公开(公告)号：KR102028636B1

公开(公告)日：2019-10-04

申请号：KR1020180000450

申请日：2018-01-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  채수상 ,  이선숙 ,  정선호 ,  김태곤 ,  이건희 ,  지슬기

IPC: C01B32/23 ,  C04B41/00 ,  B01J6/00

公开(公告)号：KR101905646B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

公开(公告)号：KR1020180079485A

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020160183227

申请日：2016-12-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  정두원

IPC: G01N27/327 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

CPC classification number: G01N27/3278 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

Abstract: 본발명은기재상에형성된그래핀전극; 상기그래핀전극상에수직성장되고, 친수성액 중에담군후 빼낼때 모세관력(capillary force)이형성되도록액이유입및 유출될수 있는개방형말단포함부위가친수처리된탄소나노튜브들의집단(cluster)을구비한탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극으로서, 상기탄소나노튜브들의집단은친수성액 중에담군후 빼내면서모세관력을통해상기인접하는탄소나노튜브들의개방형말단들이모여, 3차원나노구조가부여된하부집단(들)을구비한것이특징인탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극; 이의제조방법및 용도에관한것이다. 본발명의탄소나노튜브-그래핀하이브리드전극은, 넓은친수성표면적과 3차원구조가부여되어있는, 우수한전자전달특성을가지는탄소나노튜브들의집단을통해세포가잘 달라붙을수 있는미세구조를가지며, 이는세포와전극간의거리를좁히는기능을하여세포의미세한전기신호를고감도로측정할수 있을뿐만아니라, 투명탄소전극으로제조가능하므로세포관찰이가능하다.

公开(公告)号：KR1020170093699A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020160183252

申请日：2016-12-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  최원진 ,  정두원 ,  박세린 ,  버나드두댕 ,  아텔마무드

IPC: G01N33/00 ,  G01N21/77 ,  G01N33/497

Abstract: 본발명은 2차원센서물질의민감도향상방법; 민감도가향상된 2차원센서물질함유복합체; 및 2차원센서물질의민감도가향상된박막형센서소자에관한것이다. 본발명에따른 2차원센서물질의민감도향상방법은그 위에탑재되는 2차원센서물질함유박막상에나노스케일의지형(topography) 및비균일정전전위(non-uniform electrostatic potential)을제공할수 있는기재를준비하는제1단계; 및제1단계의기재에 2차원센서물질함유박막을전사또는인쇄하는제2단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于改善二维传感器材料的灵敏度的方法; 一种灵敏度提高的含二维传感器材料的复合物; 以及具有改进的二维传感器材料的灵敏度的薄膜传感器元件。 根据本发明方法制备的衬底，可以提供含有纳米级（地形）的薄膜形貌和非均匀的静电电势（非均匀静电势）被安装在其上的二维传感器材料增强二维传感器材料的灵敏度， 的第一步骤; 以及将包含二维传感器物质的薄膜转印或印刷到第一步骤的基底的第二步骤。

公开(公告)号：KR101763142B1

公开(公告)日：2017-07-31

申请号：KR1020150180787

申请日：2015-12-17

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 백진욱 ,  박노중 ,  이정오 ,  공기정 ,  라제스쿠마야다브 ,  아베섹쿠마

IPC: C01B31/04 ,  C07D221/18 ,  B01J35/00 ,  C12N9/02

CPC classification number: Y02P20/582

Abstract: 본발명은신규가시광선흡수그레핀박막광촉매, 이를이용한산화환원효소보조인자의재생방법및 이를이용한효소반응으로이산화탄소로부터포름산을제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른그레핀복합체를포함하는광촉매는기존의전기적전환용전극대신태양광중의가시광선을흡수하는것이가능함으로써, 태양광에너지를사용하여추가적인에너지비용의낭비없이산화환원효소의보조인자를재생할수 있어경제적이고환경친화적일뿐만아니라, 박막형태로도제조가능하므로, 대량생산및 자동화가가능하며, 더욱이온난화가스인이산화탄소를고정하여다양한화합물을선택적으로제조하는인공광합성을응용한신규제조산업에유용하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101658966B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020160066676

