公开(公告)号：KR100373790B1

公开(公告)日：2003-04-21

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45561

Abstract: pre-coating films are formed in a pretreatment by supplying first film-forming gases into a process chamber (20) of a process vessel (18) while heating the process chamber so as to form a first pre-coating film on the inner surface of the process vessel exposed to the process chamber, followed by supplying second film-forming gases into the process chamber to form a second pre-coating film on the first pre-coating film. A semiconductor wafer (W) is loaded into the process chamber. Then, the first gases is supplied into the process chamber while heating the process chamber so as to form a first layer on the wafer, followed by supplying the second gases into the process chamber so as to form a second layer on the first layer. A silane gas is supplied into the process chamber to permit silicon material to be deposited on the surface of the second layer stacked on the first layer. Finally, the wafer having the first and second multi-film is unloaded out of the process vessel.

Abstract translation: 通过在加热处理室的同时向处理容器（18）的处理室（20）中供应第一成膜气体以在所述处理室的内表面上形成第一预涂覆膜，在预处理中形成预涂覆膜 处理容器暴露于处理室，随后将第二成膜气体供应到处理室中以在第一预涂膜上形成第二预涂膜。 将半导体晶片（W）装载到处理室中。 然后，在加热处理室的同时将第一气体供应到处理室中，以便在晶片上形成第一层，随后将第二气体供应到处理室中以便在第一层上形成第二层。 硅烷气体被供应到处理室中以允许硅材料沉积在堆叠在第一层上的第二层的表面上。 最后，将具有第一和第二多层膜的晶片从加工容器卸出。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR102065243B1

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：KR1020180044278

申请日：2018-04-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아시자와히로아키 ,  후지이야스시 ,  다카하시츠요시 ,  홍석형 ,  야마자키가즈요시 ,  나카무라히데오 ,  누노시게유 ,  가미오다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR101935086B1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：KR1020150181406

申请日：2015-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  사노마사키 ,  가미오다카시 ,  다카기도시오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR100906509B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: SiO
2
용량 환산 막두께가 1.45㎚ 이하인 하프늄 실리케이트계 재료로 이루어지는 게이트 절연막(4)을 실리콘 기판(1) 상에 형성하는 방법이 개시된다. 이 방법은, 실리콘 기판(1)의 표면을 세정하고 실질적으로 산소가 존재하지 않은 청정면으로 하는 공정과, 아미드계 유기 하프늄 화합물과 실리콘 함유 원료를 이용한 CVD 프로세스에 의해, 실리콘 기판(1)의 청정면에 하프늄 실리케이트막(2)을 성막하는 공정과, 하프늄 실리케이트막(2)에 산화 처리를 실시하는 공정과, 산화 처리를 실시한 후의 하프늄 실리케이트막(2)에 질화 처리를 실시하는 공정을 갖는다. 이 방법에 의하면, 막두께가 얇더라도 표면 거칠기가 양호한 게이트 절연막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090074218A

公开(公告)日：2009-07-06

申请号：KR1020097008423

申请日：2007-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우치다히로아키 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/4232 ,  H01L51/0053

Abstract: Disclosed is a method for forming a high dielectric film, which comprises a step for forming a high dielectric film on a substrate by ALD or CVD using an organic metal raw material at a temperature not more than 350°C, and a step for eliminating hydrogen in the high dielectric film by irradiating the film with ultraviolet light in an oxygen-containing atmosphere at a low pressure.Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step for forming a high dielectric film as a gate insulating film on a semiconductor substrate by ALD or CVD using an organic metal raw material at a temperature not more than 350°C, a step for eliminating hydrogen in the high dielectric film by irradiating the film with ultraviolet light in an oxygen-containing atmosphere at a low pressure, and a step for forming a gate electrode on the high dielectric film.

Abstract translation: 公开了一种形成高介电膜的方法，其包括通过ALD或CVD使用有机金属原料在不高于350℃的温度下在基板上形成高电介质膜的步骤和用于消除氢的步骤 在高电介质膜中，通过在低压下在含氧气氛中用紫外光照射膜。还公开了一种制造半导体器件的方法，其包括用于形成作为栅极绝缘膜的高介电膜的步骤 在不高于350℃的温度下通过ALD或CVD使用有机金属原料的半导体衬底，通过在含氧气氛中以低压照射紫外线来消除高电介质膜中的氢的步骤 以及在高电介质膜上形成栅电极的步骤。

公开(公告)号：KR1020070108415A

公开(公告)日：2007-11-09

申请号：KR1020077022529

申请日：2006-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  아오야마신타로 ,  시나다다카히로 ,  가와카미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45512 ,  G11B5/85 ,  G11B7/266 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: Disclosed is a film-forming apparatus comprising a process chamber in which a substrate to be processed is held, a first gas supply means for supplying a first gaseous material composed of a metal alkoxide having a tertiary butoxyl group as a ligand into the process chamber, and a second gas supply means for supplying a second gaseous material composed of a silicon alkoxide material into the process chamber. The first gas supply means and the second gas supply means are connected to a preliminary reaction means for causing a preliminary reaction between the first gaseous material and the second gaseous material, and the first and second gaseous materials after the preliminary reaction are supplied into the process chamber.

