公开(公告)号：KR100744590B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020047011711

申请日：2003-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 절연막의 표면에 적어도 산소 원자 함유 가스를 포함하는 처리 가스에 기초한 플라즈마를 조사하여 그 절연막과 전자 디바이스용 기재의 계면에 하지막을 형성한다. 절연막과 전자 디바이스용 기재 사이의 계면에 그 절연막의 특성을 향상시킬 수 있는 양질의 하지막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100639147B1

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：KR1020057025306

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.
마이크로파, 플라즈마, 절연층, CVD 처리

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种制造诸如具有绝缘层或电特性优异的半导体层的高质量MOS半导体的电子器件材料的方法。 生成使用CVD工艺的一个步骤上，其主要组件是一个单晶硅通过经由平面天线部件（SPA）中的多个狭槽照射微波于所述处理气体形成的绝缘膜，所述目标衬底，目标气体进行 以及通过使用等离子体来改性绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：KR100632844B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020047005623

申请日：2002-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32834

Abstract: A microwave plasma substrate processing apparatus is formed of a processing vessel defining a process space in which a plasma processing is conducted, a stage provided in the process space for supporting the substrate to be processed, an evacuation passage formed between the processing vessel and the stage so as to surround the stage, an evacuation system connected to the processing vessel for evacuating the process space via the evacuation passage, a process gas supplying system for introducing a process gas into the process space, a microwave window provided so as to face the substrate to be processed on the stage and formed of a dielectric material and extending substantially parallel to the substrate to be processed, the microwave window forming a part of an outer wall of the processing vessel, and a microwave antenna coupled to the microwave window, wherein at least a part of the processing vessel is covered with an insulation layer.

公开(公告)号：KR1020060006109A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020057025306

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: A method of producing an electronic device material such as an insulating layer excellent in electric characteristics and a high-quality MOS semiconductor provided with a semiconductor layer, the method comprising the step of carrying out a CVD treating on a substrate to be treated mainly containing single-crystal silicon to form an insulting film, and the step of exposing the substrate to be treated to plasma generated by irradiating a treating gas with a microwave via a flat antenna member (SPA) having a plurality of slots to modify the insulating film using this plasma.

Abstract translation: 一种制造电性特性优异的绝缘层的电子器件材料的制造方法以及具备半导体层的高质量的MOS半导体，该方法包括以下步骤：在主要含有单体的被处理基板上进行CVD处理 晶体硅以形成绝缘膜，以及通过经由具有多个槽的平坦天线构件（SPA）用微波照射处理气体而将待处理的基板暴露于等离子体的步骤，以使用该平坦天线构件 等离子体。

公开(公告)号：KR1020050075442A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：KR1020057009094

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a partition plate disposed between a plasma generating unit and a silicon substrate and having an opening. When a surface of the silicon substrate is nitrided in this plasma processing apparatus, the electron density in the surface of the silicon substrate is controlled to be within the range from 1e+7 (electrons.cm-3) to 1e+9 (electrons.cm-3). By using this plasma processing apparatus, deterioration of the silicon substrate and deterioration of a nitride film can be effectively suppressed.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括设置在等离子体发生单元和硅衬底之间并具有开口的分隔板。 当在该等离子体处理装置中将硅衬底的表面氮化时，将硅衬底的表面中的电子密度控制在1e + 7（electrons.cm-3）至1e + 9（电子）的范围内。 厘米-3）。 通过使用该等离子体处理装置，可以有效地抑制硅衬底的劣化和氮化物膜的劣化。

公开(公告)号：KR1020040045847A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：KR1020047005623

申请日：2002-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32834

Abstract: 기판 처리 장치는 플라즈마 처리가 행해지는 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 상기 처리 공간 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지대와, 상기 처리 용기와 상기 기판 유지대 사이에 상기 기판 유지대를 둘러싸도록 형성된 배기 통로와, 상기 처리 용기에 결합되어, 상기 배기 통로를 통해 상기 처리 공간을 배기하는 배기계와, 처리 가스를 상기 처리 공간에 도입하는 처리 가스 공급계와, 상기 유지대상의 피처리 기판에 대면하도록 설치되고, 유전체 재료로 이루어지며, 상기 피처리 기판에 실질적으로 평행하게 연장하여 상기 처리 용기 외벽의 일부를 구성하는 마이크로파 창과, 상기 마이크로파 창에 결합된 마이크로파 안테나로 이루어지며, 상기 처리 공간의 적어도 일부가 절연층에 의해 덮여 있다.

Abstract translation: 微波等离子体基板处理装置由处理容器形成，处理容器限定进行等离子体处理的处理空间，设置在处理空间中用于支撑待处理基板的台，形成在处理容器与台架之间的排气通道 以围绕所述台;与所述处理容器连接的用于经由所述排气通道排空所述处理空间的排气系统;用于将处理气体引入所述处理空间的处理气体供给系统;面向所述基板设置的微波窗口 在所述台上进行加工，并且由介电材料形成并且基本上平行于待加工的基板延伸，所述微波窗形成所述加工容器的外壁的一部分，以及耦合至所述微波窗的微波天线，其中在 处理容器的至少一部分被绝缘层覆盖。

公开(公告)号：KR101393890B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020120033452

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지노유타카 ,  우에다아츠시 ,  오자키시게노리 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 본 발명의 과제는 간단한 구성으로 플라즈마의 분포를 균일화하는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 처리용기(2)내에 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(5)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(5)는 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞추는 복수의 마이크로파 투과판(73)을 포함하고 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 천장부(11)의 복수의 개구부에 끼워 맞춘 상태에서, 탑재대(21)의 탑재면(21a)에 평행한 1개의 가상의 평면상에 배치되어 있다. 복수의 마이크로파 투과판(73)은 마이크로파 투과판(73A∼73G)을 포함하고 있다. 마이크로파 투과판(73G, 73A)의 중심점 P
G , P
A 간 거리와 마이크로파 투과판(73G, 73B)의 중심점 P
G , P
B 간 거리는 서로 동등하거나 대략 동등하게 되도록 설정된다.

公开(公告)号：KR100994387B1

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：KR1020097009583

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 게이트 절연막, 산화막, 산질화막, 반도체,

公开(公告)号：KR100956466B1

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100893955B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.