公开(公告)号：KR1020150141915A

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020150163446

申请日：2015-11-20

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  허은진 ,  김신근 ,  이근우 ,  신현범 ,  성호근 ,  박경호 ,  강호관 ,  김희중

IPC: B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。

公开(公告)号：KR101486712B1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020130166261

申请日：2013-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 장민철 ,  박형호 ,  이동근 ,  김서연 ,  유해나 ,  신현범 ,  강호관

IPC: H05K3/28 ,  H05K3/18

Abstract: 본 발명의 일 측면에 의하면, 플렉서블한 기판 상에 금속 시드층을 형성하는 제1단계; 상기 금속 시드층 상에 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; 이하 DFR층)를 적층하는 제2단계; 상기 DFR층의 패터닝에 의해 1차 패턴을 형성하여 상기 금속 시드층의 일부를 노출시키는 제3단계; 상기 일부 노출된 금속 시드층 상에 도금 공정을 통한 제1금속패턴을 형성하는 제4단계; 상기 제1금속패턴 및 상기 DFR층 상에 PR(Photoresist)층을 코팅하고, PR층의 패터닝에 의해 2차 패턴을 형성하여 상기 제1금속패턴의 일부 영역을 노출시키는 제5단계; 상기 제1금속패턴 상의 노출된 영역 상에 도금 공정을 통해 제2금속패턴을 형성하는 제6단계; 상기 DFR층 및 PR층을 동시에 제거하여, 플렉서블 기판 상에 상기 제1금속패턴과 제2금속패턴으로 이루어진 금속 구조체를 형성하는 제7단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 상에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 높은 단차가 필요한 구성에 감광필름(Dry Film Resist; DFR)을 사용함으로써, 플렉서블 기판에 금속 구조체를 제작할 때, 고열이 기판에 작용하지 않도록 하는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明实施例提供的在柔性基板上制造三维金属结构的方法包括：在柔性基板上形成金属种子层的第一步骤; 在金属种子层上堆叠干膜抗蚀剂（DFR）层的第二步骤; 第三步骤，通过形成DFR层的图形来形成初级图案来暴露金属种子层的一部分; 通过电镀工艺在所述部分暴露的金属种子层上形成第一金属图案的第四步骤; 第五步骤，用光致抗蚀剂（PR）层涂覆第一金属图案和DFR层，并通过PR层的图案形成二次图案来曝光第一金属图案的部分区域; 在通过电镀工艺从第一金属图案露出的区域上形成第二金属图案的第六步骤; 以及通过同时去除DFR层和PR层在柔性基板上形成由第一金属图案和第二金属图案形成的金属结构的第七步骤。 因此，本发明能够通过使用DFR用于需要高高差的组合物在柔性基板上制造金属结构时，能够防止在基板上施加高热。

公开(公告)号：KR101419530B1

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：KR1020120156760

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 황선용 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: C25D7/00 ,  H01L31/042 ,  C25D21/02 ,  C25D5/48

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양 전지의 자가 생성 전류를 이용하여, 태양 전지의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법에 있어서, 에너지를 전달했을 때, 정공-전자쌍이 생성되는 태양 전지 기판을 도금 용액에 담그는 제1단계와, 상기 태양 전지가 전력을 생성하기 위해 필요한 에너지 전달 조건을 변경하여 에너지를 전달하는 제2단계 및 상기 태양 전지의 자가 생성 전력으로 상기 태양 전지 기판 상의 전극 영역에 상기 태양 전지의 전극 형성을 위한 도금을 진행하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 태양 전지의 발전 전류를 이용하여 특정 영역에 선택적으로 전해 도금이 가능한 공정이기 때문에, seed-metal이 필요없으므로, 공정 시간 및 비용을 절감시키며, 공정의 단순화에 따른 태양 전지의 특성을 향상시키고, 태양 전지가 전류를 생성하기 위한 광원 전달 조건을 다양하게 변경하여, 그리드 전극의 도금 속도, 밀도, 구조 등 특성을 조절할 수 있어, 사용하고자 하는 태양 전지의 특성에 적합한 고품질의 전극을 형성할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101419523B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120155896

