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    기판 열처리 장치
    11.
    发明公开
    기판 열처리 장치 有权
    基板热处理装置

    公开(公告)号：KR1020110046955A

    公开(公告)日：2011-05-06

    申请号：KR1020090103683

    申请日：2009-10-29

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

    Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.

    Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。

    기판 가공 장치
    13.
    发明公开
    기판 가공 장치 有权
    加工物质的装置

    公开(公告)号：KR1020100114717A

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：KR1020090033235

    申请日：2009-04-16

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/67109

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.

    Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。

    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치
    15.
    发明公开
    박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 有权
    薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法和包含其的有机发光二极管显示装置

    公开(公告)号：KR1020100078861A

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：KR1020080137240

    申请日：2008-12-30

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  이길원 ,  이동현 ,  안지수 ,  이기용 ,  정윤모 ,  리사첸코,막심

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

    CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

    Abstract: PURPOSE: A thin layer transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electronic light emitting display device for including the same are provided to reduce contact resistance by arranging the patterned second metallic catalyst crystallization area between the first metallic catalyst crystallization area and source/drain electrode. CONSTITUTION: A semiconductor layer is formed on a substrate(100). The semiconductor layer is composed of a first metallic catalyst crystallization area(160), source/drain areas(190a,190b) including the second metallic catalyst crystallization area(170). A gate electrode(120) is opposite to the channel area of the semiconductor layer. A gate insulating layer is interposed between the semiconductor layer and gate electrode. The source/drain electrode is electrically connected through the contact layer to the source/drain area.

    Abstract translation: 目的：提供一种薄层晶体管及其制造方法以及包含该薄膜晶体管的有机电子发光显示装置，以通过将图案化的第二金属催化剂结晶区域设置在第一金属催化剂结晶区域和源极/漏极之间来降低接触电阻 电极。 构成：半导体层形成在基板（100）上。 半导体层由第一金属催化剂结晶区域（160），包括第二金属催化剂结晶区域（170）的源极/漏极区域（190a，190b）组成。 栅电极（120）与半导体层的沟道区相对。 栅极绝缘层插入在半导体层和栅电极之间。 源极/漏极电极通过接触层电连接到源极/漏极区域。

    원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법
    16.
    发明授权
    원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 有权
    原子层沉积装置及使用原子层的原子层的制造方法

    公开(公告)号：KR101155905B1

    公开(公告)日：2012-07-03

    申请号：KR1020090018490

    申请日：2009-03-04

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

    IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

    Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
    또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
    원자층 증착 장비, 마스크 조립체

    박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 액티브층의 제조 방법 및 표시 장치
    19.
    发明授权
    박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 액티브층의 제조 방법 및 표시 장치 有权
    薄膜晶体管，薄膜晶体管和显示器件的主动层的制造方法

    公开(公告)号：KR101041147B1

    公开(公告)日：2011-06-13

    申请号：KR1020100031962

    申请日：2010-04-07

    Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

    Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor including a multi crystal semiconductor layer, a method for manufacturing an active layer of the thin film transistor and a display device are provided to prevent the deterioration of a semiconductor property due to the concentration difference of metal catalyst by forming first and second multi crystal semiconductor layers with a third width by using the diffusion of the metal catalyst. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(111). A first polycrystalline semiconductor layer(136) is formed on the buffer layer. A metal catalyst(125) is adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer. A second polycrystalline semiconductor layer(137) is formed on the first polycrystalline semiconductor layer. The first and second polycrystalline semiconductor layers are crystallized through metal catalyst.

    Abstract translation: 目的：提供一种包括多晶半导体层的薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的有源层的方法和显示装置，以防止由于金属催化剂的浓度差而导致的半导体特性劣化 以及通过使用金属催化剂的扩散而具有第三宽度的第二多晶半导体层。 构成：在衬底（111）上形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成第一多晶半导体层（136）。 金属催化剂（125）与第一多晶半导体层相邻。 在第一多晶半导体层上形成第二多晶半导体层（137）。 第一和第二多晶半导体层通过金属催化剂结晶。

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