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公开(公告)号：KR101826662B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020160060050
申请日：2016-05-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00
Abstract: 본발명은멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것으로, 보다상세하게는구조물절연막을이용한보이드패턴의형성후, 희생층을증착함으로써, CMOS 호환성있는공정에의해종래와같은하부전극의박리현상이전혀발생되지않으며, 스핀온 절연막(SOD) 또는스핀온 글래스(SOG)를통한스핀증착에따라하부패턴에영향을받지않으면서평탄화가가능하며, 비아홀의형성시, 클리닝(cleaning) 공정을더 수행하여후속증착공정에서의오염을원천적으로방지할수 있는멤스디바이스제조방법및 이에의해제조되는멤스디바이스에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101804564B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020150169042
申请日：2015-11-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81B7/02 , G01J5/20 , B81C1/00 , H01L27/04 , H01L21/768
Abstract: 비정질탄소막을희생층으로이용한멤스디바이스및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따르면, 하부구조체; 상기하부구조체의상부로이격되어배치된멤스구조체; 상기하부구조체와상기멤스구조체를전기적으로연결하는전기적연결구조체; 및상기멤스구조체의상부로이격되어배치되는플레이트부와상기플레이트부로부터상기멤스구조체로연장되는비어연결부를구비하는광흡수구조체;를포함하는, 멤스디바이스를제공한다.
Abstract translation: 提供了一种使用非晶碳膜作为牺牲层的MEMS器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例， MEMS结构，设置在下部结构的上部; 一种用于电连接下部结构和MEMS结构的电连接结构; 并且光吸收结构具有设置成与MEMS结构的上部分隔开的板部分和从板部分延伸到MEMS结构的通孔连接部分。
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公开(公告)号：KR1020170063079A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150169042
申请日：2015-11-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81B7/02 , G01J5/20 , B81C1/00 , H01L27/04 , H01L21/768
Abstract: 비정질탄소막을희생층으로이용한멤스디바이스및 그제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따르면, 하부구조체; 상기하부구조체의상부로이격되어배치된멤스구조체; 상기하부구조체와상기멤스구조체를전기적으로연결하는전기적연결구조체; 및상기멤스구조체의상부로이격되어배치되는플레이트부와상기플레이트부로부터상기멤스구조체로연장되는비어연결부를구비하는광흡수구조체;를포함하는, 멤스디바이스를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120089911A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100131806
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/327 , G01N27/403
Abstract: PURPOSE: A plastic bio sensor and a method for manufacturing the same are provided to efficiently functionalize a surface as a desired bio receptor with a simple process while maintaining a direction of the bio receptor without a surface modification process. CONSTITUTION: A plastic bio sensor comprises a plastic substrate, a bio sensor unit device, and an upper substrate(430). The plastic substrate comprises a groove of a predetermined depth. Metal lines are respectively connected to both sides of the groove. A bio sensor unit element comprising a source, a drain electrode, and a silicon substrate is seated in the inside of the groove. The upper substrate is arranged in the upper part of the bio sensor. A minute channel is comprised in the upper substrate.
Abstract translation: 目的：提供塑料生物传感器及其制造方法，以简单的方法将表面有效地功能化为期望的生物受体，同时保持生物受体的方向而不进行表面改性。 构成：塑料生物传感器包括塑料基板，生物传感器单元装置和上基板（430）。 塑料基板包括预定深度的凹槽。 金属线分别连接到槽的两侧。 包括源极，漏极电极和硅衬底的生物传感器单元元件位于槽的内部。 上基板布置在生物传感器的上部。 在上基板中包含微通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100871832B1
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070036124
申请日：2007-04-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L27/115 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자는 반도체기둥, 반도체기둥의 채널이 되는 부분의 전면을 둘러싸도록 형성되고, 반도체기둥의 전면을 둘러싸는 터널링절연막, 터널링절연막을 둘러싸는 부유게이트 및 부유게이트를 둘러싸는 제어절연막을 포함하는 비휘발성 메모리부, 비휘발성 메모리부를 둘러싼 게이트 및 반도체기둥의 채널 좌우에 각각 형성된 소오스와 드레인을 포함한다.
