公开(公告)号：DE112012005360A5

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE112012005360

申请日：2012-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  HÖPPEL LUTZ DR ,  VON MALM NORWIN DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  KIESLICH ALBRECHT DR ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/321

公开(公告)号：DE102012101409A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012101409

申请日：2012-02-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01S5/34

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertig gestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102010027411A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：DE102010027411

申请日：2010-07-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUS PETER DR ,  RODE PATRICK ,  DRECHSEL PHILIPP

IPC: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der auf einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial basiert, und mit einem Substrat (3), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben. In dem Substrat sind gezielt Verunreinigungen ausgebildet. Weiterhin werden ein Substrat und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge (20) für ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102010012711A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102010012711

申请日：2010-03-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  LUGAUER HANS-JUERGEN DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102009008223A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：DE102009008223

申请日：2009-02-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR ELMAR ,  BOEHM BERND ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/302

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; - Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); - Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.

公开(公告)号：DE102008062933A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102008062933

申请日：2008-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MALM NORWIN VON ,  STREUBEL KLAUS ,  RODE PATRICK ,  ENGL KARL ,  HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN

IPC: H01L27/15 ,  G02B21/00 ,  G02B26/00 ,  G09F9/33

Abstract: Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.

公开(公告)号：DE102008039790A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008039790

申请日：2008-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  RODE PATRICK ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00

Abstract: The component (1) has an epitaxially produced layer sequence (10) with a main side that is turned towards a main radiation direction and another main side that is turned away from the direction. A carrier substrate (40) is transparent for light emitted in the direction and mechanically stabilizes the layer sequence. The carrier substrate is arranged on the former main side and connected with the sequence layer. Two connecting terminals (20, 21) are provided for supplying charge carriers to partial layers (11, 12) of the layer sequence and arranged on the latter main side. An independent claim is also included for a method for producing an optoelectronic component.

公开(公告)号：DE102007022947A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：DE102007022947

申请日：2007-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: An optoelectronic semiconductor body includes a semiconductor layer sequence which has an active layer suitable for generating electromagnetic radiation, and a first and a second electrical connecting layer. The semiconductor body is provided for emitting electromagnetic radiation from a front side. The first and the second electrical connecting layer are arranged at a rear side opposite the front side and are electrically insulated from one another by means of a separating layer. The first electrical connecting layer, the second electrical connecting layer and the separating layer laterally overlap and a partial region of the second electrical connecting layer extends from the rear side through a breakthrough in the active layer in the direction of the front side. Furthermore, a method for producing such an optoelectronic semiconductor body is specified.

公开(公告)号：DE112014002779B8

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE112014002779

申请日：2014-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/20

公开(公告)号：DE102014100772B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102014100772

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  PLÖSSL ANDREAS ,  RODE PATRICK ,  NAGEL PETER ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/52 ,  H01L31/12 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) mit den Schritten:a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (16);b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips (10) einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers (12) angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist;c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips (10) auf dem Hilfsträger (16), wobei die Halbleiterchips (10) in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper (4) vom Trägerkörper (12) aus gesehen dem Hilfsträger (16) zugewandt sind;d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern (4) benachbarter Halbleiterchips (10);e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20), der zumindest bereichsweise zwischen den Trägerkörpern (12) benachbarter Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die Oberseiten (22) der Trägerkörper (12) einen geringeren Abstand vom Hilfsträger (16) aufweisen als der Gehäusekörperverbund (20);f) Entfernen des Hilfsträgers (16); undg) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (20) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement (100) zumindest einen Halbleiterchip (10), einen Teil der Streuschicht (18) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds (20) als Gehäusekörper (34) aufweist.