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    DIE-GEHÄUSE UND VERFAHREN ZU M HERSTELLEN EINES DIE-GEHÄUSES
    21.
    发明专利
    DIE-GEHÄUSE UND VERFAHREN ZU M HERSTELLEN EINES DIE-GEHÄUSES 未知

    公开(公告)号：DE102019009179A1

    公开(公告)日：2020-12-24

    申请号：DE102019009179

    申请日：2019-06-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PALM PETTERI ,  KESSLER ANGELA

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

    Abstract: [00156] Ein Die-Gehäuse ist bereitgestellt. Das Die-Gehäuse (230), weist einen laminierten Träger (106), der wenigstens eine Vertiefung (116) umfasst, einen Die (102) mit einer Vorderseite und einer Rückseite und einer Vorderseitenmetallisierung (104F), wobei der Die (102) in der wenigstens einen Vertiefung (116) mit seiner Vorderseite einer Unterseite der wenigstens einen Vertiefung (116) zugewandt angeordnet ist, ein erstes Kapselungsmaterial (108), das den Die (102) teilweise einkapselt, wobei wenigstens die Rückseite bedeckt ist, ein zweites Kapselungsmaterial (112), das die Vorderseitenmetallisierung (104F) bedeckt, und ein Haftvermittlermaterial (222) zwischen der Vorderseitenmetallisierung (104F) und dem zweiten Kapselungsmaterial (112) und in direktem physischem Kontakt mit dem zweiten Kapselungsmaterial (112) und der Vorderseitenmetallisierung (104F) auf.

    DIE-GEHÄUSE UND VERFAHREN ZU M HERSTELLEN EINES DIE-GEHÄUSES
    22.
    发明专利
    DIE-GEHÄUSE UND VERFAHREN ZU M HERSTELLEN EINES DIE-GEHÄUSES 未知

    公开(公告)号：DE102019116928B3

    公开(公告)日：2020-12-10

    申请号：DE102019116928

    申请日：2019-06-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PALM PETTERI ,  KESSLER ANGELA

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

    Abstract: Ein Die-Gehäuse ist bereitgestellt. Das Die-Gehäuse kann Folgendes beinhalten: einen laminierten Träger einschließlich wenigstens einer Vertiefung, einen ersten Die mit einer Vorderseite und einer Rückseite und einer Vorderseitenmetallisierung auf der Vorderseite und einer Rückseitenmetallisierung auf der Rückseite, wobei der erste Die in der wenigstens einen Vertiefung angeordnet ist, ein erstes Kapselungsmaterial, das den ersten Die teilweise einkapselt, wobei wenigstens die Vorderseitenmetallisierung oder die Rückseitenmetallisierung bedeckt wird, und ein Haftvermittlermaterial zwischen der Metallisierung, die durch das erste Kapselungsmaterial bedeckt ist, und dem ersten Kapselungsmaterial und in direktem physischem Kontakt mit dem ersten Kapselungsmaterial und der Metallisierung, die durch das erste Kapselungsmaterial bedeckt ist.

    Verfahren zum Ausbilden von Kontakten zu einem eingebetteten Halbleiterchip und zugehörige Halbleiterpackungen
    23.
    发明专利
    Verfahren zum Ausbilden von Kontakten zu einem eingebetteten Halbleiterchip und zugehörige Halbleiterpackungen 未知

    公开(公告)号：DE102019105356A1

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：DE102019105356

    申请日：2019-03-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PALM PETTERI

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/66 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50

    Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden von Kontakten zu einem eingebetteten Halbleiterchip beinhaltet ein Einbetten eines Halbleiterchips in ein Verkapselungsmaterial, wobei der Halbleiterchip einen ersten Anschluss an einer ersten Seite des Halbleiterchips hat, ein Ausbilden einer ersten Metallmaske auf einer ersten Oberfläche des Verkapselungsmaterials, wobei die erste Metallmaske über der ersten Seite des Halbleiterchips positioniert ist und einen ersten Teil des Verkapselungsmaterials freilegt, welcher mit dem ersten Anschluss des Halbleiterchips ausgerichtet ist, ein Richten eines unter Druck stehenden Stroms von Flüssigkeit in Richtung auf die erste Oberfläche des Verkapselungsmaterials mit der ersten Metallmaske, um den ersten freigelegten Teil des Verkapselungsmaterials zu entfernen und eine erste Kontaktöffnung zu dem ersten Anschluss des Halbleiterchips auszubilden, und ein Ausbilden eines elektrisch leitenden Materials in der ersten Kontaktöffnung. Zugehörige Halbleiterpackungen werden ebenfalls beschrieben.

    Elektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
    24.
    发明专利
    Elektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102015122282A1

    公开(公告)日：2017-06-22

    申请号：DE102015122282

    申请日：2015-12-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  PALM PETTERI ,  FÜRGUT EDWARD ,  OFNER GERALD

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

    Abstract: Elektronisches Bauteil (900), das Folgendes umfasst: eine elektrisch isolierende Schicht (100) mit mindestens einem Durchgangsloch (700), eine strukturierte, elektrisch leitfähige Struktur (200) mindestens auf Teilen der elektrisch isolierenden Schicht (100), einen elektronischen Chip (300), der elektrisch mit der strukturierten, elektrisch leitfähigen Struktur (200) gekoppelt ist, ein Verkapselungsmaterial (400), das den elektronischen Chip (300) mindestens teilweise verkapselt, und mindestens eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (800, 304) mindestens teilweise in dem mindestens einen Durchgangsloch (700) in Kontakt mit mindestens einem Teil der strukturierten, elektrisch leitfähigen Struktur (200).

    Halbleitervorrichtungen mit parallelen elektrisch leitenden Schichten
    26.
    发明专利
    Halbleitervorrichtungen mit parallelen elektrisch leitenden Schichten 未知

    公开(公告)号：DE102020106518A1

    公开(公告)日：2021-09-16

    申请号：DE102020106518

    申请日：2020-03-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PALM PETTERI ,  FEHLER ROBERT ,  HOEGLAUER JOSEF ,  KESSLER ANGELA

    IPC: H01L23/482

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip mit einem ersten Chipkontaktpad auf einer ersten Chiphauptfläche. Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine erste elektrisch leitende Schicht, die über der ersten Chiphauptfläche angeordnet und elektrisch mit dem ersten Chipkontaktpad gekoppelt ist, wobei sich die erste elektrisch leitende Schicht in einer Richtung parallel zur ersten Chiphauptfläche erstreckt. Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine zweite elektrisch leitende Schicht, die über der ersten elektrisch leitenden Schicht angeordnet und elektrisch mit der ersten elektrisch leitenden Schicht gekoppelt ist, wobei sich die zweite elektrisch leitende Schicht in einer Richtung parallel zur ersten elektrisch leitenden Schicht erstreckt. Die Halbleitervorrichtung enthält ferner eine elektrische Durchverbindung, die elektrisch mit der ersten elektrisch leitenden Schicht und mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht gekoppelt ist, wobei sich die elektrische Durchverbindung in einer Richtung senkrecht zur ersten Chiphauptfläche erstreckt, und wobei in einer Draufsicht auf die erste Chiphauptfläche die elektrische Durchverbindung und der Halbleiterchip sich nicht überlappen.

    Leistungsstufenvorrichtung mit Trägerrahmen für ein Leistungsstufenmodul und einen integrierten Induktor
    28.
    发明专利
    Leistungsstufenvorrichtung mit Trägerrahmen für ein Leistungsstufenmodul und einen integrierten Induktor 未知

    公开(公告)号：DE102020103456A1

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：DE102020103456

    申请日：2020-02-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CHO EUNG SAN ,  PALM PETTERI

    IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

    Abstract: Eine Leistungsvorrichtung enthält einen Rahmen, welcher ein elektrisch isolierendes Material hat, eine Öffnung in dem elektrisch isolierenden Material hat, und einen elektrischen Leiter hat, welcher sich durch das elektrisch isolierende Material erstreckt. Ein Leistungsstufenmodul, welches in der Öffnung befestigt ist, hat einen Ausgangsanschluss an einer ersten Seite des Leistungsstufenmoduls, und einen Leistungsanschluss, einen Masseanschluss und eine Mehrzahl von Eingang/Ausgang (I/O) Anschlüssen an einer zweiten Seite des Leistungsstufenmoduls, welche der ersten Seite entgegengesetzt ist. Eine passive Komponente hat einen ersten Anschluss, welcher mit dem Ausgangsanschluss des Leistungsstufenmoduls verbunden ist, und einen zweiten Anschluss, welcher mit dem elektrischen Leiter des Rahmens verbunden ist. Die passive Komponente hat eine größere Grundfläche als das Leistungsstufenmodul. Der Rahmen vergrößert die Grundfläche des Leistungsstufenmoduls, um das Montieren der passiven Komponente an die Leistungsvorrichtung aufzunehmen. Der Rahmen hat eine niedrigere Verbindungsdichte als das Leistungsstufenmodul.

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