-
公开(公告)号：KR100274149B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019970071609
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for patterning a metal layer is provided to form a metal layer of a uniform width by forming and patterning an anti-reflective layer on the metal layer. CONSTITUTION: A metal layer(4) is formed on a semiconductor substrate(5). The metal layer(4) is formed by one of TiW, Al, W, W-Si, Cr, and Ml. An anti-reflective oxide layer(6) and an anti-reflective metal layer(7) are formed sequentially on the metal layer(4). A photoresist(2) is applied on the anti-reflective metal layer(7). A photolithography process is performed. The anti-reflective oxide layer(6) has a thickness of 850 to 1050 angstroms. The anti-reflective oxide layer(7) has a thickness of 20 to 220 angstroms.
Abstract translation: 目的：提供图形化金属层的方法，以通过在金属层上形成和图案化抗反射层来形成均匀宽度的金属层。 构成：在半导体衬底（5）上形成金属层（4）。 金属层（4）由TiW，Al，W，W-Si，Cr和M1中的一种形成。 在金属层（4）上依次形成抗反射氧化物层（6）和抗反射金属层（7）。 在抗反射金属层（7）上施加光致抗蚀剂（2）。 进行光刻处理。 抗反射氧化物层（6）的厚度为850〜1050。 抗反射氧化物层（7）的厚度为20至220埃。
-
公开(公告)号：KR100249789B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970071611
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제작의 핵심을 이루는 스텝퍼나 스캐너와 같은 노광장비에 있어서, 실제 노광 작업을 위해 반도체 회로 패턴을 담고있는 레티클을 카세트 혹은 카트릿지로 부터 레티클 척으로 반입하였을 때, 레티클이 웨이퍼나 광학계의 상대적인 적정 위치에 올 수 있도록 레티클을 수평방향으로 정렬할 뿐만 아니라 광축 방향으로 수직 정렬을 동시에 가능케 하는 레티클 정렬 장치에 관한 것으로, 이와같은 본 발명은 정전용량 센서를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 정밀도를 얻을 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020000001435A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980021700
申请日：1998-06-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A refraction optical system is capable of easily producing a needed wavelength by use of a polarization effect removing panel without affecting a pattern formation instead of 1/4 wavelength panel or 1/2 wavelength panel. CONSTITUTION: The refraction optical system comprises: a reticle(1) having a pattern to be illuminated; a first lens(2) for correcting a difference between rays of light through the reticle; a first rectangular prism(5) for receiving the corrected ray of light by the first lens; a dielectric multi thin film layer(6) for refracting a S-waveform and passing a P-waveform, wherein the dielectric multi thin film layer is comprised of a high refraction material and a low refraction material deposited in turn; a 1/4 wavelength panel(4) for receiving the S-waveform refracted by the dielectric multi thin film layer, producing a phase difference between a normal ray of light and an abnormal ray of light, and changing the S-waveform to a circular polarized light, wherein the 1/4 wavelength panel produces a phase difference between a normal ray of light of the polarized light and an abnormal ray of light thereof, and then changes the polarized light to the P-waveform; a reflector(3) for refracting the polarized light through the 1/4 wavelength panel to re-receiving the light thus refracted to the 1/4 wavelength panel; a second rectangular prism(7) for receiving the P-waveform to the first rectangular prism and the dielectric multi thin film layer; a second lens(8) for receiving the P-waveform through the second rectangular prism; and a polarization effect removing panel(9) for making the polarization of light through the second lens irregular, and for illuminating the light to the wafer.
