公开(公告)号：KR1020110056084A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：KR1020090112770

申请日：2009-11-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  소병수

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: PURPOSE: A fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same are provided to improve the property of a semiconductor layer by minimizing the amount of metal silicide and metallic catalyst within an amorphous silicon layer. CONSTITUTION: In a fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same, a buffer layer(110) is formed on a substrate(100). A metal catalytic layer(115) is formed on the buffer layer. The metallic catalyst of the metal catalytic layer is expanded to the buffer layer. The metal catalytic layer is removed. The amorphous silicon layer is formed on the buffer layer. An amorphous silicon layer is hardened to be polycrystalline silicon layer by thermal-processing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法，薄膜晶体管，其制造方法，其制造方法及其制造方法及其制造方法，以通过使金属的量最小化来提高半导体层的性能 非晶硅层内的硅化物和金属催化剂。 构成：在多晶硅的制造方法中，薄膜晶体管及其制造方法，包括该多晶硅的有机发光二极管显示装置及其制造方法，在基板（100）上形成缓冲层（110） 。 在缓冲层上形成金属催化剂层（115）。 金属催化剂层的金属催化剂扩展到缓冲层。 去除金属催化剂层。 在缓冲层上形成非晶硅层。 通过热处理衬底，非晶硅层被硬化为多晶硅层。

公开(公告)号：KR1020110019965A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020090077605

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  정재완 ,  소병수 ,  백원봉 ,  마이단축이반

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B01D8/00 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  Y02C20/30

Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.

Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。

公开(公告)号：KR101002661B1

公开(公告)日：2010-12-20

申请号：KR1020080079003

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: F27D11/12 ,  F27B9/20 ,  F27B9/36 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6776

Abstract: 본 발명은 인라인 열처리 설비를 제공한다. 상기 인라인 열처리 설비는 기판의 이송 경로를 형성하며, 상기 이송 경로를 따라 이송되는 기판을 기설정되는 결정화 온도값으로 가열하는 다수개의 가열 장치들과, 상기 가열 장치들 사이의 이송 경로에 위치되는 기판을 기설정되는 순간 열처리 온도값으로 가열하는 순간 고온 열처리부를 구비한다. 또한, 본 발명은 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법도 제공함으로써, 기판을 700도씨 이상의 고온 및 다양한 온도설계를 통한 고효율 열처리를 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。

公开(公告)号：KR1020100099917A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.

Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。

公开(公告)号：KR1020110132808A

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：KR1020100052353

申请日：2010-06-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A method for crystallization of a silicon layer and a method for forming a thin film transistor using the method for crystallization are provided to steadily form catalyst metal of a trace amount by changing the surface of an amorphous silicon layer into hydrophobic. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is formed on substrate(S110). The surface of the amorphous silicon is executed a hydrophobic treatment. A catalyst metal is formed on the amorphous silicon layer(S130). The amorphous silicon layer which forms the catalyst metal is crystallized to a polycrystalline silicon layer by a thermal process(S140). The hydrophobic treatment is processed using solution which contains hydrogen or fluorine. A gate insulating layer is formed on the polycrystalline silicon layer and a gate electrode is formed on the gate insulating layer. A source/drain domain is formed in both sides of the gate electrode. An inter layer insulating layer is formed on the gate insulating layer and the gate electrode. A source/drain electrode touches with the source/drain domain by passing through the inter layer insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种硅层的结晶方法和使用该结晶方法形成薄膜晶体管的方法，通过将非晶硅层的表面改为疏水性，稳定地形成微量的催化剂金属。 构成：在基板上形成非晶硅层（S110）。 非晶硅的表面进行疏水处理。 在非晶硅层上形成催化剂金属（S130）。 形成催化剂金属的非晶硅层通过热处理结晶成多晶硅层（S140）。 使用含有氢或氟的溶液处理疏水处理。 在多晶硅层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成栅电极。 源极/漏极区域形成在栅电极的两侧。 在栅极绝缘层和栅电极上形成层间绝缘层。 源极/漏极通过穿过层间绝缘层与源极/漏极区域接触。

公开(公告)号：KR101073557B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: 본발명은제 1 영역및 제 2 영역을포함하는공정챔버; 상기공정챔버의내측에위치하는금속타겟; 상기금속타겟을이동시키며, 상기금속타겟으로부터방출되는금속촉매의진행방향을제어하기위한제 1 쉴드를포함하는타겟이송부; 및상기제 2 영역에상기금속타겟과대향되도록위치하는기판홀더를포함하며, 상기기판홀더에안착되는기판과금속타겟사이의직선거리와상기제 1 쉴드의길이의차이는 3cm 이하인것을특징으로하는스퍼터링장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种处理室，包括：包括第一区域和第二区域的处理室; 位于处理室内的金属靶; 以及第一护罩，用于移动金属靶并控制从金属靶发射的金属催化剂的行进方向; 并且，在所述第二区域中与所述金属靶相对配置的基板支架的基板与配置在所述基板支架上的金属靶的直线距离与所述第一屏蔽件的长度之差为3cm以下 对溅射装置。

公开(公告)号：KR101050467B1

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100034388

申请日：2010-04-14

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  이길원 ,  최보경

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L27/3262

Abstract: PURPOSE: A polysilicon layer, a manufacturing method thereof, a thin film transistor using the same, and an organic light emitting display device are provided to increase the amount of on-current and to reduce leakage current by using a polysilicon layer as an active layer. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is formed on a buffer layer above a substrate. A catalyst metal layer is formed on the amorphous silicon layer so as to obtain the density of 1011-1015 atom/cm2. The catalytic metal of the catalyst metal layer is diffused into the amorphous silicon layer and a crystallization seed having a shape of a pyramid is formed on an interface between the amorphous silicon layer and the buffer layer. A silicon crystal is grown by the crystallization seed so as to form the polysilicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅层及其制造方法，使用其的薄膜晶体管和有机发光显示装置，以通过使用多晶硅层作为有源层来增加导通电流量并减少漏电流 。 构成：在衬底上方的缓冲层上形成非晶硅层。 在非晶硅层上形成催化剂金属层，得到1011〜1015原子/ cm 2的密度。 催化剂金属层的催化金属扩散到非晶硅层中，并且在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有金字塔形状的结晶晶种。 通过结晶晶种生长硅晶体，以形成多晶硅层。

公开(公告)号：KR101015849B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR101146993B1

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：KR1020100052353

申请日：2010-06-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  손용덕 ,  소병수 ,  박승규 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  이탁영 ,  박종력

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 본 발명의 일 측면에 따라 실리콘층의 결정화 방법을 개시한다. 기판 위에 비정질 실리콘층을 형성한다. 상기 비정질 실리콘층의 표면이 소수성이 되도록 상기 비정질 실리콘의 표면을 소수성 처리한다. 상기 소수성 처리된 상기 비정질 실리콘층 위에 촉매 금속을 형성한다. 상기 촉매 금속이 형성된 상기 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층으로 결정화한다.