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    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치
    11.
    发明公开
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 失效
    薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法和包含其的有机发光二极管显示装置

    公开(公告)号：KR1020100099616A

    公开(公告)日：2010-09-13

    申请号：KR1020090018199

    申请日：2009-03-03

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이길원 ,  리사첸코,막심 ,  정재완

    IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/1214

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to improve the electrical property by regulating the concentration of metal catalyst in a crystallized semiconductor layer. CONSTITUTION: A silicon film(105) is formed on a substrate(100). A diffusion layer(115) is formed on the upper side of the silicon film. A semiconductor layer, which is crystallized using metal catalyst, is formed on the diffusion layer. A gate electrode(150) is located to correspond to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(140) is located between the gate electrode and the semiconductor layer in order to insulate the gate electrode and the semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过调节结晶半导体层中金属催化剂的浓度来改善电性能。 构成：在衬底（100）上形成硅膜（105）。 扩散层（115）形成在硅膜的上侧。 在扩散层上形成使用金属催化剂结晶化的半导体层。 栅电极（150）被定位成对应于半导体层的沟道区。 为了使栅电极和半导体层绝缘，栅极绝缘膜（140）位于栅电极和半导体层之间。

    다결정 실리콘의 제조방법, 박막트랜지스터, 그의 제조방법및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치
    12.
    发明公开
    다결정 실리콘의 제조방법, 박막트랜지스터, 그의 제조방법및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 失效
    聚硅，TJIN薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管的制造方法和包含其的有机发光二极管显示装置

    公开(公告)号：KR1020100078863A

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：KR1020080137242

    申请日：2008-12-30

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  리사첸코,막심 ,  박병건 ,  이길원 ,  정재완

    IPC: H01L29/786 ,  H05B33/00

    CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/2022

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of poly-crystal silicon, a thin layer transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electronic light emitting display device are provided to improve the electrical characteristic of the thin layer transistor with controlling of the leakage current by controlling the concentration of the remaining metal catalyst on a semiconductor layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate(100). A first semiconductor layer is formed on the buffer layer. A second semiconductor layer(170) is formed on the first semiconductor layer. A gate electrode(185) is insulated from the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A gate insulating layer(180) insulates the first semiconductor layer and the second semiconductor layer from the gate electrode. Source/drain electrodes(200a,200b) is connected to one part of the second semiconductor.

    Abstract translation: 目的：提供一种多晶硅制造方法，薄膜晶体管，其制造方法和有机电子发光显示装置，通过控制漏电流来改善薄膜晶体管的电气特性 余下的金属催化剂在半导体层上的浓度。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成第一半导体层。 在第一半导体层上形成第二半导体层（170）。 栅电极（185）与第一半导体层和第二半导体层绝缘。 栅极绝缘层（180）使第一半导体层和第二半导体层与栅电极绝缘。 源极/漏极（200a，200b）连接到第二半导体的一部分。

    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
    13.
    发明授权
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 有权
    薄膜晶体管及其制造方法，以及具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置

    公开(公告)号：KR100965260B1

    公开(公告)日：2010-06-22

    申请号：KR1020080008159

    申请日：2008-01-25

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 안지수 ,  박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이길원 ,  이기용 ,  김성철

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

    CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

    Abstract: 본 발명은 게터링 사이트로써, 소스/드레인 전극 물질층을 이용하여 반도체층에 잔존하는 결정화를 위한 금속 촉매의 양을 감소시켜 누설 전류 특성 및 박막트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 바텀 방식의 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
    본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 금속 촉매를 이용하여 결정화된 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하고, 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소스/드레인 전극 하부의 상기 반도체층 영역 내에는 상기 반도체층의 표면으로부터 일정 깊이까지 금속 촉매와 다른 금속 또는 상기 다른 금속의 금속실리사이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.
    박막트랜지스터, 게터링, 바텀 게이트, 소스/드레인 전극

    Abstract translation: 本发明吸除部位作为源/漏极材料层通过使用用于残留在半导体层的泄漏电流特性结晶的金属催化剂以及薄膜底部的系统，可以提高晶体管的电特性的薄膜的减少量的 晶体管及其制造方法，以及具有该晶体管的有机发光显示器。

    박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 포함하는유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법
    14.
    发明公开
    박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 포함하는유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법 有权
    薄膜晶体管，其制造方法，包含其的有机发光二极管显示装置及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020080114281A

    公开(公告)日：2008-12-31

    申请号：KR1020070063680

    申请日：2007-06-27

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 양태훈 ,  박병건 ,  서진욱 ,  이기용 ,  이길원

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/06

    Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an electro luminescent display device including the same are provided to improve an electrical characteristic by controlling concentration of the metallic catalyst according to the position of a channel region. A thin film transistor includes a substrate(400), a semiconductor layer(440), a gate electrode(420), a gate insulating layer(430), and source/drain electrodes(462,463). A semiconductor layer is located on a substrate. The semiconductor layer includes a channel region and a source/drain region. The semiconductor layer is crystallized by using the metallic catalyst. The gate electrode is positioned in a predetermined region to correspond to the semiconductor layer. The gate insulating layer is positioned between the gate electrode and a semiconductor layer to insulate the semiconductor layer and the gate electrode. The source/drain electrode is electrically connected to the source/drain region of the semiconductor layer.

    Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包含该薄膜晶体管的电致发光显示装置，以通过根据沟道区域的位置控制金属催化剂的浓度来改善电特性。 薄膜晶体管包括基板（400），半导体层（440），栅极电极（420），栅极绝缘层（430）和源极/漏极电极（462,463）。 半导体层位于基板上。 半导体层包括沟道区和源极/漏极区。 通过使用金属催化剂使半导体层结晶。 栅电极位于与半导体层对应的预定区域中。 栅极绝缘层位于栅电极和半导体层之间，以使半导体层和栅电极绝缘。 源/漏电极电连接到半导体层的源/漏区。

    다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
    15.
    发明授权
    다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 有权
    다결정실리콘층의제조방법，이를이용하여형성된박막트랜스터터，，그의제조방법및이를포함하는유기전계발광표시장

    公开(公告)号：KR100875432B1

    公开(公告)日：2008-12-22

    申请号：KR1020070053314

    申请日：2007-05-31

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  이길원 ,  이기용

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

    Abstract: A method of fabricating a polycrystalline silicon layer comprises: providing a polycrystalline silicon layer (220) formed by a crystallization method using a crystallization-inducing metal, the polycrystalline silicon layer (220) having a first predetermined region corresponding to a channel region in a TFT and a second predetermined region (220a); providing a metal layer pattern or metal silicide layer pattern (230) in contact with the polycrystalline silicon layer (220) in the second predetermined region (220a) of the polycrystalline silicon layer (220); and performing annealing to getter the crystallization-inducing metal existing in the first predetermined region to the second predetermined region (220a). Accordingly, the crystallization-inducing metal existing in the channel region of the polycrystalline silicon layer can be effectively removed, and thus a thin film transistor having an improved leakage current characteristic and an OLED display device including the same can be fabricated.

    Abstract translation: 一种制造多晶硅层的方法包括：提供通过使用结晶诱导金属的结晶方法形成的多晶硅层（220），所述多晶硅层（220）具有对应于TFT中的沟道区的第一预定区域 和第二预定区域（220a）; 提供与所述多晶硅层（220）的所述第二预定区域（220a）中的所述多晶硅层（220）接触的金属层图案或金属硅化物层图案（230）; 以及执行退火以将存在于第一预定区域中的结晶诱导金属吸收到第二预定区域（220a）。 因此，可以有效地去除存在于多晶硅层的沟道区中的结晶诱导金属，从而可以制造具有改善的泄漏电流特性的薄膜晶体管和包括该结晶诱导金属的OLED显示装置。

    실리콘층의 결정화 방법 및 상기 결정화 방법을 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법
    16.
    发明公开
    실리콘층의 결정화 방법 및 상기 결정화 방법을 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법 失效
    硅层的结晶方法及其使用薄膜晶体管的形成方法

    公开(公告)号：KR1020110132808A

    公开(公告)日：2011-12-09

    申请号：KR1020100052353

    申请日：2010-06-03

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1214

    Abstract: PURPOSE: A method for crystallization of a silicon layer and a method for forming a thin film transistor using the method for crystallization are provided to steadily form catalyst metal of a trace amount by changing the surface of an amorphous silicon layer into hydrophobic. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is formed on substrate(S110). The surface of the amorphous silicon is executed a hydrophobic treatment. A catalyst metal is formed on the amorphous silicon layer(S130). The amorphous silicon layer which forms the catalyst metal is crystallized to a polycrystalline silicon layer by a thermal process(S140). The hydrophobic treatment is processed using solution which contains hydrogen or fluorine. A gate insulating layer is formed on the polycrystalline silicon layer and a gate electrode is formed on the gate insulating layer. A source/drain domain is formed in both sides of the gate electrode. An inter layer insulating layer is formed on the gate insulating layer and the gate electrode. A source/drain electrode touches with the source/drain domain by passing through the inter layer insulating layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种硅层的结晶方法和使用该结晶方法形成薄膜晶体管的方法，通过将非晶硅层的表面改为疏水性，稳定地形成微量的催化剂金属。 构成：在基板上形成非晶硅层（S110）。 非晶硅的表面进行疏水处理。 在非晶硅层上形成催化剂金属（S130）。 形成催化剂金属的非晶硅层通过热处理结晶成多晶硅层（S140）。 使用含有氢或氟的溶液处理疏水处理。 在多晶硅层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成栅电极。 源极/漏极区域形成在栅电极的两侧。 在栅极绝缘层和栅电极上形成层间绝缘层。 源极/漏极通过穿过层间绝缘层与源极/漏极区域接触。

    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치
    19.
    发明授权
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 失效
    一种薄膜晶体管，其制造方法，以及包含该材料的有机发光显示装置

    公开(公告)号：KR101049799B1

    公开(公告)日：2011-07-15

    申请号：KR1020090018199

    申请日：2009-03-03

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이길원 ,  리사첸코,막심 ,  정재완

    IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

    Abstract: 박막트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 실리콘막, 확산층, 비정질 실리콘층, 캡핑층, 및 금속 촉매층을 차례로 형성하는 단계와, 기판을 열처리하여 금속 촉매층의 금속 촉매를 캡핑층을 통해 비정질 실리콘층으로 확산시키고, 확산층을 통해 실리콘막으로 확산시켜 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 형성하는 단계와, 금속 촉매층과 캡핑층을 제거하는 단계와, 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계와, 게이트 절연막에 의해 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 및 층간 절연막에 의해 반도체층과 분리되며 일부가 반도체층에 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    금속촉매 결정화법, 게터링

    Abstract translation: 一种制造薄膜晶体管，硅膜，扩散层，非晶硅层，覆盖层，并通过覆盖层在基板上的金属催化剂层的金属催化剂加热所述基片上形成金属催化剂层，然后将非晶硅层的方法 和扩散的工序和，通过扩散层通过图案化和除去工序扩散到硅膜，和金属催化剂层和覆盖层，以形成无定形硅层为多晶硅层，多晶硅层，以形成半导体层，栅 通过由栅极电极的层间绝缘膜的绝缘膜，并以从与半导体层分离所述半导体层，以及部分地形成连接到半导体层的源极/漏极电极的步骤中被绝缘。

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