申请日：2016-05-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  김성환 ,  최원진 ,  문성희 ,  정종진 ,  박정규 ,  김지연

IPC: C12M3/00 ,  G01N33/574 ,  C12N5/071

Abstract: 본발명은상피-중간엽전이(epithelial-mesenchymal transition; EMT) 유도용세포배양기재로서, 상부에세포가부착하여배양될수 있는편평한면을포함하는일정한평균직경을갖는기둥형태의구조물이일정한간격으로배열되고, 상기기둥형태의구조물은하나의기둥의중심으로부터인접한기둥의중심까지의거리는 4 μm 이상 30 μm 이하로조절된것인세포배양기재; 상기세포배양기재를이용한약물스크리닝방법; 상기세포배양기재에환자의암조직으로부터분리한세포를항암제후보물질을처리또는비처리하여부착배양하는단계를포함하는환자맞춤형항암제및 섬유화증치료제의스크리닝방법; 및복수의기둥형태의구조물이음각으로패턴화된탄성고분자를포함하는중간체주형(intermediate mold)을준비하는단계를포함하는상기세포배양기재의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150096016A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020140016779

申请日：2014-02-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  최원진 ,  정윤장 ,  이영국 ,  박정규 ,  정종진 ,  고혁완 ,  이수진

IPC: C12M3/00 ,  C12N5/00 ,  C12N1/00

CPC classification number: C12M23/20 ,  C12N5/0602

Abstract: 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及具有通过原子层沉积（ALD）形成的氧化锌（ZnO）薄膜的细胞培养基板; 能够通过使用细胞培养基来改善肌动蛋白的表达的细胞培养方法; 一种控制细胞肌动蛋白重排的方法; 以及诱导细胞形态变化的方法，其包括在细胞培养基质上培养细胞的步骤; 以及包含具有ZnO薄膜的细胞培养基板的皮肤贴剂或植入物。 设置在细胞培养基板中的ZnO薄膜由能够通过纳米微调的ALD制造。 此外，通过在ZnO薄膜的表面上培养细胞，可以人工地控制细胞增殖率，通过增加必需的细胞并抑制不必要的细胞，可以获得治疗优势。

公开(公告)号：KR1020140136601A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130056770

申请日：2013-05-20

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  이정오 ,  이영국 ,  정윤장 ,  박세린

IPC: B08B3/08 ,  B08B1/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/196 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015

Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.

Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由其处理的石墨烯元件。 更具体地，本发明提供了石墨烯清洗方法，其包括通过使用有机溶剂在一个表面上去除包括石墨烯层的石墨烯支撑层的步骤，以及通过将清洁部件定位在石墨烯层上去除剩余的石墨烯支撑层的步骤 其中石墨烯支撑层在可能相互作用的距离内被去除，并且将清洁构件移动到石墨烯层上，并且包括通过该方法清洁的石墨烯的元素。 本发明可以均匀地提高大面积石墨烯的性能，而无需额外的工艺和费用。 此外，由于本发明，清洁的石墨烯元件获得优异的电气，机械和光学性能。

公开(公告)号：KR100991011B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080054358

申请日：2008-06-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  이금주 ,  김병계 ,  소혜미 ,  공기정 ,  장현주 ,  김용환

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/00 ,  G01N33/48

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자

公开(公告)号：KR1020100002842A

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：KR1020080062886

申请日：2008-06-30

Applicant: 한국화학연구원 ,  전북대학교산학협력단 ,  단국대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  소혜미 ,  김주진 ,  김효숙 ,  박노정

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/45 ,  H01L51/0048

Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.

Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法，其通过使用钆作为源电极和漏电极，将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成：在碳纳米管晶体管及其制造方法中，在基板上形成源电极（12）。 在基板上形成漏电极（14），碳纳米管通道（18）将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。