이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램 소자와 같이 고속으로 동작할 수 있는 전면게이트 구조의 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), 전면 게이트-
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公开(公告)号：KR101865889B1
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR1020160161575
申请日：2016-11-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비냉각형적외선센서픽셀의 3차원구조에관한것으로, 비냉각형적외선센서를구성하는픽셀의구조에있어서, 기판; 상기기판상에설치된지지기둥; 상기지지기둥에일단이연결된연결레그; 및상기연결레그의타단이연결되어상기기판으로부터공중으로이격되어위치하는적외선감지부를포함하여구성되며, 상기연결레그는상기적외선감지부의양쪽에 2개가연결되고, 상기 2개의연결레그는각각다른지지기둥에연결되며, 상기연결레그가연결된 2개의지지기둥중에적어도하나는인접한다른픽셀의적외선감지부에일단이연결된연결레그의타단이함께연결된것을특징으로한다. 본발명은, 지지기둥을인접한픽셀에서공유하여사용함으로써, 지지기둥의면적을좁히지않아서지지기둥의기계적안정성은유지하는상태로각 픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄일수 있는효과가있다. 또한, 각픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄여적외선감지부의면적을넓힘으로써, 적외선센서의분해능과성능이향상되고, 나아가웨이퍼당 칩의개수를더 많이획득하게되어제품의가격경쟁력을높일수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020130076329A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144878
申请日：2011-12-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/56 , B29C35/0805 , B29C2035/0827 , B29K2083/00 , B29K2875/00 , B29K2905/02 , B29K2905/06 , B29K2905/10 , B29K2905/12 , B29K2905/14 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint and the replication mold for the nano imprint are provided to endure several imprinting steps and to facilitate duplication because the replication mold is easily discharged from a master mold without cleavage. CONSTITUTION: A method for manufacturing a replication mold for a nano imprint is as follows: a step of manufacturing a master mold (5) by forming intaglio and embossed nano patterns on a master substrate (1); a step of manufacturing a polymer mold with reversed nano patterns by hardening polymer solution on the master mold; a step of separating the polymer mold from the master mold; and a step of forming a metal layer on the reversed nano patterns of the polymer mold.
Abstract translation: 目的：制造用于纳米压印的复制模具的方法和用于纳米压印的复制模具，以承受几个压印步骤并且便于重复，因为复制模具容易地从主模具排出而不会分裂。 构成：用于制造用于纳米压印的复制模具的方法如下：通过在母基板（1）上形成凹版和压花纳米图案来制造母模（5）的步骤; 通过在主模上固化聚合物溶液来制造具有反向纳米图案的聚合物模具的步骤; 将聚合物模具与母模分离的步骤; 以及在聚合物模具的反转的纳米图案上形成金属层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020120015962A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100078538
申请日：2010-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/265 , H01L21/28185 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A tunnel insulating layer, a non-volatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to remarkably reduce a leakage current by forming an insulating layer separation area including silicon-nitrogen combination by annealing after injecting a nitrogen ion in the tunnel insulating layer. CONSTITUTION: An insulating layer consisting of silicon oxide is formed on the upper side of a substrate(S10). The insulating layer is formed by a low-pressure chemical vapor deposition, a wet oxidation method or a thermal oxidation method. An ion doping layer is formed in the inner side of the insulating layer by injecting an ion in the insulating layer(S20). An insulating layer separation area is formed in the inner side of the insulating layer by annealing the insulating layer in which the ion doping layer is formed(S30).
Abstract translation: 目的：提供隧道绝缘层，非易失性存储器件及其制造方法，通过在隧道绝缘中注入氮离子之后通过退火形成包含硅 - 氮组合的绝缘层分离区，显着降低漏电流 层。 构成：在基板的上侧形成由氧化硅构成的绝缘层（S10）。 绝缘层通过低压化学气相沉积，湿式氧化法或热氧化法形成。 通过在绝缘层中注入离子，在绝缘层的内侧形成离子掺杂层（S20）。 通过使形成有离子掺杂层的绝缘层退火，在绝缘层的内侧形成绝缘层分离区域（S30）。
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