公开(公告)号：DE102014109571A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102014109571

申请日：2014-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC

IPC: H01L21/52 ,  B81C1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H04R1/04

Abstract: Ein Verfahren zum Packaging integrierter Schaltungen umfasst Bereitstellen eines geformten Substrats mit einer ersten Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies und einer Vielzahl von Platzhaltern, die voneinander seitlich beabstandet und von einer Formmasse bedeckt sind. Die Formmasse ist gedünnt, damit mindestens einige der Platzhalter freiliegen. Die freigelegten Platzhalter werden entfernt, um Hohlräume in dem geformten Substrat auszubilden. Eine zweite Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies wird in die in dem geformten Substrat ausgebildeten Hohlräume eingesetzt. Elektrische Verbindungen werden zu der ersten Vielzahl und der zweiten Vielzahl funktionsfähiger Halbleiter-Dies auf einer nicht von der Formmasse bedeckten Seite der Dies ausgebildet.

公开(公告)号：DE102014102118A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102014102118

申请日：2014-02-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KILGER THOMAS ,  WACHTER ULRICH ,  MAIER DOMINIC ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Diverse Halbleiterchips enthalten je eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche. Eine erste Verkappungsschicht wird über den zweiten Hauptflächen der Halbleiterchips appliziert. Eine Elektroverdrahtungsschicht wird über den ersten Hauptflächen der ersten Halbleiterchips appliziert. Eine zweite Verkappungsschicht wird über der Elektroverdrahtungsschicht appliziert. Die Dikke der ersten Verkappungsschicht und die Dicken der ersten Halbleiterchips werden reduziert. Die Struktur kann vereinzelt werden, um mehrere Halbleiterbauelemente zu erhalten.

公开(公告)号：DE102017202578B4

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Halbleiterchip (502);ein Guss-Einkapselungsmaterial (506), das den Halbleiterchip seitlich umgibt;eine Umverteilungsschicht (512) auf einer ersten Seite des Halbleiterchips, wobei die Umverteilungsschicht mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist;eine Dielektrikumschicht (526) bestehend aus einem Laminat;eine leitfähige Schicht (514) zwischen der Dielektrikumschicht und dem Halbleiterchip, wobei die leitfähige Schicht an der Dielektrikumschicht gebildet ist;eine Chipbefestigungsfolie (516), mittels welcher die leitfähige Schicht (514) an dem Guss-Einkapselungsmaterial (506) und an einer zweiten Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite befestigt ist; undeine Antenne (518) auf der Dielektrikumschicht,wobei die Dielektrikumschicht zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip ist.

公开(公告)号：DE102016117990A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016117990

申请日：2016-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAIER DOMINIC ,  PORWOL DANIEL ,  SIGL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/00 ,  H04R1/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung umfasst Bereitstellen eines Halbleiterwafers, Bilden von mehreren Hohlräumen in den Halbleiterwafer, Füllen eines Stabilisierungsmaterials in die Hohlräume, Herstellen einer temporären Platte durch Aufbringen einer Kappenschicht auf den Halbleiterwafer, wobei die Kappenschicht die Hohlräume bedeckt, Vereinzeln der temporären Platte in mehrere Halbleitervorrichtungen, Herstellen eines eingebetteten Wafers durch Einbetten der Halbleitervorrichtungen in ein Verkapselungsmittel, Entfernen der Kappenschicht von jeder der Halbleitervorrichtungen und Vereinzeln des eingebetteten Wafers in mehrere elektronische Vorrichtungen.

公开(公告)号：DE102017205748A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102017205748

申请日：2017-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  MAIER DOMINIC ,  LODERMEYER JOHANNES ,  STADLER BERND

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/04 ,  H01L25/16 ,  H04R19/04

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält einen MEMS(Microelectromechanical System)-Die, einen Deckel und einen integrierten Schaltungs-Die. Der Deckel befindet sich über dem MEMS-Die und definiert einen Hohlraum zwischen dem Deckel und dem MEMS-Die. Der integrierte Schaltungs-Die ist an einer Innenseite des Deckels angebracht. Der integrierte Schaltungs-Die ist elektrisch an den MEMS-Die gekoppelt.

