公开(公告)号：KR101088233B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020067026465

申请日：2005-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 게이트 전극의 선택 산화 처리를 행할 때에는 게이트 전극이 형성된 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내의 서셉터(2) 상에 적재하고, 가스 공급계(16)의 Ar 가스 공급원(17), H
2 가스 공급원(18) 및 O
2 가스 공급원(19)으로부터 가스 도입 부재(15)를 통해 Ar 가스, H
2 가스 및 O
2 가스를, H
2 가스와 O
2 가스와의 유량비 H
2 /O
2 가 1.5 이상 20 이하, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 8 이상이 되도록 챔버(1) 내에 도입하고, 챔버 내 압력을 3∼700 Pa, 예컨대 6.7 Pa (50 mTorr)로 한다.

公开(公告)号：KR1020100127803A

公开(公告)日：2010-12-06

申请号：KR1020107021754

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라히데오 ,  야마시타준 ,  기타가와준이치 ,  가베요시로 ,  후쿠다요시노리

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.

Abstract translation: 等离子体氧化装置100用于向埋设在载置台5上的电极7供给偏压用的高频电力，并且具有作为相对于载置台5的对置电极发挥功能的铝盖部27 在暴露于内周等离子体的表面上涂覆作为保护膜的硅膜48。 在第二容器3和第一容器2的与硅膜48相邻的内表面上设置有形成得比上衬里49a更厚的上衬里49a和下衬里49b， 防止放电并形成适当的高频电流路径，由此提高功耗效率。

公开(公告)号：KR1020100045955A

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：KR1020097027399

申请日：2008-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오타긴야 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/02238

Abstract: A plasma processing apparatus (100) is provided with a plasma generating means for generating plasma in a chamber (1); a measuring section (60) for measuring the integration value of the particle number of active species moving toward a subject to be processed (wafer (W)) in plasma; and a control section (50) which controls plasma processing to be ended when the integration value of the measured particle number reaches a set value. The measuring section (60) measures the particle number of the species by radiating a prescribed laser beam toward plasma from a light source section (61) and receiving light by a detecting section (63) having a VUV monochromator.

Abstract translation: 等离子体处理装置（100）设置有用于在室（1）中产生等离子体的等离子体产生装置; 用于测量在等离子体中朝向待处理对象（晶片（W））移动的活性物质的粒子数的积分值的测量部分（60） 以及控制部（50），当所测量的粒子数的积分值达到设定值时，控制等离子体处理结束。 测量部分（60）通过从光源部分（61）向等离子体辐射规定的激光束并通过具有VUV单色仪的检测部分（63）接收光来测量物质的粒子数。

公开(公告)号：KR1020090058000A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: A plasma oxidizing method includes a step of placing an object to be processed and having a surface containing silicon on a susceptor disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen in the processing vessel, a step of supplying high-frequency electric power to the susceptor and applying a high-frequency bias to the object to be processed when the plasma is produced, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 等离子体氧化方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的基座上的步骤，在处理容器内从含有氧的处理气体生成等离子体的步骤 向基座提供高频电力的步骤，在制造等离子体时向待处理物体施加高频偏压的步骤，以及通过在物体的表面氧化硅来形成氧化硅膜的步骤 由等离子体处理。

公开(公告)号：KR100893955B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR1020090007760A

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：KR1020087028165

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와주니치 ,  무라오카스나오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: An object to be processed which contains silicon in the surface is introduced in a processing vessel. A plasma of a processing gas containing an oxygen gas and a nitrogen gas is generated within the processing vessel. The silicon in the surface of the object to be processed is oxidized by the plasma, thereby forming a silicon oxide film.

Abstract translation: 在表面中含有硅的待处理物体被引入处理容器中。 在处理容器内产生含有氧气和氮气的处理气体的等离子体。 待处理物体的表面中的硅被等离子体氧化，从而形成氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020070022325A

公开(公告)日：2007-02-26

申请号：KR1020067026465

申请日：2005-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32105

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 게이트 전극의 선택 산화 처리를 행할 때에는 게이트 전극이 형성된 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내의 서셉터(2) 상에 적재하고, 가스 공급계(16)의 Ar 가스 공급원(17), H
2 가스 공급원(18) 및 O
2 가스 공급원(19)으로부터 가스 도입 부재(15)를 통해 Ar 가스, H
2 가스 및 O
2 가스를, H
2 가스와 O
2 가스와의 유량비 H
2 /O
2 가 1.5 이상 20 이하, 바람직하게는 4 이상, 보다 바람직하게는 8 이상이 되도록 챔버(1) 내에 도입하고, 챔버 내 압력을 3∼700 Pa, 예컨대 6.7 Pa (50 mTorr)로 한다.

公开(公告)号：KR101248651B1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).

公开(公告)号：KR1020120112264A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033539

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오사키요시노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A method for forming a germanium oxide film and a material for an electronic device are provided to control unstable separation of the germanium oxide film by forming the germanium oxide film on a germanium board in which a High-k film is formed. CONSTITUTION: A processing container(11) receives a board supporter(12). A board supporter maintains a germanium oxide film substrate(W). A slot plate(14) is located on a dielectric microwave transmissive plate(13). A plurality of long holes(14a) is formed on the slot plate. A gas source(24) is connected to a gas nozzle(22) passing through a gas pipe line(23). [Reference numerals] (17) Microwave supply device; (24) Gas supply source

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化锗膜和电子器件的材料的方法，以通过在其中形成High-k膜的锗板上形成氧化锗膜来控制氧化锗膜的不稳定分离。 构成：处理容器（11）接收板支撑件（12）。 板支撑件保持氧化锗膜基底（W）。 狭槽板（14）位于电介质微波透射板（13）上。 多个长孔（14a）形成在槽板上。 气体源（24）连接到通过气体管线（23）的气体喷嘴（22）。 （附图标记）（17）微波供给装置; （24）供气源

公开(公告)号：KR101188553B1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020097020434

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 요철 패턴을 갖는 피처리체에 플라즈마에 의한 산화 처리를 실시하여 실리콘 산화막을 형성함에 있어서, 처리 가스 중의 산소의 비율이 0.5% 이상 10% 미만이고, 또한 처리 압력이 1.3~665Pa의 조건으로, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 고주파 전력을 인가하면서 플라즈마를 형성한다.