公开(公告)号：DE102014115072B4

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE102014115072

申请日：2014-10-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  MILLONIG HANS

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (10), welches ein Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Seite (15) und eine Randregion (12) umfasst, wobei das Verfahren umfasst:- das Ausbilden eines Emitters (5) auf der ersten Seite (15) des Halbleitersubstrats (1) durch die Dotierung mit einem Dotanden, worin die Dotandenkonzentration im Emitter (5) höher als in der Randregion (12) ist;- das Züchten einer Oxidschicht (14) auf der ersten Seite (15) zumindest teilweise durch Tempern, worin die Oxidschicht eine erste Dicke in einer ersten Region (20) aufweist, welche den Emitter (5) bedeckt, und worin die Oxidschicht (14) eine zweite Dicke in einer zweiten Region (25) aufweist, welche die Randregion (12) bedeckt; und worin die erste Dicke größer als die zweite Dicke ist;- das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer ersten Energie durch die erste Seite (15);- das Implantieren von Schwermetallionen (40) mit einer zweiten Energie durch die erste Seite (15), worin die erste Energie und die zweite Energie unterschiedlich gewählt sind, sodass die implantierte Schwermetallkonzentration aufgrund einer Absorption eines Teils der Schwermetallionen (40) mit der geringeren Energie in der ersten Region (20) der Oxidschicht, welche den Emitter (5) bedeckt, in der Randregion (12) höher als im Emitter (5) ist, was in der Randregion (12) zu einer niedrigeren Ladungsträgerlebensdauer als im Emitter (5) führt.

公开(公告)号：DE102018132237A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132237

申请日：2018-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..

公开(公告)号：DE102018110240A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018110240

申请日：2018-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  LEITL BERNHARD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SCHMIDT GERHARD ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  KOPROWSKI ANGELIKA

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat.

公开(公告)号：DE102016104788A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016104788

申请日：2016-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  ROTH ROMAN ,  SCHULZE HOLGER ,  HILLE FRANK ,  LASKA THOMAS ,  UMBACH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  MÜLLER MATTHIAS ,  FUGGER MICHAEL ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallstruktur, die elektrisch mit einem Halbleiterkörper verbunden ist. Eine Metalladhäsions- und Barrierestruktur ist zwischen der Metallstruktur und dem Halbleiterkörper. Die Metalladhäsions- und Barrierestruktur umfasst eine Schicht, die Titan und Wolfram aufweist, und eine Schicht, die Titan, Wolfram und Stickstoff aufweist, auf der Schicht, die Titan und Wolfram aufweist.

公开(公告)号：DE102014115174A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014115174

申请日：2014-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L21/765 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Seite (101), einer der ersten Seite (101) gegenüberliegenden zweiten Seite (102), einem aktiven Bereich (103), einem Außenrand (119) und einem Randabschlussbereich (104), der zwischen dem Außenrand (119) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet ist, auf. Eine Metallisierungsstruktur (131, 132) ist auf der ersten Seite (101) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet und umfasst wenigstens eine erste Metallschicht (131) aus einem ersten metallischen Material und eine zweite Metallschicht (132) aus einem zweiten metallischen Material, wobei das erste metallische Material elektrochemisch stabiler ist als das zweite metallische Material. Die erste Metallschicht (131) erstreckt sich lateral weiter zum Außenrand (119) als die zweite Metallschicht (132).