公开(公告)号：KR101041147B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020100031962

申请日：2010-04-07

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor including a multi crystal semiconductor layer, a method for manufacturing an active layer of the thin film transistor and a display device are provided to prevent the deterioration of a semiconductor property due to the concentration difference of metal catalyst by forming first and second multi crystal semiconductor layers with a third width by using the diffusion of the metal catalyst. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(111). A first polycrystalline semiconductor layer(136) is formed on the buffer layer. A metal catalyst(125) is adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer. A second polycrystalline semiconductor layer(137) is formed on the first polycrystalline semiconductor layer. The first and second polycrystalline semiconductor layers are crystallized through metal catalyst.

Abstract translation: 目的：提供一种包括多晶半导体层的薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的有源层的方法和显示装置，以防止由于金属催化剂的浓度差而导致的半导体特性劣化 以及通过使用金属催化剂的扩散而具有第三宽度的第二多晶半导体层。 构成：在衬底（111）上形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成第一多晶半导体层（136）。 金属催化剂（125）与第一多晶半导体层相邻。 在第一多晶半导体层上形成第二多晶半导体层（137）。 第一和第二多晶半导体层通过金属催化剂结晶。

公开(公告)号：KR101041143B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단

公开(公告)号：KR1020110019965A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020090077605

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  정재완 ,  소병수 ,  백원봉 ,  마이단축이반

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B01D8/00 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  Y02C20/30

Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.

Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。

公开(公告)号：KR101002661B1

公开(公告)日：2010-12-20

申请号：KR1020080079003

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: F27D11/12 ,  F27B9/20 ,  F27B9/36 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6776

Abstract: 본 발명은 인라인 열처리 설비를 제공한다. 상기 인라인 열처리 설비는 기판의 이송 경로를 형성하며, 상기 이송 경로를 따라 이송되는 기판을 기설정되는 결정화 온도값으로 가열하는 다수개의 가열 장치들과, 상기 가열 장치들 사이의 이송 경로에 위치되는 기판을 기설정되는 순간 열처리 온도값으로 가열하는 순간 고온 열처리부를 구비한다. 또한, 본 발명은 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법도 제공함으로써, 기판을 700도씨 이상의 고온 및 다양한 온도설계를 통한 고효율 열처리를 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。

公开(公告)号：KR1020100099917A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.

Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。

公开(公告)号：KR101094279B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090107175

申请日：2009-11-06

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명은 다수의 기판을 동시에 가공하기 위한 기판 가공 장치에 있어서, 상기 다수의 기판이 가공되는 가공 챔버를 가열하기 위한 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것으로, 빠른 시간 내에 냉각되어 가공 챔버의 냉각에 소요되는 시간을 감소시킬 수 있는 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체; 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터; 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부; 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프; 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 가열 수단에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 다수의 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 가공 챔버; 상기 보트를 상기 가공 챔버의 내부로 반입 및 반출시키기 위한 이송부; 및 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 가열 수단을 포함하며, 상기 가열 수단은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체, 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터, 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부, 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 가열 수단

公开(公告)号：KR1020110132808A

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：KR1020100052353

申请日：2010-06-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A method for crystallization of a silicon layer and a method for forming a thin film transistor using the method for crystallization are provided to steadily form catalyst metal of a trace amount by changing the surface of an amorphous silicon layer into hydrophobic. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is formed on substrate(S110). The surface of the amorphous silicon is executed a hydrophobic treatment. A catalyst metal is formed on the amorphous silicon layer(S130). The amorphous silicon layer which forms the catalyst metal is crystallized to a polycrystalline silicon layer by a thermal process(S140). The hydrophobic treatment is processed using solution which contains hydrogen or fluorine. A gate insulating layer is formed on the polycrystalline silicon layer and a gate electrode is formed on the gate insulating layer. A source/drain domain is formed in both sides of the gate electrode. An inter layer insulating layer is formed on the gate insulating layer and the gate electrode. A source/drain electrode touches with the source/drain domain by passing through the inter layer insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种硅层的结晶方法和使用该结晶方法形成薄膜晶体管的方法，通过将非晶硅层的表面改为疏水性，稳定地形成微量的催化剂金属。 构成：在基板上形成非晶硅层（S110）。 非晶硅的表面进行疏水处理。 在非晶硅层上形成催化剂金属（S130）。 形成催化剂金属的非晶硅层通过热处理结晶成多晶硅层（S140）。 使用含有氢或氟的溶液处理疏水处理。 在多晶硅层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成栅电极。 源极/漏极区域形成在栅电极的两侧。 在栅极绝缘层和栅电极上形成层间绝缘层。 源极/漏极通过穿过层间绝缘层与源极/漏极区域接触。

公开(公告)号：KR101084275B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020090089698

申请日：2009-09-22

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: F17D1/02 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/0318

Abstract: 본 발명은 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 일정한 소스 가스를 증착 챔버로 공급함으로써 균일한 막을 증착할 수 있는 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛을 제공한다.
캐리어 가스, 소스 가스, 증착 챔버, 측정 수단, 온도 제어부, 가열

公开(公告)号：KR101073557B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: 본발명은제 1 영역및 제 2 영역을포함하는공정챔버; 상기공정챔버의내측에위치하는금속타겟; 상기금속타겟을이동시키며, 상기금속타겟으로부터방출되는금속촉매의진행방향을제어하기위한제 1 쉴드를포함하는타겟이송부; 및상기제 2 영역에상기금속타겟과대향되도록위치하는기판홀더를포함하며, 상기기판홀더에안착되는기판과금속타겟사이의직선거리와상기제 1 쉴드의길이의차이는 3cm 이하인것을특징으로하는스퍼터링장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种处理室，包括：包括第一区域和第二区域的处理室; 位于处理室内的金属靶; 以及第一护罩，用于移动金属靶并控制从金属靶发射的金属催化剂的行进方向; 并且，在所述第二区域中与所述金属靶相对配置的基板支架的基板与配置在所述基板支架上的金属靶的直线距离与所述第一屏蔽件的长度之差为3cm以下 对溅射装置。