Abstract translation: 目的：折射光学系统能够通过使用偏振效果去除面板而容易地产生所需的波长，而不影响图案形成而不是1/4波长面板或1/2波长面板。 构成：折射光学系统包括：具有待照明图案的掩模版（1）; 用于校正通过所述掩模版的光线之间的差异的第一透镜（2） 第一矩形棱镜（5），用于通过第一透镜接收经校正的光线; 用于折射S波形并通过P波形的电介质多层薄膜层（6），其中介电多层薄膜层依次沉积高折射材料和低折射材料; 用于接收由电介质多层薄膜层折射的S波形的1/4波长面板（4），产生正常光线和异常光线之间的相位差，并将S波形改变为圆形 偏振光，其中1/4波长面板产生偏振光的正常光线和其异常光线之间的相位差，然后将偏振光改变为P波形; 反射器（3），用于折射通过1/4波长面板的偏振光，以重新接收由此折射到1/4波长面板的光; 用于将P波形接收到第一矩形棱镜和电介质多薄膜层的第二矩形棱镜（7）; 用于通过第二矩形棱镜接收P波形的第二透镜（8）; 以及用于使通过第二透镜的光的偏振不均匀并用于将光照射到晶片的偏振效应去除面板（9）。
-
公开(公告)号：KR100227789B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960065733
申请日：1996-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R31/28
Abstract: 메모리 테스트는 고가의 테스트 장비를 이용하여 수십 종류의 고장 모델 점검 및 진단을 목표로 하는 방법과 사용중 발생하는 간헐오류 등을 실시간으로 점검하기 위한 빌트-인 셀프 테스트(Built-In Self Test) 기술로 구분할 수 있다. 테스트 장비에서 결정적인(deterministic) 테스트 패턴 생성에 의한 방법은 목표한 몇 가지 고장만을 점검할 수 있을 뿐 지연 고장등을 실속도로 점검하는 데에 어려움이 있다.
따라서, 본 발명에서는 기존의 논리회로용 테스트를 위하여 널리 사용되는 가중 랜덤 패턴 생성기(WRPG : Weighted Random Pattern Generator)를 개선하여 신호지연을 포함한 다양한 종류의 고장을 실속도로 단시간에 점검할 수 있는 메모리 테스트 패턴 생성기에 관해 개시된다.-
公开(公告)号：KR100223023B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960034589
申请日：1996-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/22 , G03F7/707 , G03F7/70866 , G21K5/08
Abstract: 본 발명은 마스크(mask) 패턴(pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer)할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것이다.
즉, 마스크 기판(mask substrate)과 지지 링(support ring)과의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion) 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 근본적으로 제거하고, 외부의 기계적 스트레스(mechanical stress)에 대한 지지링의 저항(resistance) 능력을 향상시키기 위해 지지링의 이면(the other side)에 마스크 기판과 동일한 재료로 구성되고, 마스크 기판과 동일한 공정 과정을 거친 변형 방지용 보조기판(supporting substrate to protect distortion)을 추가로 부착하여 구성한 X-선 마스크에 관한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990055421A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970075365
申请日：1997-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 하는 스탭 및 스캔(step & scan) 노광장비에 관한 것으로서, 특히 1차원형 반도체 위치 검출소자를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 위치 정밀도를 얻을 수 있는 위치 검출 소자를 이용한 레티클 정렬 장치 및 레티클 정렬 방법에 관한 것이다.
본 발명은 실제 노광 작업을 위해 반도체 회로 패턴을 담고있는 레티클을 카세트나 카트릿지로 부터 레티클 척으로 반입할 때 레티클이 웨이퍼나 광학계의 상대적인 적정 위치에 올 수 있도록 레티클을 직접 정렬하는 레티클 정렬 장치에 관한 내용으로서 1차원형 반도체 위치 검출소자를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 정밀도를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019990052177A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071626
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/203 , B82Y10/00
Abstract: 현재, 반도체 제조에 활용되고 있는 소오스, 드레인 및 단순 게이트 구조의 반도체 소자는 설계규칙 0.07㎛ 정도에서 기술적 한계에 부딪칠 것으로 예측되고 있어, 테라(tera)급 이상의 반도체 소자를 위한 신기술 개발이 절실히 요구되고 있다. 최근 게이트 산화막과 게이트 전극사이에 양자점을 삽입시킴으로서 몇 개의 전자로도 반도체 소자의 작동을 가능하게 하며, 극단적으로 1개의 전자로도 소자를 작동시킬 수 있는 가능성이 확인된 후 이 분야에 대한 관심이 크게 고조되고 있다. 상기의 양자점을 이용한 나노소자 제작을 위해서는 단결정급 결정특성을 갖는 양자점 형성을 가능하게 할 수 있는 기술과 미세하고 균일한 양자점을 규칙적인 간격으로 형성 가능하게 할 수 있는 기술이 중요하다.