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김창환 ,  황선용 ,  정상현 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조하는 방법에 있어서, 기판 상층에 희생층을 형성하는 제1단계와, 상기 희생층 상층에 도금을 위한 시드층을 형성하는 제2단계와, 전기 도금을 통하여 상기 시드층 상에 금속 필름을 형성하는 제3단계와, 상기 금속 필름 상층에 감광성 수지층을 형성한 후 노광 패터닝 및 현상 공정을 거쳐 상기 금속 필름 상층에 감광성 수지로 이루어진 나노패턴을 형성하는 제4단계 및 상기 희생층을 제거하여 상기 기판으로부터 나노패턴이 형성된 금속 필름을 분리시키는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 가지는 금속 필름의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 공정의 단순화로 공정 비용 및 공정 시간을 절감시키면서 100nm 이하의 미세한 나노패턴을 균일하게 형성시킬 수 있으며, 간단하게 나노패턴을 가지는 금속 필름을 제조할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101415635B1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020120156756

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  이근우 ,  최재원 ,  이병오 ,  박미림 ,  이희관 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. Subject matters of the present invention are a method of manufacturing a space transformer for a polymer-based probe card and the space transformer for a polymer-based probe card manufactured by the same. The method of manufacturing a space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, a substrate via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, a conductive material fills the via-hole. In a fifth step, a polymer substrate is formed on the glass substrate, and a metal interconnection electrode, which is electrically connected to the substrate via-hole, is formed on the polymer substrate. In a sixth step, a second polymer substrate is formed on top of the polymer substrate, on which the metal interconnection electrode is formed, and a polymer substrate via-hole, which is filled with the conductive material, is formed on the second polymer substrate. And in the seventh step, polymer substrates resulted from the fifth and sixth steps are alternately stacked, and the metal interconnection electrode formed on the polymer substrate is electrically connected with the polymer substrate via-hole. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield as well as productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.

Abstract translation: 本发明涉及用于探针卡的空间变压器。 本发明的主题是制造用于基于聚合物的探针卡的空间变压器和由其制造的基于聚合物的探针卡的空间变压器的方法。 用于探针卡的空间变压器的制造方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成基板通孔。 在第四步骤中，导电材料填充通孔。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成聚合物基板，并且在聚合物基板上形成与基板通孔电连接的金属互连电极。 在第六步骤中，在形成有金属互连电极的聚合物基板的顶部上形成第二聚合物基板，并且在第二聚合物基板上形成填充有导电材料的聚合物基板通孔 。 在第七步骤中，由第五和第六步骤产生的聚合物基板交替堆叠，并且形成在聚合物基板上的金属互连电极与聚合物基板通孔电连接。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，制造成品率和生产率提高，制造成本降低。

公开(公告)号：KR1020140081202A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020120150720

申请日：2012-12-21

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  윤홍민 ,  신현범 ,  성호근 ,  강호관 ,  고철기

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2002 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/288

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a nano-patterned metal film. In terms of a method for manufacturing a nano-patterned metal film, the method for manufacturing a nano-patterned metal film using a nano-imprint lithography and a plating process comprises: a first step where a resin layer is formed on the upper layer of a substrate; a second step where nano-pattern is formed on the resin layer by an imprinting and a hardening process after locating a stamp for imprinting on the resin layer; a third step where a seed layer is vapour-deposited on the nano-patterned resin layer; a fourth step where a metal layer is formed on the seed layer by a plating process; and a fifth step where a nano-patterned metal film is produced by separating the seed and metal layers from the substrate after removing the resin layer. Hence, the present invention uses a nano-imprint lithography and a plating process which reduces cost and time for processing by simplifying the processes. Also, a nano-patterned metal film can simply be produced.

Abstract translation: 本发明涉及一种纳米图案化金属膜的制造方法。 关于纳米图案化金属膜的制造方法，使用纳米压印光刻法和电镀法制造纳米图案化金属膜的方法包括：第一步骤，在上层形成树脂层 底物; 第二步，其中在定影用于压印的印模在树脂层上之后通过压印和硬化处理在树脂层上形成纳米图案; 第三步骤，将种子层气相沉积在纳米图案化树脂层上; 第四步骤，通过电镀工艺在种子层上形成金属层; 以及第五步骤，其中通过在除去树脂层之后从晶片和金属层中分离晶种和金属层来制造纳米图案化的金属膜。 因此，本发明使用纳米压印光刻和电镀工艺，其通过简化工艺来降低处理的成本和时间。 此外，可以简单地制造纳米图案化金属膜。

公开(公告)号：KR101294009B1

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：KR1020120000560

申请日：2012-01-03

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  김창환 ,  신현범 ,  강호관 ,  이재진 ,  고철기

