公开(公告)号：DE19947020A1

公开(公告)日：2001-04-19

申请号：DE19947020

申请日：1999-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  WEBER HANS ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

Abstract: Charge balancing is achieved in a compensation component by creating compensation regions having different thickness. In this manner, the ripple of the electric field can be chosen to have approximately the same magnitude in all of the compensation regions.

公开(公告)号：DE102016112490B4

公开(公告)日：2022-05-25

申请号：DE102016112490

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200), umfassend:eine Anodendotierungsregion (101) einer Diodenstruktur, die in einem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei die Anodendotierungsregion (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103), die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) an einer Oberfläche (104) des Halbleitersubstrats (102) angeordnet ist und in dem Halbleitersubstrat (102) von der Anodendotierungsregion (101) umgeben ist,wobei die Anodendotierungsregion (101) einen vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitt (105) vom ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei zumindest ein Teil des vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitts (105) unter der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) in dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei der vergrabene, nicht verarmbare Abschnitt (105) vollständig von Halbleitermaterial des Halbleitersubstrats (102) umgeben ist; undeine Driftregion (211) der Diodenstruktur angeordnet zwischen der Anodendotierungsregion (101) und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (102), wobei die Driftregion (211) den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und wobei zumindest ein Abschnitt der Anodendotierungsregion (101) zwischen der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) und der Driftregion (211) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE10250575B4

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：DE10250575

申请日：2002-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HUESKEN HOLGER ,  GRIEBL ERICH

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/861

Abstract: At least one emitter-short region (39) is only integrated in the region of a high-voltage edge (31). The IGBT has at least one emitter region (35), which has no emitter-short regions within the high-voltage edge. The complimentary electrode of an antiparallel diode is formed by a semiconductor well (33) on the front side. An Independent claim is included for an IGBT with a monolithically integrated antiparallel diode.

公开(公告)号：DE10325748B4

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：DE10325748

申请日：2003-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  TIHANYI JENOE ,  DEBOY GERALD ,  ZVEREV ILIA ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

公开(公告)号：DE10325748A1

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：DE10325748

申请日：2003-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLMEROTH ARMIN ,  TIHANYI JENOE ,  DEBOY GERALD ,  ZVEREV ILIA ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/808

Abstract: Junction field effect transistor comprises p+> -conducting regions (4, 6) lying next to a control electrode (G) and extending together with and parallel to a drift zone (3) between electrodes in a semiconductor body (1).

公开(公告)号：DE10130158A1

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：DE10130158

申请日：2001-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE ,  SCHMITT MARKUS

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Semiconductor body has drift zone between two electrodes with regions of two different conductor types. The drift zone is complementary so that in a region closer to the first electrode, higher doped zones of e.g. the first type are arranged in a weaker doped zone of the second type and vice versa for the other electrode. The device consists of a semiconducting body with a drift zone (2) between first and second electrodes (8,9) and containing regions of first and second conductor types. The drift zone is complementary so that in a region (15) closer to the first electrode, higher doped zones (11) of e.g. the first type are arranged in a weaker doped zone (12) of the second type and a region (16) nearer the second electrode higher doped zones (13) of the second type are arranged in a weaker doped zone (14) of the first type. AN Independent claim is also included for the following: a method of manufacturing a compensation component.

公开(公告)号：DE10122361A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：DE10122361

申请日：2001-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  DEBOY GERALD ,  AHLERS DIRK ,  AUERBACH FRANZ ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/36

Abstract: Semiconductor element comprises a semiconductor layer (5) of first conductivity embedded in semiconductor body (1). The semiconductor layer has a partial dopant (16) of first conductivity which is incompletely ionized at room temperature and has a degree of ionization which increases with increasing temperature. Preferred Features: The dopant is arranged in a first region (15) of a body zone, in which the first region is arranged at a distance from a channel zone (10). The dopant is uniformly distributed within the semiconductor layer and/or in the body zone.

公开(公告)号：DE10017922A1

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：DE10017922

申请日：2000-04-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUPP ROLAND ,  GRIEBL ERICH ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/861

Abstract: The PN-diode has a semiconductor body (11) with a low doping concentration provided with a dished semiconductor zone (12) of opposite conductivity type, in which a second dished semiconductor zone (19) of the first conductivity type is embedded. The anode of the PN-diode is provided with a transistor having a channel region of the second conductivity type, which is controlled by a current above the blocking current level of the diode, with an emitter short-circuit between the second semiconductor zone and a further semiconductor zone (21) of the second conductivity type incorporated in the latter.

公开(公告)号：DE102004052643B4

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  WAHL UWE DR -ING ,  MEYER THORSTEN DR ,  RÜB MICHAEL DR ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kanalgebiets (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200), gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: – Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, – Definieren eines Trenchinnenwandbereichs, dessen Begrenzungslinien innerhalb des Trenchs im Wesentlichen vertikal verlaufen, indem entsprechende Masken (17) oder Abschattungseinrichtungen ausgebildet oder bereitgestellt werden, und – selektives Beaufschlagen des Trenchinnenwandbereichs mit Dotierstoffen durch Ausführen abgeschatteter bzw. maskierter Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse, derart, dass in einem an den Trenchinnenwandbereich angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers ein Sourcegebiet (3) und ein Bodygebiet (4) ausgebildet werden, deren relative Lage zueinander das Kanalgebiet definiert.

公开(公告)号：DE50115778D1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：DE50115778

申请日：2001-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS DR ,  AHLERS DIRK DR ,  STENGL JENS-PEER ,  DEBOY GERALD DR ,  RUEB MICHAEL DR ,  MARION MIGUEL CUADRON ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78