-
公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020150073645A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161605
申请日：2013-12-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B29C67/00
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위한압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계를포함하여구성되는것을특징으로하는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체의형성방법을기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不对称金属或金属氧化物纳米结构体的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在基板或薄膜上形成压印层的第一工序; 用于在压印层上定位可变压印印模的第二步骤，以适于转换可变印记印模图案的压力和方向按压可变印记印模，并在其上进行固化处理以形成不对称图案层; 用于去除所述不对称图案层的残留膜以暴露所述衬底或所述薄膜的一部分的第三步骤; 第四步，用于在基板或薄膜的暴露部分上去除金属或金属氧化物; 以及用于去除所述不对称图案层以在所述基板或所述薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。 因此，可以制造大面积不对称金属或金属氧化物纳米结构。 此外，可以根据可变印记印模的压力或方向来调整图案的不对称程度，由此本发明可以用于各种领域。
-
公开(公告)号：KR101528558B1
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020140030449
申请日：2014-03-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61B5/0484 , A61B5/0478
Abstract: 본발명은마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침의제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판상의일부영역에마이크로칩을형성하는제2단계와, 상기기판상에형성하며, 상기마이크로칩과전기적으로연결된금속배선전극을형성하는제3단계와, 상기마이크로칩과, 상기기판상의전 영역및 상기금속배선전극을감싸도록절연막을형성하는제4단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하는제5단계와, 상기기판의두께를낮추기위해폴리싱또는에칭하는제6단계와, 상기기판상에서탐침모양의패턴을분리하는제7단계를포함하여이루어진것을특징으로하는마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로칩이모놀리식으로집적된탐침을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기판상에마이크로칩을모놀리식집적화하여탐침을기판화하여제작함으로써탐침의두께가줄어들어의학적효용성이높아지고, 따로기판소재가소모되지않고공정이단순하여제품의단가를낮출수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明提供一种具有单片集成微芯片的探针和由其制造的微芯片的制造方法。 本发明的制造方法包括：准备基板的第一工序; 在所述基板上的区域中形成微芯片的第二步骤; 形成与所述基板上的所述微芯片电连接的金属布线电极的第三工序; 形成绝缘膜以包裹微芯片，基板的所有区域和金属布线电极的第四步骤; 在衬底上形成用于形成探针的图案的第五步骤; 用于减小基板的厚度的第六步骤; 以及将探针形状的图案与基板分开的第七步骤。 因此，本发明通过将微芯片整体集成在基板上来使探针成为基板，以减小探针的厚度，并增加医疗用途。 本发明还可以通过简单的工艺降低产品的单价，而不消耗单独的基材。
-
公开(公告)号：KR1020140083266A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120152813
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/0046 , B82B3/00 , C23C30/00
Abstract: The present invention relates to a method for forming an aligned metal oxide nanostructure. The method for the aligned metal oxide nanostructure using an imprint lithography process or a KrF stepper, a KrF scanner, an i-line stepper, and an i-line scanner comprises: forming a metal oxide seed layer on a substrate; forming a resin pattern layer by the imprinting process; and exposing the metal oxide seed layer through a dry etching process or exposing the metal oxide seed layer by forming the resin pattern layer using the KrF stepper, the KrF scanner, the i-line stepper, and the i-line scanner to develop the metal oxide nanostructure from the metal oxide seed layer using a hydrothermal synthesis method. So the present invention has the advantage of making metal nanostructure of various shapes, sizes, and patterning; providing at a relatively low price; facilitating an alignment of large-scaled metal oxide nanostructure; preventing adhesion or deformation of the metal oxide nanostructure; and enabling an uniform formation and alignment of the nanostructure.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成对准的金属氧化物纳米结构的方法。 使用压印光刻工艺或KrF步进器，KrF扫描仪，i线步进机和i线扫描仪的对准的金属氧化物纳米结构的方法包括：在衬底上形成金属氧化物种子层; 通过印刷工艺形成树脂图案层; 并通过干式蚀刻工艺使金属氧化物种子层暴露或通过使用KrF步进器，KrF扫描器，i线步进器和i线扫描器形成树脂图案层来暴露金属氧化物晶种层，以开发金属 氧化物纳米结构由金属氧化物种子层采用水热合成法。 因此，本发明具有制造各种形状，尺寸和图案化的金属纳米结构的优点; 以相对较低的价格提供; 促进大规模金属氧化物纳米结构的排列; 防止金属氧化物纳米结构的粘合或变形; 并且能够均匀地形成和取向纳米结构。
-
公开(公告)号：KR101345109B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은기판또는박막에고분자층 및패터닝된감광성금속-유기물전구체층을형성하여박막의식각선택비에따른식각으로언더컷(Undercut)을형성하고, 3차원구조의나노구조체제조를위한금속또는금속산화막증착시 기판의회전유무를조절하여 3차원구조의나노구조체를제조하는임프린트리소그래피와리프트오프공정을이용한 3차원구조의정렬된나노구조체및 그제조방법에관한것으로, 임프린트리소그래피(Imprint Lithography) 공정과리프트오프(Lift-Off) 공정을이용하여 3차원형태의금속또는금속산화막나노구조체를제조하는방법에있어서, 기판에고분자층을형성하는단계, 고분자층 상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계, 패턴(Pattern)이형성된임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를준비하는단계, 감광성금속-유기물전구체층을임프린트용스탬프(Imprint Stamp)로가압하고, 가열또는빛 조사방법중 어느하나또는혼용한방법으로감광성금속-유기물전구체층을경화하여패턴층을형성하는단계, 임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를패턴층으로부터제거하는단계, 건식식각으로패턴층하부의고분자층을식각하여, 기판이노출되도록언더컷(Undercut)을형성하는단계, 패턴층상부또는노출된기판의상부에전자빔 증착기를이용하여금속또는금속산화막을형성하는단계및 용매를이용하여패턴층을리프트오프(Lift-Off)하여나노구조체를취득하는단계를포함한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303005B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120029106
申请日：2012-03-22
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67069
Abstract: PURPOSE: A cooling apparatus for a wafer and a wafer cover using a gas is provided to prevent thermal damage to a wafer by forming a through hole in a tray for mounting a wafer. CONSTITUTION: A through hole (130) is formed in a tray. The tray transfers a low temperature gas to a wafer and a wafer cover. A tray body (110) is formed around a tray central part (120). An O-ring is in contact with the lower part of the wafer cover. An O-ring accommodating groove is formed along the cylindrical surface of the tray body.