Abstract translation: 公开了一种成膜设备，其包括处理室，待处理的基板被保持在其中;第一气体供应装置，用于将由具有叔丁氧基的金属醇盐组成的第一气态物质作为配体供应到处理室中， 以及第二气体供给装置，用于将由硅醇盐材料构成的第二气态材料供给到所述处理室中。 第一气体供给装置和第二气体供给装置连接到用于引起第一气态物质和第二气态物质之间的预反应的预反应装置，并且将预反应之后的第一和第二气态物质供给至该方法 室。

公开(公告)号：KR100641762B1

公开(公告)日：2006-11-06

申请号：KR1020047000890

申请日：2002-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 고주파 플라즈마에 의해 질소 라디칼을 형성하고, 산소를 포함하는 절연막 표면에 상기 질소 라디칼을 공급함으로써 상기 절연막 표면을 질화시킨다. 상기 산소를 포함하는 절연막은 0.4nm 이하의 막 두께를 갖고, 상기 표면이 질화된 질화막 상에 고유전체막이 형성된다. 또한, 상기 질소 라디칼은 상기 절연막의 표면을 따라 흐르도록 형성된 기체의 흐름에 의해 제공된다.

公开(公告)号：KR100436823B1

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: A first tungsten silicide layer relatively rich in silicon is formed on an object by using a process gas having a phosphorus atom-containing gas added thereto, and a second tungsten silicide layer relatively rich in tungsten is formed on the first tungsten silicide layer, so that a tungsten silicide film is formed. The addition amount of the phosphorus atom-containing gas to the process gas is 0.02 to 0.2% by volume "in terms of a phosphine gas".

Abstract translation: 通过使用添加有含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成硅相对富含的第一硅化钨层，并且在第一钨硅化物层上形成钨较浓的第二钨硅化物层，使得 形成硅化钨膜。 含有磷原子的气体在处理气体中的添加量以“按照磷化氢气体计”为0.02〜0.2体积％。

公开(公告)号：KR1020040017338A

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：KR1020047000890

申请日：2002-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 고주파 플라즈마에 의해 질소 라디칼을 형성하고, 산소를 포함하는 절연막 표면에 상기 질소 라디칼을 공급함으로써 상기 절연막 표면을 질화시킨다. 상기 산소를 포함하는 절연막은 0.4nm 이하의 막 두께를 갖고, 상기 표면이 질화된 질화막 상에 고유전체막이 형성된다. 또한, 상기 질소 라디칼은 상기 절연막의 표면을 따라 흐르도록 형성된 기체의 흐름에 의해 제공된다.

Abstract translation: 氮化绝缘膜的方法包括以下步骤：通过高频等离子体形成氮自由基，并且通过将氮自由基供应到绝缘膜的表面，在其中含有氧的绝缘膜的表面中引起氮化。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020000022806A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: PURPOSE: A methode for forming a tungsten silicide film is provided to arrange a decis ion direction of a tungsten silicide by adding a phosphorous atom-containing gas to a process gas. CONSTITUTION: A methode for forming a tungsten silicide film comprises the steps of: forming a first tungsten silicide layer(5) on an object by using a process gas adding a phosphorus atom-containing gas; and forming a second tungsten silicide layer(6) on the first tungsten silicide layer. The first tungsten silicide layer is formed by using the phosphorous atom-containing gas. The second tungsten silicide layer is formed by not using the phosphorous atom-containing gas, or a little amount of phosphorous atom-containing gas.

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅化钨膜的方法，通过向处理气体中加入含磷原子的气体来布置硅化钨的决定方向。 构成：形成硅化钨膜的方法包括以下步骤：通过使用加入含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成第一硅化钨层（5）; 以及在所述第一硅化钨层上形成第二硅化钨层（6）。 通过使用含磷原子的气体形成第一硅化钨层。 通过不使用含磷原子的气体或少量含磷原子的气体形成第二硅化钨层。