본 발명은 차세대 나노소자 제조를 위한 실리콘 양자점(quantum dot) 형성 방법에 관한 것으로, Si PPT 기법에 의해 실리콘 단결정 수준의 결정특성을 갖도록 하면서 미세하고 균일한 실리콘 양자점을 규칙적인 간격으로 형성할 수 있는 기술을 제공하고자 한다. 또한 상기의 실리콘 양자점 형성방법을 이용하여 반도체 나노소자를 제작하는 방법도 제시하고자 한다.-
公开(公告)号：KR1019990052162A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071611
申请日：1997-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제작의 핵심을 이루는 스텝퍼나 스캐너와 같은 노광장비에 있어서, 실제 노광 작업을 위해 반도체 회로 패턴을 담고있는 레티클을 카세트 혹은 카트릿지로 부터 레티클 척으로 반입하였을 때, 레티클이 웨이퍼나 광학계의 상대적인 적정 위치에 올 수 있도록 레티클을 수평방향으로 정렬할 뿐만 아니라 광축 방향으로 수직 정렬을 동시에 가능케 하는 레티클 정렬 장치에 관한 것으로, 이와같은 본 발명은 정전용량 센서를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 정밀도를 얻을 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019990051070A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070309
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/50
Abstract: 본 발명은, 다중 칩 모듈 MCM-D 패키지 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래에는 다중칩모듈의 크기가 일정하지 않고 적용할 시스템에 따라 실장되는 베어 칩과 수동소자의 수에 따라 달라지기 때문에 표준화된 패키지가 없었다. 따라서, 본 발명은 MCM-D 기판 크기에 맞추어 제작된 세라믹 기판에 관통홀(through hole)을 뚫고 전도체 물질을 스크린하며, 세라믹기판 밑면에 상기 관통홀의 전도체 단부에 범프를 리드로서 형성하고, 베어 칩 및 수동소자가 실장된 MCM-D 기판을 세라믹기판 위에 장착시키고 본딩하여 어셈블리화 하며, 상기 MCM-D 기판을 엔캡술레이션 하여 패키지를 만들도록 한다. 이에 따라 본 발명에서는 MCM-D 모듈제작시 MCM-D기판을 세라믹기판 위에 장착하고 세라믹기판을 패키지 재료로 사용함으로써 기판크기에 영향을 받지않고 패키지할 수 있는 패키지 구조 및 그 방법을 제시한다.
-
公开(公告)号：KR1019990047099A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065335
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 노광 장비용 프로그래머블 마스크에 관한 것으로, 특히 전기적 신호에 의하여 광 개폐가 이루어지는 미세 소자가 마스크 상에 하나의 화소를 이루는 형태로 집적된 패턴 노광용 마스크에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 미세회로 인쇄는 자외선 등을 노광 광원으로 이용하여 회로 패턴이 새겨진 인쇄회로 원판, 즉 마스크의 패턴을 축소시켜 투사하는 방식의 노광 인쇄장비를 주로 사용하고 있다. 그러나 이러한 방법에서는 십 여장 이상의 마스크가 필요하게 되며, 소자의 제작 종류가 많을 경우 이에 따른 노광용 마스크의 제작 기간 및 비용 소요가 큰 부담이 되고 있다.
본 발명에서는 미소 광 개폐 소자가 집적된 프로그래머블 마스크 상에서 직접 설계된 회로의 패턴을 구현시키고 이 패턴을 웨이퍼 등의 기판에 투사시켜 인쇄하는 방법을 제시한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
215
records
(took 0.023 seconds)