Abstract translation: 目的：提供一种用于晶片的冷却装置和使用气体的晶片盖，以通过在用于安装晶片的托盘中形成通孔来防止对晶片的热损伤。 构成：在托盘中形成通孔（130）。 托盘将低温气体传送到晶片和晶片盖。 托盘主体（110）围绕托盘中心部分（120）形成。 O形圈与晶片盖的下部接触。 沿托盘体的圆筒面形成有O形环容纳槽。
-
公开(公告)号：KR1020130012291A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A 3-dimensional aligned nanostructure prepared by both imprint lithography and lift-off processes is provided to have a uniform size, various shape and constant arrangement by controlling the ratio of dry etching. CONSTITUTION: A manufacturing method a 3-dimensional aligned nanostructure comprises: a step of forming a polymer layer(102) on a substrate(101); a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer on the upper part of the polymer layer; a step of preparing an imprint stamp; a step of pressurizing the photosensitive metal-organic precursor layer by the imprint stamp; and a step of forming a metal oxide thin-film pattern(105)by hardening the metal-organic precursor layer; a step of removing the imprint stamp from the metal oxide thin film pattern; a step of forming an undercut(106) by etching the polymer layer; a step of forming a metal oxide film(107); and a step of lift-offing the metal oxide thin film pattern and etching the polymer layer with an under cut.
Abstract translation: 目的：通过压印和剥离工艺制备的三维对准的纳米结构通过控制干蚀刻的比例来提供均匀的尺寸，各种形状和恒定的布置。 构成：三维排列纳米结构体的制造方法包括：在基板（101）上形成聚合物层（102）的步骤; 在聚合物层的上部形成感光性金属 - 有机材料前体层的工序; 制作印记邮票的步骤; 通过压印印模对感光金属 - 有机前体层加压的步骤; 以及通过硬化所述金属 - 有机前体层形成金属氧化物薄膜图案（105）的步骤; 从所述金属氧化物薄膜图案去除所述压印印模的步骤; 通过蚀刻聚合物层形成底切（106）的步骤; 形成金属氧化物膜（107）的步骤; 以及剥离金属氧化物薄膜图案并用下切割蚀刻聚合物层的步骤。
-
公开(公告)号：KR101156635B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020100059924
申请日：2010-06-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 기계적 강도가 우수하면서도 다공성 구조를 가져 내부 응력을 조절하기 쉬운 제올라이트 진동판을 채택해 감도 조절이 용이한 정전용량형 MEMS 마이크로폰 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 정전용량형 MEMS 마이크로폰은 관통홀이 형성된 기판, 상기 관통홀을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 제올라이트 진동판, 상기 제올라이트 진동판 상에 형성된 하부 전극, 및 상기 기판에 지지되어 상기 하부 전극 위로 부상되며 복수의 공기유입구를 가지는 상부 전극을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020110081385A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001525
申请日：2010-01-08
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/06
Abstract: PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.
Abstract translation: 目的：提供具有pn隧道二极管的太阳能电池，以通过使用与P型衬底相比具有小缺陷的N型衬底来降低串联电阻，并形成具有正欧姆接触电极的上电极和下电极 。 构成：在具有p-n隧道二极管的太阳能电池中，通过依次层叠n型半导体和p型半导体以形成p-n结，在n型衬底（210）上形成p-n二极管隧道（220）。 通过依次层叠n型半导体和p型半导体将光信号转换为电信号，在p-n二极管隧道上形成光伏电池（230）。 底部电极（270）形成在N型衬底上。 顶电极（260）形成在光伏电池上。
-
公开(公告)号：KR1020110053707A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020090110359
申请日：2009-11-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode using a metal protection layer is provided to reduce the number of processes by forming an n-ohmic metal layer and a protection layer made of the same materials. CONSTITUTION: A photoresist pattern(260) is formed on an n type nitride semiconductor(240) to expose the part on which an n-ohmic metal layer is formed. A metal protection layer(250) is formed on the n type nitride semiconductor to cover the photoresist pattern and the n type nitride semiconductor. The surface of the n type nitride semiconductor is partially exposed by removing the photoresist pattern and a metal protection layer formed on the photoresist pattern. The surface of the n type nitride semiconductor is roughened by processing the exposed surface of the n type nitride semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属保护层制造发光二极管的方法，以通过形成由相同材料制成的n欧姆金属层和保护层来减少工艺数量。 构成：在n型氮化物半导体（240）上形成光致抗蚀剂图案（260）以暴露其上形成有n-欧姆金属层的部分。 在n型氮化物半导体上形成金属保护层（250）以覆盖光致抗蚀剂图案和n型氮化物半导体。 通过去除光致抗蚀剂图案和形成在光致抗蚀剂图案上的金属保护层，n型氮化物半导体的表面部分露出。 通过处理n型氮化物半导体的露出表面，使n型氮化物半导体的表面粗糙化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.025 seconds)