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L33/22

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 광전자 소자의 활성층을 요철 또는 만곡형상으로 형성하여 활성층의 표면적을 증가시키고, 광 추출 효율 및 광 흡수 효율을 향상시키는 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 도전성 기판 상에 형성된 반도체 층. 반도체 층 상에 형성되며, 상부가 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 n형 반도체 층, n형 반도체 층 상에 형성되며, 요철 또는 만곡 구조으로 이루어진 활성층 및 활성층 상에 형성된 p형 반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 본 발명에 따른 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자 제조방법은 기판 상에 형성된 반도체 층의 상부에 n형 반도체 층을 형성하는 단계, n형 반도체 층의 상부에 레지스트(Resist)를 코팅하는 단계, 리소그래피(Lithography) 공정으로 레지스트를 요철 또는 만곡 구조로 패터닝하는 단계, 패터닝된 레지스트를 식각하여 n형 반도체 층에 요철 또는 만곡형상을 형성한 후, 버퍼 층을 형성하는 단계, 버퍼 층의 상부에 요철 또는 만곡 구조의 활성층을 형성하는 단계 및 활성층의 상부에 p형 반도체 층을 형성하여 나노 그레이스케일 패턴의 활성층을 포함하는 광전자 소자를 취득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130053121A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110118674

申请日：2011-11-15

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  송근만 ,  신현범 ,  신찬수 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/20 ,  B29C59/06 ,  H01L33/00

Abstract: PURPOSE: A method for growing a nitride semiconductor with high quality and a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device using the same are provided to reduce manufacturing costs by manufacturing a vertical LED without a surface texturing process. CONSTITUTION: A dielectric mask layer(20) is formed on a substrate(10) or a thin film. A polymer layer is formed on the dielectric mask layer. A pattern layer made of resins or metal organic precursors is formed on the polymer layer. The polymer layer is etched on the lower side of the pattern layer by a dry etching process. A pattern of the dielectric mask layer is formed to expose a part of the substrate or the thin film. The polymer layer and the pattern layer are removed from the upper side of the pattern of the dielectric mask layer. A nitride semiconductor layer(60) is laterally grown on the upper side of the partially exposed substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有高质量的氮化物半导体的方法和使用其的氮化物半导体发光器件的制造方法，以通过制造没有表面纹理化处理的垂直LED来降低制造成本。 构成：在基板（10）或薄膜上形成介电掩模层（20）。 在介电掩模层上形成聚合物层。 在聚合物层上形成由树脂或金属有机前体制成的图案层。 通过干式蚀刻工艺在聚合物层的下侧蚀刻聚合物层。 形成介电掩模层的图案以暴露基板或薄膜的一部分。 聚合物层和图案层从电介质掩模层的图案的上侧去除。 氮化物半导体层（60）在部分曝光的衬底的上侧横向生长。

公开(公告)号：KR101180894B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020110008715

申请日：2011-01-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 정상현 ,  강호관 ,  이재진 ,  신현범

IPC: H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 전자 수용층과 전자 도너층의 계면 면적을 증가시켜 높은 에너지 변환효율을 가지는 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기 태양전지는 양극; 상기 양극 상에 형성되고 상면에 규칙적인 패턴이 형성된 전자 수용층; 상기 전자 수용층 상에 형성된 전자 도너층; 및 상기 전자 도너층 상에 형성된 음극을 포함하고, 상기 패턴은 2개의 단으로 이루어지고 단면 형상이 T자인 복수의 기둥을 포함한다.

公开(公告)号：KR101068173B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 윈도우층의 산화를 방지하고, 캡층 제조시 윈도우층이 식각되지 않는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되며 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, 광전 변환셀 상에 형성되며 알루미늄을 포함한 화합물 반도체로 이루어진 제1 윈도우층(window layer)과, 제1 윈도우층 상에 형성되며 내산화성을 갖는 물질로 이루어진 제2 윈도우층과, 제2 윈도우층 상에 형성되는 캡층(cap layer)과, 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 캡층 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다. 그리고 제2 윈도우층은 캡층과 서로 다른 식각 선택비(etch selectivity)를 갖는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明涉及防止窗层氧化并且在盖层制造期间不蚀刻窗口层的太阳能电池。 根据本发明的太阳能电池包括：光电转换单元，形成在基板上并将光信号转换为电信号;第一窗口层，形成在光电转换单元上并由含有铝的化合物半导体制成; 第二窗口层，其形成在第一窗口层上并由具有抗氧化性的材料制成;盖层，其形成在第二窗口层上;下部电极，其形成在衬底的下部上; 设置有电极。 并且第二窗口层由与盖层具有不同蚀刻选择性的材料制成。