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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008056371A1

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：DE102008056371

    申请日：2008-11-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  GROLIER VINCENT ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  STRASBURG MARTIN

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34

    Abstract: An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer sequence having at least one doped functional layer having at least one dopant and at least one codopant, wherein the semiconductor layer sequence includes a semiconductor material having a lattice structure, one selected from the dopant and the codopant is an electron acceptor and the other an electron donor, the codopant is bonded to the semiconductor material and/or arranged at interstitial sites, and the codopant at least partly forms no bonding complexes with the dopant.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    12.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE112015002763B4

    公开(公告)日：2023-01-19

    申请号：DE112015002763

    申请日：2015-06-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LANGE STEFAN ,  STÖPPELKAMP VERA ,  JERMANN FRANK ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  WIRTH RALPH

    IPC: H01L33/50 ,  F21V9/40 ,  H01L33/52

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, und- mindestens einem Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung, wobei- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden sind,- der Filterstoff (4) für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässig ist,- der Filterstoff (4) spektral schmalbandig absorbiert im Wellenlängenbereich oberhalb von mindestens 530 nm mit einer spektralen Halbwertbreite von höchstens 20 nm,- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) statistisch miteinander durchmischt vorliegen, sodass keine Phasentrennung zwischen dem Leuchtstoff (3) und dem Filterstoff (4) gegeben ist und der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) jeweils homogen verteilt vorliegen, und- durch den Filterstoff (4) ein Farbwiedergabeindex und ein Farbkontrastindex einer von dem Halbleiterbauteil (1) emittierten Mischstrahlung, die aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung besteht, erhöht sind.

    Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden in Bildpunkten einer Anzeigevorrichtung und Anzeigevorrichtung
    14.
    发明专利
    Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden in Bildpunkten einer Anzeigevorrichtung und Anzeigevorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016113061A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016113061

    申请日：2016-07-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  KREUTER PHILIPP ,  KLEMP CHRISTOPH ,  EBBECKE JENS ,  PIETZONKA INES ,  SUNDGREN PETRUS

    IPC: G05D25/02

    Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden (21, 22, 23) in Bildpunkten (2) einer Anzeigerichtung (1) vorgesehen. Dabei weist die Anzeigevorrichtung (1) viele Bildpunkte (2) auf, die je zur einstellbaren Abstrahlung von Mischlicht eingerichtet sind. Die Bildpunkte (2) umfassen je mehrere Leuchtdioden (21, 22, 23) und diese Leuchtdioden (21, 22, 23) emittieren im Betrieb verschiedenfarbig, sodass das Mischlicht zusammengesetzt wird. Zumindest einige der Bildpunkte (2) umfassen je mindestens eine Leuchtdiode (21, 22, 23), die wenigstens zeitweise als Fotodetektor betrieben wird und eine Helligkeit misst. Durch die gemessene Helligkeit wird je ein Emissionsvermögen der betreffenden Leuchtdiode (21, 22, 23) und/oder des betreffenden Bildpunkts (2) ermittelt. Die Leuchtdioden (21, 22, 23) der Bildpunkte (2) werden gemäß der jeweils ermittelten Emissionsvermögen angesteuert, sodass eine Alterung der Leuchtdioden (21, 22, 23) kompensiert wird.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    15.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102015108345A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：DE102015108345

    申请日：2015-05-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BECKER DIRK ,  BARCHMANN BERND ,  HOXHOLD BJÖRN ,  SCHLOSSER PHILIPP ,  WALDSCHIK ANDREAS

    IPC: H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 µm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).

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