公开(公告)号：KR101250057B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020107005863

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  가타야마다이스케 ,  사토요시히로 ,  호리이준지 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795

Abstract: 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 포함하는 처리 가스를 도입하고 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입해서, 6.7 Pa 이상 267 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 O
2
+ 이온 및 O(
1 D
2 ) 라디칼이 주체인 플라즈마를 발생시켜, 그 플라즈마에 의해 절연막을 개질시킨다.

公开(公告)号：KR1020130023220A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100109893A

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020107005863

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  가타야마다이스케 ,  사토요시히로 ,  호리이준지 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795

Abstract: 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 포함하는 처리 가스를 도입하고 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입해서, 6.7 Pa 이상 267 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 O
2
+ 이온 및 O(
1 D
2 ) 라디칼이 주체인 플라즈마를 발생시켜, 그 플라즈마에 의해 절연막을 개질시킨다.

公开(公告)号：KR100956466B1

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020100036249A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：KR1020097026243

申请日：2009-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라타쿠야 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: Disclosed is a method for modifying a titanium nitride film wherein the specific resistance of a titanium nitride film is increased by irradiating the titanium nitride film formed on a semiconductor substrate with a plasma which is obtained by changing a process gas containing a rare gas or nitrogen but not containing oxygen into a plasma.

Abstract translation: 本发明公开了一种氮化钛膜的修饰方法，其中通过用等离子体照射形成在半导体衬底上的氮化钛膜来提高氮化钛膜的电阻率，该等离子体是通过改变含有稀有气体或氮气的处理气体而获得的， 不含氧进入等离子体。

公开(公告)号：KR1020090097219A

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。

公开(公告)号：KR100887270B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020077002817

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  이시즈카스우이치 ,  후지노유타카 ,  나카니시도시오 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 본 발명에서는, DRAM에서의 게이트 절연막을 형성하는 경우, 게이트 절연막의 베이스로 되는 산화막에 대하여 플라즈마 질화 처리를 행한다. 다수의 관통 구멍이 형성되어 있는 평판 안테나를 이용한 마이크로파 플라즈마에 의해 플라즈마 질화 처리한다. 플라즈마 질화 처리에 의해 형성된 게이트 절연막 속의 질소 농도는 5∼20%원자 농도이다. 그 후, 어닐링 처리를 행하지 않더라도, DRAM에서 붕소의 침투 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 추가로, 디바이스의 구동 능력 저하의 원인이 되는 막 속의 트랩을 억제한다.

Abstract translation: 在本发明中，当形成DRAM中的栅极绝缘膜时，构成栅极绝缘膜的基底的氧化膜被等离子体氮化。 通过使用具有大量通孔的平面天线产生的微波等离子体进行等离子体氮化。 通过等离子体氮化形成的栅极绝缘膜中的氮浓度以原子百分比为5〜20％。 即使不进行随后的退火，也可以有效地防止DRAM中的硼渗透现象，并且能够减少膜中的陷阱，导致器件的驱动能力下降。

公开(公告)号：KR1020080079339A

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020087019543

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。