公开(公告)号：AU2003273924A1

公开(公告)日：2004-04-19

申请号：AU2003273924

申请日：2003-08-28

Applicant: IBM

Inventor： VARANASI PUSHKARA RAO ,  NISHIMURA YUKIO ,  KOBAYASHI EIICHI ,  KHOJASTEH MAHMOUD M ,  CHEN KUANG-JUNG

IPC: G03F7/039

Abstract: Acid-catalyzed positive resist compositions which are imageable with 193 nm radiation and/or possibly other radiation and are developable to form resist structures of improved development characteristics and improved etch resistance are enabled by the use of resist compositions containing imaging polymer component comprising an acid-sensitive polymer having a monomeric unit with a pendant group containing a remote acid labile moiety.

公开(公告)号：DE112013003188T5

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE112013003188

申请日：2013-06-27

Applicant: IBM

Inventor： LIU SEN ,  CHEN KUANG-JUNG ,  HOLMES STEVEN ,  HUANG WU-SONG ,  KWONG RANEE WAI-LING

IPC: G02B1/11 ,  B32B7/02 ,  G03F7/004

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Zusammensetzung einer entwickelbaren untenliegenden Antireflexbeschichtung (BARC-Zusammensetzung) und ein Verfahren zum Bilden von Strukturen unter Verwendung der BARC-Zusammensetzung. Die BARC-Zusammensetzung enthält ein erstes Polymer mit einer ersten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden alicyclischen Einheit und einer ersten chromophoren Einheit; ein zweites Polymer mit einer zweiten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden acyclischen Einheit und einer zweiten chromophoren Einheit; ein Vernetzungsmittel; und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator. Die erste und die zweite chromophore Einheit absorbieren jeweils Licht mit einer Wellenlänge von 100 nm bis 400 nm. Bei dem Verfahren zum Bilden von Strukturen wird eine Photoresistschicht über einer BARC-Schicht aus der BARC-Zusammensetzung gebildet. Nach dem Exponieren werden nichtexponierte Bereiche der Photoresistschicht und der BARC-Schicht selektiv durch einen Entwickler entfernt, um eine strukturierte Struktur in der Photoresistschicht zu bilden. Die BARC-Zusammensetzung und das Verfahren zum Bilden von Strukturen sind besonders für Implantationsebenen verwendbar.

公开(公告)号：GB2498674A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：GB201307732

申请日：2011-10-21

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  LIU SEN ,  HUANG WU-SONG ,  LI WAI-KIN

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: The present invention relates to a photoresist composition capable of negative development and a pattern forming method using the photoresist composition. The photoresist composition includes an imaging polymer and a radiation sensitive acid generator. The imaging polymer includes a first monomelic unit having a pendant acid labile moiety and a second monomelic unit containing a reactive ether moiety, an isocyanide moiety or an isocyanate moiety. The patterning forming method utilizes an organic solvent developer to selectively remove unexposed regions of a photoresist layer of the photoresist composition to form a patterned structure in the photoresist layer. The photoresist composition and the pattern forming method are especially useful for forming material patterns on a semiconductor substrate using 193nm (ArF) lithography.

公开(公告)号：AU2003303304A1

公开(公告)日：2004-08-23

申请号：AU2003303304

申请日：2003-09-11

Applicant: IBM

Inventor： WONG RANEE W ,  CHEN KUANG-JUNG ,  VARANASI PUSHKARA RAO ,  ALLEN ROBERT D ,  BROCK PHILLIP ,  HOULE FRANCES ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  KHOJASTEH MAHMOUD M

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/38

Abstract: The silicon-containing resist compositions which have low silicon outgassing and high resolution lithographic performance, especially in bilayer or multilayer lithographic applications using 193 nm or shorter wavelength imaging radiation are enabled by the presence of an imaging polymer having silicon-containing, non-acid-labile pendant groups. The resist compositions of the invention are preferably further characterized by the substantial absence of silicon-containing acid-labile moieties.

公开(公告)号：GB2487129B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：GB201200145

申请日：2010-09-14

Applicant: IBM

Inventor： SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  ALLEN ROBERT DAVID ,  BROCK PHILLIP JOE ,  SWANSON SALLY ANN ,  FRIZ ALEXANDER ,  HUANG WU-SONG ,  CHEN KUANG-JUNG ,  TRUONG HOA

IPC: C09D143/04 ,  G03F7/00 ,  G03F7/075

公开(公告)号：GB2517324A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：GB201419648

申请日：2013-06-27

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HOLMES STEVEN ,  HUANG WU-SONG ,  KWONG RANEE WAI-LING ,  LIU SEN

IPC: G02B1/11 ,  B32B7/02 ,  C09D133/00 ,  G03F7/004

Abstract: The present invention relates to a developable bottom antireflective coating (BARC) composition and a pattern forming method using the BARC composition. The BARC composition includes a first polymer having a first carboxylic acid moiety, a hydroxy- containing alicyclic moiety, and a first chromophore moiety; a second polymer having a second carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing acyclic moiety, and a second chromophore moiety; a crosslinking agent; and a radiation sensitive acid generator. The first and second chromophore moieties each absorb light at a wavelength from 100 nm to 400 nm. In the patterning forming method, a photoresist layer is formed over a BARC layer of the BARC composition. After exposure, unexposed regions of the photoresist layer and the BARC layer are selectively removed by a developer to form a patterned structure in the photoresist layer. The BARC composition and the pattern forming method are especially useful for implanting levels.

公开(公告)号：GB2511665A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：GB201408327

申请日：2012-11-02

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  HOLMES STEVEN ,  BREYTA GREGORY

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: The present invention relates to a hybrid photoresist composition for improved resolution and a pattern forming method using the photoresist composition. The photoresist composition includes a radiation sensitive acid generator, a crosslinking agent and a polymer having a hydrophobic monomer unit and a hydrophilic monomer unit containing a hydroxyl group. At least some of the hydroxyl groups are protected with an acid labile moiety having a low activation energy. The photoresist is capable of producing a hybrid response to a single exposure. The patterning forming method utilizes the hybrid response to form a patterned structure in the photoresist layer. The photoresist composition and the pattern forming method of the present invention are useful for printing small features with precise image control, particularly spaces of small dimensions.

公开(公告)号：DE112012004718T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012004718

申请日：2012-11-02

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HUANG WU-SONG ,  HOLMES STEVEN J ,  BREYTA GREGORY ,  LIU SEN

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine hybride Photoresistzusammensetzung für eine verbesserte Auflösung sowie auf ein musterbildendes Verfahren unter Verwendung der Photoresistzusammensetzung. Die Photoresistzusammensetzung beinhaltet einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator, ein quervernetzendes Agens sowie ein Polymer mit einer hydrophoben Monomer-Einheit und einer hydrophilen Monomer-Einheit, die eine Hydroxyl-Gruppe enthält. Wenigstens einige der Hydroxyl-Gruppen sind mit einer säurelabilen funktionellen Gruppe mit einer niedrigen Aktivierungsenergie geschützt. Das Photoresist ist in der Lage, eine hybride Reaktion auf eine einzelne Belichtung zu erzeugen. Das musterbildende Verfahren verwendet die hybride Reaktion, um eine Struktur mit Muster in der Photoresistschicht zu bilden. Die Photoresistzusammensetzung und das musterbildende Verfahren der vorliegenden Erfindung sind nützlich, um kleine Elemente mit einer präzisen Abbildungssteuerung zu drucken, im Besonderen Zwischenräume mit geringen Abmessungen.