公开(公告)号：DE102017204944A1

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：DE102017204944

申请日：2017-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOREIRA ARAUJO RUI MIGUEL ,  GOLLER BERND ,  MAIER DOMINIC

IPC: G01L9/00

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen eine Einrichtung zum Bestimmen einer Eigenschaft eines Fluids bereit. Die Einrichtung kann eine Vorrichtung beinhalten, die dazu konfiguriert ist, einen hydrodynamischen Druck des Fluids zu bestimmen. Die Einrichtung kann ferner einen Sensor beinhalten, der dazu konfiguriert ist, einen hydrostatischen Druck des Fluids oder wenigstens einer Komponente des Fluids zu bestimmen. Die Einrichtung kann auch ein gemeinsames Substrat, auf dem der Sensor und die Vorrichtung, die dazu konfiguriert ist, einen hydrodynamischen Druck des Fluids zu bestimmen, gemeinsam angeordnet sein können, und einen ASIC (Application Specific Integrated Circuit – anwendungsspezifischer integrierter Schaltkreis), der elektrisch mit der Vorrichtung und/oder dem Sensor gekoppelt sein kann, beinhalten. Der ASIC kann wenigstens teilweise in dem gemeinsamen Substrat eingebettet sein.

公开(公告)号：DE102015106442A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：DE102015106442

申请日：2015-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜHLBAUER FRANZ ,  MAIER DOMINIC ,  MENATH MARKUS ,  KILGER THOMAS ,  WAGNER JÜRGEN ,  DEHE ALFONS ,  PORWOL DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/78 ,  H04R1/04

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Chipgehäuses vorgeschlagen. Mehrere Chips werden auf einem ersten Wafer bereitgestellt. Jeder Chip umfasst einen Hohlraum, der sich zu einer ersten Hauptfläche des Chips öffnet. Die Hohlräume werden vorläufig gefüllt oder abgedeckt. Dann werden die Chips vereinzelt. Die vereinzelten Chips werden in ein Verkapselungsmaterial eingebettet. Dann werden die Hohlräume wieder freigelegt.

公开(公告)号：DE102016106603A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE102016106603

申请日：2016-04-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  MAIER DOMINIC ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L23/043 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/552 ,  H04R1/00

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement mit einem Deckel sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Deckel offenbart. Das Halbleiterbauelement enthält ein Substrat. Ein Bauelement wird auf dem Substrat positioniert. Ein Deckel, der aus einem Halbleitermaterial besteht, wird über dem Bauelement positioniert, um einen Schutzhohlraum um das Bauelement zu bilden. Der Deckel wird mittels eines Halbleiterprozesses ausgebildet. In anderen Beispielen kann der Deckel aus einem nicht-leitfähigen Material hergestellt sein, wie zum Beispiel einem Polymermaterial. Die Deckel können im Rahmen eines diskontinuierlichen Prozesses ausgebildet werden.

公开(公告)号：DE102011000836B4

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE102011000836

申请日：2011-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  HEITZER LUDWIG ,  MAIER DOMINIC

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/522

Abstract: Bauelement (100), umfassend: einen Halbleiterchip (10), der auf einer ersten Hauptseite (12) des Halbleiterchips (10) angeordnete Kontaktstellen (11) umfasst, ein Material (13) mit einer Bruchdehnung von mehr als 35%, wobei das Material (13) die erste Hauptseite (12) des Halbleiterchips (10) bedeckt, einen Einkapselungskörper (14), der den Halbleiterchip (10) bedeckt, und eine Metallschicht (15), die elektrisch mit den Kontaktstellen (11) des Halbleiterchips (10) gekoppelt ist und sich über den Einkapselungskörper (14) erstreckt, wobei das Material (13) mit einer Bruchdehnung von mehr als 35% in einem Array oder einer anderen Anordnung von Pads (31) auf dem Halbleiterchip (10) angeordnet ist, über jedem der aus dem Material (13) mit einer Bruchdehnung von mehr als 35% bestehenden Pads (31) eine jeweilige externe Kontaktstelle (27) angeordnet ist, über mindestens einer der externen Kontaktstellen (27) eine jeweilige Lotabscheidung (28) angeordnet ist, und die externen Kontaktstellen (27) und die Lotabscheidungen (28) in demselben Array oder in derselben Anordnung wie die Pads (31) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102014111420A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Ein Halbleitergehäuse wird durch Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips, einem Bereitstellen eines Materials, das mit dem Nacktchip an einer gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips verbunden ist und einem solchen Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse hergestellt, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist. Die Formmasse wird an einer Seite der Formmasse, benachbart zu der zweiten Seite des Nacktchips, gedünnt, um das Material an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen. Eine elektrische Verbindung wird mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips ausgebildet. Im Fall eines Transistor-Nacktchips kann der Anschluss ein Source-Anschluss sein, und der Transistor-Nacktchip kann mit der Source nach unten an einem Metallblock wie einem Diepaddle eines Leiterrahmens angebracht sein.