公开(公告)号：KR1020070055368A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020060116244

申请日：2006-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine gas and hydrogen gas.

公开(公告)号：KR1020070016071A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020060046767A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050067677

申请日：2005-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a silicon nitride film first deposits a silicon nitride film on a target substrate by CVD in a process field within a reaction container. This step is arranged to supply a first process gas containing a silane family gas and a second process gas containing a nitriding gas to the process field, and set the process field at a first temperature and a first pressure, for a first time period. The method then nitrides a surface of the silicon nitride film in the process field. This step is arranged to supply a surface-treatment gas containing a nitriding gas to the process field without supplying the first process gas, and set the process field at a second temperature and a second pressure, for a second time period shorter than the first time period.

公开(公告)号：KR1020060002807A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057016741

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4405

Abstract: A method for cleaning a heat treatment apparatus is disclosed. In an evacuatable process chamber of the heat treatment apparatus, an SiO2film is formed on an object to be treated by using TEOS. The method comprises a cleaning step wherein an HF gas and an NH3 gas are supplied into the process chamber.

Abstract translation: 公开了一种清洗热处理设备的方法。 在热处理装置的可抽空处理室中，通过使用TEOS在待处理物体上形成SiO 2膜。 该方法包括清洗步骤，其中HF气体和NH 3气体被供应到处理室中。

公开(公告)号：KR1020050109046A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020047018897

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404

Abstract: Disclosed is a method for cleaning a thin-film forming apparatus wherein a thin film is formed on an object to be processed by supplying a process gas into a reaction chamber in which the object is housed. The cleaning method comprises a purging step for purging the inside of the reaction chamber by supplying an activatable nitrogenous gas containing nitrogen into the reaction chamber. The purging step comprises a substep wherein the nitrogenous gas is activated for nitriding the surfaces of members within the reaction chamber.

Abstract translation: 公开了一种清洁薄膜形成装置的方法，其中通过将处理气体供应到容纳物体的反应室中，在待加工物体上形成薄膜。 清洗方法包括一个清洗步骤，用于通过向反应室中提供含有氮的可活化含氮气体来净化反应室的内部。 吹扫步骤包括一个子步骤，其中氮气被活化用于氮化反应室内的构件的表面。

公开(公告)号：KR101343250B1

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：KR1020070102328

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까오겐 ,  가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오까다미쯔히로 ,  혼마마나부 ,  하네이시도모끼

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 박막형성장치(1)는, 반응실(2)과, 반응실(2)에연결된배기관(5)을갖고, 반응실(2) 또는배기관(5)에불소와수소를포함하는클리닝가스를공급하기위해, 불소도입관(17c)과수소도입관(17d)이반응실(2)에연결되어있다. 이중 수소도입관(17d)은, 내부유로(174)와, 내부유로(174)를덮도록형성된외부유로(175)를갖고있다. 내부유로(174)로부터수소가공급되고, 외부유로(175)로부터질소가공급된다. 이로인해, 내부유로(174)로부터공급된수소는, 그주위가질소로덮인상태에서수소도입관(17d)으로부터공급된다.

公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR100974969B1

公开(公告)日：2010-08-09

申请号：KR1020050067677

申请日：2005-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: 실리콘 질화막의 형성 방법은, 우선 반응 용기의 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 질화막을 퇴적한다. 여기서, 제1 시간에 걸쳐 처리 영역 내에 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 다음에, 처리 영역 내에서 실리콘 질화막의 표면을 질화한다. 여기서, 제1 시간보다 짧은 제2 시간에 걸쳐, 처리 영역 내에 제1 처리 가스를 공급하지 않고 질화 가스를 포함하는 표면 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

公开(公告)号：KR1020090012113A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080071966

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: A film formation method, apparatus for semiconductor process and computer readable medium are provided to consecutively perform the deposition of the Si system inorganic film while maintaining vacuum. The wafer boat having a plurality of semiconductor wafers is mounted is loaded within the process vessel(step 1). In the state rotating the wafer boat, the film forming process of the amorphous carbon film is performed for the first time(step 2). The purge gas from the fuzzy gas supply source is introduced within the process vessel(step 3). In maintaining the decompression state, the Si based inorganic film is successively formed by the switching of the gas into the in-situ process(step 4).

Abstract translation: 提供一种成膜方法，半导体工艺装置和计算机可读介质，以连续地执行Si系无机膜的沉积同时保持真空。 将具有多个半导体晶片的晶片舟装载在处理容器内（步骤1）。 在旋转晶片舟的状态下，首次进行无定形碳膜的成膜工序（步骤2）。 来自模糊气体供应源的净化气体被引入处理容器内（步骤3）。 在维持减压状态下，通过将气体切换成原位工序，依次形成Si系无机膜（步骤4）。

公开(公告)号：KR1020090007263A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：KR1020080135449

申请日：2008-12-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: A silicon nitride film forming method is provided to nitrify the surface until most of Si-H combination of the surface of a silicon nitride film is changed into Si-N combination, thereby preventing generation of degassing even when exposing the silicon nitride film to atmosphere. A silicon nitride film is accumulated by CVD on a processed substrate within a process area(5) of a reaction container(2). Silane gas and ammonia gas are supplied to the process area for first time to be reacted to each other. The process area is set up with first temperature and first pressure. Thereafter, the process area is pursed while blocking supply of the silane gas and ammonia gas to the process area. Thereafter, the surface of the silicon nitride film is nitrified within the process area. The ammonia gas is supplied without supplying the silane gas to the process area for second time shorter than the first time. The process area is set up with second temperature and second pressure. While vacuum evacuation of the process area is continued, cycle purge is performed by repeating supply and pause of inactive gas in a pulse shape several times to the process area.

Abstract translation: 提供氮化硅膜形成方法以使表面硝化，直到氮化硅膜的表面的大部分Si-H组合变成Si-N组合，从而即使当将氮化硅膜暴露于大气时也可防止脱气的产生。 氮化硅膜通过CVD在反应容器（2）的处理区域（5）内的处理衬底上积累。 硅烷气体和氨气首次被供给到处理区域以进行反应。 过程区域设置有第一温度和第一压力。 此后，在阻挡向处理区域供应硅烷气体和氨气的同时追求处理区域。 此后，氮化硅膜的表面在处理区域内被硝化。 供给氨气而不向第一次供给第二次硅烷气体至处理区域。 过程区域设置有第二温度和第二压力。 在继续进行处理区域的真空排气的同时，通过重复向工艺区域重复供给和暂停非活性气体脉冲形状数倍的循环清洗。