公开(公告)号：DE10233050A1

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：DE10233050

申请日：2002-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOGNER GEORG ,  BRAUNE BERT ,  BRUNNER HERBERT

IPC: G02F1/13357 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: An LED light source, especially for producing white light by color mixing comprises at least two different LEDs (1,2), one emitting at 300-465 nm which is converted to a longer wavelength by a fluorescent material (6) and the second emitting at 470-490 nm which passes through the fluorescent material.

公开(公告)号：DE10041328A1

公开(公告)日：2002-03-14

申请号：DE10041328

申请日：2000-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAITL GUENTER ,  BRUNNER HERBERT ,  BOGNER GEORG ,  LEX WOLFGANG

IPC: H01L23/28 ,  H01L25/13 ,  H01L25/16 ,  H01L33/48 ,  H01L23/48 ,  B65D73/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component comprising a semiconductor chip (1), which is mounted on a flexible chip support (6). Strip conductors (3, 5) for electrically connecting the semiconductor chip (1) are configured on a first primary surface of said support and the latter also accommodates a housing frame (7), which is filled with a radiation-permeable medium, in particular a filler compound. The invention also relates to a display device, an illumination or backlighting device and to a method for producing components according to the invention.

公开(公告)号：DE10038213A1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：DE10038213

申请日：2000-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOGNER GEORG ,  KROMOTIS PATRICK ,  MARCHL WERNER ,  SPAETH WERNER ,  WAITL GUENTER ,  GRAMANN WOLFGANG

IPC: B29C39/02 ,  B29D11/00 ,  B29L11/00 ,  F21V5/04 ,  G02B3/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  G02B1/02

Abstract: A method for producing a lens mold suitable for manufacturing a field of micro-lenses is disclosed. The method includes the step of molding the lens mold from a sheaf of closely-packed balls held by a hexagonal mounting.

公开(公告)号：DE19922176C2

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：DE19922176

申请日：1999-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT KARLHEINZ ,  WAITL GUENTER ,  BOGNER GEORG

IPC: F21V19/00 ,  F21S8/00 ,  F21S8/04 ,  F21S8/10 ,  F21V29/00 ,  F21V29/74 ,  F21V31/03 ,  F21W101/12 ,  F21W101/14 ,  F21Y115/10 ,  G09F13/22 ,  G09F21/04 ,  H01L33/64 ,  H05K3/00 ,  H01L23/34 ,  H01L25/13 ,  H05K7/20

公开(公告)号：DE10019665A1

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：DE10019665

申请日：2000-04-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BOGNER GEORG ,  STATH NORBERT ,  NIRSCHL ERNST ,  OBERSCHMID REIMUND ,  KUGLER SIEGMAR ,  SCHOENFELD OLAF ,  NEUMANN GERALD ,  SCHLERETH KARL-HEINZ

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: The invention relates to a high-radiance LED chip (1) comprising a radiation-emitting active region (32) and a window layer (2). In order to increase the radiant yield, the cross-sectional surface of the radiation-emitting active region (32) is smaller than the cross-sectional surface of the window layer (2), which is made available for disengaging the light. The invention also relates to a method for producing a lens structure on the surface of a light emitting component.

公开(公告)号：DE102018113711A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018113711

申请日：2018-06-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  HALBRITTER HUBERT ,  BOGNER GEORG

IPC: G01S7/483 ,  B60Q1/04 ,  G01S17/93

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Apparat (1) eine Beleuchtungsquelle (2). Außerdem umfasst der Apparat einen Messlaser (3). Der Messlaser (3) ist ein Halbleiterlaser und ist zur Erzeugung von Impulsen mit einer Impulsdauer von höchstens 10 ns eingerichtet. Eine Wellenlänge maximaler Intensität einer vom Messlaser (3) erzeugten Messlaserstrahlung (M) liegt zwischen einschließlich 400 nm und 485 nm. Mit der Messlaserstrahlung (M) erfolgt eine Abstandsmessung mittels LIDAR, beispielsweise in einem Autoscheinwerfer.

公开(公告)号：DE112015004123A5

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE112015004123

申请日：2015-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RACZ DAVID ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  BOGNER GEORG

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

公开(公告)号：DE102014112973A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112973

申请日：2014-09-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RACZ DAVID ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  BOGNER GEORG

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil, umfassend: – einen Träger, – eine auf dem Träger gebildete Lichtquelle, – die zumindest eine von einer oder mehreren lichtemittierenden Dioden gebildete Leuchtfläche aufweist, wobei – auf der Leuchtfläche ein zumindest teilweise transparentes Plättchen angeordnet ist, – das eine der Leuchtfläche zugewandte und eine der Leuchtfläche abgewandte Oberfläche aufweist, wobei – auf zumindest einer der zugewandten und abgewandten Oberflächen zumindest eine Konversionsschicht und eine Farbstreuschicht zum Erzeugen einer Farbe mittels Streuung von Licht angeordnet ist, wobei – die Konversionsschicht bezogen auf eine Abstrahlrichtung von Licht von der Leuchtfläche vor der Farbstreuschicht angeordnet ist, so dass mittels der Leuchtfläche emittiertes Licht zuerst konvertiert und dann gestreut werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.

公开(公告)号：DE102014106791A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102014106791

申请日：2014-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L25/075 ,  G02F1/1333 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit – einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; – einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; – einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; – einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und – einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102012101160A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012101160

申请日：2012-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHENBERG BORIS ,  SINGER FRANK ,  BOGNER GEORG ,  REILL JOACHIM ,  FREI ULRICH

IPC: H01L25/075

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) sind mindestens drei einzeln ansteuerbare optoelektronische Halbleiterchips (3) angebracht. Das Lichtquellenmodul (1) beinhaltet ferner optische Abschirmungen (4), die sich zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) befinden. Die Halbleiterchips (3) sind entlang einer geraden Linie angeordnet, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (30) gesehen. Ein Abstand (d) zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) entlang dieser Linie beträgt höchstens ein Viertel einer mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3). Die Abschirmungen (4) sind für von den Halbleiterchips (3) im Betrieb emittierte Strahlung undurchlässig und dazu eingerichtet, ein optisches Übersprechen zwischen den Halbleiterchips (3) zu verhindern.