公开(公告)号：DE102011112706A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：DE102011112706

申请日：2011-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  GALLER BASTIAN ,  STRASBURG MARTIN ,  SABATHIL MATTHIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  BERGBAUER WERNER ,  MANDL MARTIN

IPC: H01L33/04

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (11) angegeben, bei dem die aktive Schicht (10) eine Vielzahl von lateral voneinander beabstandeten Strukturelementen (6) aufweist. Die Strukturelemente (6) weisen jeweils eine Quantententopfstruktur (5) auf, die mindestens eine Barriereschicht (2) aus Inx1Aly1Ga1-x1-y1N mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1 ≤ 1 und x1 + y1 ≤ 1, und mindestens eine Quantentopfschicht (1) aus Inx2Aly2Ga1-x2-y2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1, 0 ≤ y2 ≤ 1 und x2 + y2 ≤ 1 umfasst.

公开(公告)号：DE102015116495A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102015116495

申请日：2015-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN RAINER ,  MANDL MARTIN ,  KATZ SIMEON ,  RÜCKERL ANDREAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite und Chiprückseite und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem Halbleiterkörper (2), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht und Träger (5), im Träger oder auf der Rückseite des Trägers ausgebildet.

公开(公告)号：DE102014117892A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102014117892

申请日：2014-12-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  STOLL ION ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/18

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend – einen Halbleiterchip (12), der im Betrieb ein blau-grünes Licht (4) emittiert und zumindest eine Lichtdurchtrittsfläche (12a) aufweist, durch die das im Betrieb emittierte blau-grüne Licht (4) tritt, und – ein Konversionselement (3), das Leuchtstoffpartikel (31), insbesondere nur einer Art, umfasst und zumindest stellenweise auf der Lichtdurchtrittsfläche (12a) angeordnet ist, wobei – die Leuchtstoffpartikel (31) das blau-grüne Licht (4) zumindest teilweise in ein rotes Licht (5) konvertieren und – das optoelektronische Bauelement ein weißes Mischlicht (6), das nicht-konvertierte Teile des blau-grünen Lichts (4) und Teile des roten Lichts (5) enthält, emittiert.

公开(公告)号：DE102014116205A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：DE102014116205

申请日：2014-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode angegeben, wobei ein Substrat (1) mit einer darauf angeordneten lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) bereitgestellt wird, und eine Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (3) auf eine abstrahlende Oberfläche der Leuchtdiode (10) und/oder auf eine Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird, wobei die Oberfläche (2a) als eine Abstrahlfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE112012005156A5

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE112012005156

申请日：2012-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

公开(公告)号：DE102012109594A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109594

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/28 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 µm beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

公开(公告)号：DE102012109460A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109460

申请日：2012-10-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MALM NORWIN VON ,  MANDL MARTIN ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  GOEOETZ BRITTA

IPC: H01L27/15 ,  G09F9/00 ,  H01L27/08 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), B) Aufbringen einer Pufferschicht (4) mittelbar oder unmittelbar auf eine Substratoberseite (20), C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45) auf oder an der Pufferschicht (4), D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5), ausgehend von den Anwachspunkten (45), wobei die Inseln (5) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50) mit mindestens einer aktiven Zone (55) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und E) Verschalten der Inseln (5) mit Transistoren (6) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5).

公开(公告)号：DE102011056140A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056140

申请日：2011-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.