中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

51 records (took 0.022 seconds)

    OPTISCHER ON-CHIP-ISOLATOR
    21.
    发明专利
    OPTISCHER ON-CHIP-ISOLATOR 未知

    公开(公告)号：DE112017001356T5

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：DE112017001356

    申请日：2017-02-06

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： HECK JOHN ,  HUTCHISON DAVID N ,  SUN JIE ,  RONG HAISHENG ,  KIM WOOSUNG

    IPC: G02B6/12 ,  G02B6/293

    Abstract: Ausführungsformen hierin betreffen photonische integrierte Schaltungen mit einem optischen On-Chip-Isolator. Ein photonischer Senderchip kann einen Laser und einen On-Chip-Isolator aufweisen, der optisch mit dem Laser gekoppelt ist, der einen optischen Wellenleiter mit einem Teilabschnitt aufweist, der mit einem magnetooptischen in Flüssigphasenepitaxie aufgewachsenen Granatfilm gekoppelt ist. In einigen Ausführungsformen kann eine Ummantelung mit dem Granatfilm gekoppelt sein, der On-Chip-Isolator kann in einer Mach-Zehnder-Interferometerkonfiguration angeordnet sein, der Wellenleiter kann einen oder mehrere Polarisationsrotatoren aufweisen, und/oder der Granatfilm kann aus einem Material einer Seltenerd-Granat-Familie ausgebildet sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

    A Hybrid III-V silicon laser formed by direct bonding
    22.
    发明专利
    A Hybrid III-V silicon laser formed by direct bonding 未知

    公开(公告)号：GB2527440A

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：GB201515760

    申请日：2012-03-17

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： HECK JOHN ,  BAR HANAN ,  JONES RICHARD ,  PARK HYUNDAI

    IPC: H01S5/026 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

    Abstract: A hybrid III-V silicon laser 220 comprising a first semiconductor region 250 comprising layers of semiconductor materials from group III and group V semiconductor to form an active region; and a second semiconductor region 240 having a silicon waveguide directly bonded to the first semiconductor region, which comprising indium phosphide (InP); Wherein a first electrical contact 108 is coupled to the first semiconductor region and a pair of second electrical contacts 107 is bonded to the second semiconductor region, wherein electrical current flows from the first electrical contact to the second electrical contacts through the second semiconductor region. The bonding between the first and second semiconductor layers may be carried out at room temperature in a vacuum. In one embodiment a plurality of transmitters and receivers are included (see Figure 4).

    Packaging microelectromechanical structures
    24.
    发明专利
    Packaging microelectromechanical structures 未知

    公开(公告)号：AU2003212969A8

    公开(公告)日：2003-10-13

    申请号：AU2003212969

    申请日：2003-02-07

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： WONG DANIEL ,  BERRY MICHELE ,  RAO VALLURI ,  MA QING ,  HECK JOHN

    IPC: B81B7/00 ,  H01L23/10

    Abstract: A MEMS device may be formed in a hermetic cavity by sealing a pair of semiconductor structures to one another, enclosing the MEMS device. The two structures may be coupled using surface mount techniques as one example, so that the temperatures utilized may be compatible with many MEMS applications. Electrical interconnection layers in one or the other of these structures may be utilized to allow electrical interconnections from the exterior world to the MEMS components within the cavity.

    OPTISCHER KOHÄRENTER EMPFÄNGER AUF EINEM CHIP
    25.
    发明专利
    OPTISCHER KOHÄRENTER EMPFÄNGER AUF EINEM CHIP 未知

    公开(公告)号：DE102021115855A1

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：DE102021115855

    申请日：2021-06-18

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： SAKIB MEER NAZMUS ,  LIAO PEICHENG ,  KUMAR RANJEET ,  HUANG DUANNI ,  RONG HAISHENG ,  FRISH HAREL ,  HECK JOHN ,  MA CHAOXUAN ,  LI HAO ,  BALAMURUGAN GANESH

    IPC: H04B10/61 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

    Abstract: Hier beschriebene Ausführungsformen können Einrichtungen, Prozesse und Techniken in Bezug auf kohärente optische Empfänger betreffen, einschließlich kohärenter Empfänger mit integrierten Ganzsiliciumwellenleiterfotodetektoren und abstimmbaren Lokaloszillatoren, die in CMOS-Technologie implementiert sind.Ausführungsformen betreffen auch abstimmbare Siliciumhybridlaser mit integrierten Temperatursensoren zum Steuern der Wellenlänge. Ausführungsformen betreffen auch eine Post-Prozess-Phasenkorrektur eines optischen Hybrids und verschachtelter I/Q-Modulatoren. Ausführungsformen betreffen auch Demultiplexfotodetektoren basierend auf mehreren Mikroringen. Bei Ausführungsformen können alle Komponenten auf einem Siliciumsubstrat implementiert sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

    Optischer Empfänger, der eine Metaoberflächensammellinse einsetzt
    26.
    发明专利
    Optischer Empfänger, der eine Metaoberflächensammellinse einsetzt 未知

    公开(公告)号：DE102019103956A1

    公开(公告)日：2019-09-26

    申请号：DE102019103956

    申请日：2019-02-18

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： HECK JOHN ,  FRISH HAREL ,  WEST PAUL

    IPC: H01L31/0232 ,  G02B3/00 ,  G02B3/08 ,  H01L31/10

    Abstract: Bei Ausführungsformen kann eine optoelektronische Einrichtung Folgendes beinhalten: ein Substrat mit einer ersten Seite und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite; einen Fotodetektor, der auf der ersten Seite des Substrats angeordnet ist, wobei der Fotodetektor zum Umwandeln eines Lichtsignals in ein elektrisches Signal ausgelegt ist; und eine dielektrische Metaoberflächenlinse, die in die zweite Seite des Substrats geätzt ist, wobei die dielektrische Metaoberflächenlinse zum Sammeln von einfallendem Licht und Fokussieren von diesem durch das Substrat auf den Fotodetektor ausgelegt ist.

    PACKAGING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS
    27.
    发明专利
    PACKAGING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS 未知

    公开(公告)号：MY138825A

    公开(公告)日：2009-07-31

    申请号：MYPI20030639

    申请日：2003-02-25

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： HECK JOHN ,  BERRY MICHELE ,  WONG DANIEL ,  RAO VALLURI

    IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/31

    Abstract: A PACKAGED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (18) MAY BE FORMED IN A HERMETIC CAVITY (22) BY FORMING THE SYSTEM (18) ON A SEMICONDUCTOR STRUCTURE (12) AND COVERING THE SYSTEM WITH A THERMALLY DECOMPOSING FILM (25). THAT FILM (25) MAY THEN BE COVERED BY A SEALING COVER (20). SUBSEQUENTLY, THE THERMALLY DECOMPOSING MATERIAL (25) MAY BE DECOMPOSED, FORMING A CAVITY (22), WHICH CAN THEN BE SEALED TO HERMETICALLY ENCLOSE THE SYSTEM (18).

Patent Agency Ranking