所述N个气体喷嘴60，第一气体喷嘴70以形成液体膜，朝向从晶片外周部的从所述中心部分 和由供给在晶片表面上除去所述液体膜以形成一个干燥区（d），第一干燥流体供应bugayi权利要求1进入干燥流体供给单元和第二干燥被设定到非干涉位置中的流体供应开始位置和同心的位置 小时后，和第二干燥N 2气体从第二气体喷嘴80朝向从由液体膜和干燥区的界面处的流体供应开始位置的晶片的外周提供，并且一个形状同心的所述第一气体喷嘴任务2个气体喷嘴 移动。
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公开(公告)号：KR101493647B1
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020140024478
申请日：2014-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: G03F7/168 , B08B3/024 , G03F7/3021 , H01L21/67051
Abstract: 본 발명은, 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것으로서 본 발명의 기판 세정 방법은, 기판의 중심부와 회전 중심부가 일치하도록 기판을 기판 유지부에 수평으로 유지시키는 공정과, 상기 기판 유지부를 수직축의 주위에 회전시키면서 세정 노즐로부터 기판의 중심부에 세정액을 토출하여 원심력에 의해 기판의 표면 전체로 넓히는 공정과, 다음에 기판 유지부를 회전시킨 채 기판상의 세정액의 토출 위치를 기판의 중심부로부터 어긋난 편심 위치로 변경 함과 동시에, 세정액의 토출 위치에 있어서의 가스 토출 위치측 계면과 가스 노즐에 의한 가스의 토출 위치에 있어서의 세정액 토출 위치측 계면과의 거리를 9 mm~15 mm로 설정한 상태에서 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 가스를 토출하여 세정액의 건조 영역을 형성하는 공정과 그 후, 기판 유지부를 회전시킨 채 세정액의 토출 위치를 상기 건조 영역이 바깥으로 퍼지는 속도보다 늦은 속도로 기판의 주변을 향해 이동시키는 공정을 포함하고 있는 물의 정적 접촉각이 85도 이상인 기판의 표면을 세정하는 방법에 관한 기술을 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140034273A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020140024478
申请日：2014-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: G03F7/168 , B08B3/024 , G03F7/3021 , H01L21/67051
Abstract: The present invention relates to a substrate cleaning method and a device thereof. The substrate cleaning relates to a method for cleaning the surface of a substrate having a static touch angle with water, which is more than 85 degrees, comprising a step for horizontally maintaining the substrate and a substrate maintaining unit to correspond to the center unit and a rotation center unit of the substrate; a step for rotating the substrate maintaining unit around a vertical axis and spraying cleaning liquid from a cleaning nozzle to the center unit of the substrate; a step for forming a drying area of the cleaning liquid by spraying gas from a gas nozzle to the center unit of the substrate in a state of setting the distance with the surface of a cleaning liquid spray position as 9 mm~15 mm; and a step for moving the spray position of the cleaning liquid to the surroundings of the substrate at a speed which is slower than a speed for extending the drying area. [Reference numerals] (7) Control unit
Abstract translation: 本发明涉及一种基板清洗方法及其装置。 基板清洗涉及一种用于清洁与水的静态接触角大于85度的基板的表面的方法，包括用于水平地保持基板的步骤和与中心单元相对应的基板保持单元，以及 基板的旋转中心单元; 用于使基板保持单元绕垂直轴线旋转并将清洁液体从清洗喷嘴喷射到基板的中心单元的步骤; 在将清洗液喷射位置的距离设定为9mm〜15mm的状态下，将气体从气体喷嘴喷射到基板的中心部，形成清洗液的干燥区域的工序; 以及以比用于延伸干燥区域的速度慢的速度将清洗液体的喷射位置移动到基板周围的步骤。 （附图标记）（7）控制单元
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公开(公告)号：KR1020130080818A
公开(公告)日：2013-07-15
申请号：KR1020130001076
申请日：2013-01-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H05K3/26 , B08B3/024 , B08B5/02 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H05K2203/1509
Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning method, a substrate cleaning apparatus, and a recording medium for cleaning a substrate are provided to prevent the breakdown of a circuit pattern and the removal of liquid on the surface of the substrate. CONSTITUTION: A liquid film is formed on the surface of a wafer by supplying cleaning solutions from the center to the peripheral part of the wafer with a circuit pattern (P). The wafer with the liquid film is rotated. A dry area is formed on the surface of the wafer by discharging a gas (G) from the center to the peripheral part of the wafer. The wafer with the dried area is rotated. The remaining liquid is removed between the circuit patterns on the dry area by discharging the gas.
Abstract translation: 目的：提供基板清洗方法，基板清洁装置和用于清洁基板的记录介质，以防止电路图案的破坏和基板表面上的液体的去除。 构成：通过以电路图案（P）从晶片的中心部向周边部供给清洗液，在晶片表面形成液膜。 具有液膜的晶片旋转。 通过从晶片的中心向周边部排出气体（G），在晶片的表面上形成干燥区域。 具有干燥区域的晶片旋转。 通过排出气体，在干燥区域上的电路图案之间除去剩余的液体。
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公开(公告)号：KR101185072B1
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：KR1020110012370
申请日：2011-02-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/26 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: There is provided a developing apparatus capable of achieving high throughput. The developing apparatus includes an airtightly sealed processing vessel that forms a processing atmosphere therein; an atmosphere gas supply unit that supplies an atmosphere gas containing mist of a developing solution into the processing vessel in order to form a liquid film of the developing solution on a surface of a substrate loaded into the processing vessel; and a drying unit that dries the substrate in order to stop a developing process by the liquid film. A reaction between a resist and the developing solution can be stopped. Therefore, a developing process can be performed in parallel with a cleaning process performed by a cleaning module and high throughput is achieved.
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公开(公告)号：KR1020110094246A
公开(公告)日：2011-08-23
申请号：KR1020110012370
申请日：2011-02-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/26 , H01L21/304
CPC classification number: G03F7/3021 , H01L21/0274 , G03F1/60 , G03F7/265 , G03F7/32 , H01L21/3046
Abstract: PURPOSE: A developing apparatus, a developing method and a storage medium are provided to stop the reaction of a resist and developer and transfer a substrate to a cleaning apparatus by including a drying unit for stopping the development of a liquid film on the surface of the substrate. CONSTITUTION: In a developing apparatus, a developing method and a storage medium, a partitioning plate(13) is installed in a housing and divides the housing up and down. A reaction container(5) form a process condition pressure. A gas supply part(55) supplies gas including mist of a developer within the reaction container. A drying unit dries a substrate to stop the development of a liquid film. The drying unit includes a mounting unit for a substrate and a heating unit for a mounting plate.
Abstract translation: 目的：提供显影装置，显影方法和存储介质，以阻止抗蚀剂和显影剂的反应，并将基材转移到清洁装置，包括：用于停止在膜表面上形成液膜的干燥单元 基质。 构成：在显影装置，显影方法和存储介质中，分隔板（13）安装在壳体中并且上下分隔壳体。 反应容器（5）形成工艺条件压力。 气体供给部（55）在反应容器内供给含有显影剂雾的气体。 干燥单元干燥基板以停止液膜的显影。 干燥单元包括用于基板的安装单元和用于安装板的加热单元。
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公开(公告)号：KR100929526B1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020030017229
申请日：2003-03-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/6715
Abstract: A process liquid supply mechanism for supplying a process liquid comprises a process liquid supply source for supplying a process liquid, a process liquid discharging nozzle for discharging the process liquid, a pipe connecting the process liquid supply source to the process liquid discharging nozzle, a pump mounted to the pipe for allowing the process liquid to be discharged from the process liquid discharging nozzle, a pressure sensor for detecting the pressure of the process liquid at a prescribed position intermediate between the pump and the process liquid discharging nozzle, and a controller for controlling the inner pressure of the pump based on the pressure value detected by the pressure sensor and the relationship obtained in advance between the pressure and the discharging rate of the process liquid such that the process liquid is discharged at a prescribed discharging rate.
Abstract translation: 用于供应处理液的处理液供应机构包括用于供应处理液的处理液供应源，用于排出处理液的处理液排出喷嘴，用于将处理液供应源连接到处理液排出喷嘴的管，泵 为了使处理液从处理液排出喷嘴排出而安装在配管上的压力传感器，检测泵和处理液排出喷嘴的中间的规定位置的处理液的压力的压力传感器， 基于由压力传感器检测到的压力值和预先获得的在处理液体的压力和排出速率之间的关系，泵的内部压力使得处理液体以预定的排出速率排出。
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