公开(公告)号：DE102005055488A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：DE102005055488

申请日：2005-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  POHL JENS ,  BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/50 ,  B23K1/00 ,  B23K31/02 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

Abstract: An electronic structure comprises at least two components interconnected by a multiply discrete solder structure having solder columns (5) comprising a core (14) of lead-free solder and a lead-free covering material (7). The second, covering, material has a higher melting temperature than the first, core, material. An independent claim is also included for a production process for the above structure.

公开(公告)号：DE102005050637A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：DE102005050637

申请日：2005-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  BAUER MICHAEL ,  STUEMPFL CHRISTIAN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/50 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: The module (1) includes a wiring substrate (3), solder balls (4) and a plastic housing (5). The plastic housing is arranged on the wiring substrate and includes a shaping (6). The plastic housing has an area (8) that is higher than another area (9). The solder balls in the area have ball sections that protrude out of a socket contact surface (11). An independent claim is also included for a semiconductor module manufacturing method.

公开(公告)号：DE102014216223B4

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102014216223

申请日：2014-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FÜRGUT EDWARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: Verkapseltes MEMS-Bauelement (100), das Folgendes umfasst:eine Einbettungsanordnung (170, 252), die eine Vergussmasse (252) umfasst;ein MEMS-Bauelement (110), das in die Vergussmasse (252) der Einbettungsanordnung (170, 252) eingebettet ist, wobei das MEMS-Bauelement (110) eine Membran (112) und eine Elektroden-Rückplatte (114) zur Schallwandlung aufweist, und wobei die Vergussmasse (252) die Membran (112) und die Elektroden-Rückplatte (114) verankert;einen Schalldurchgang (180), der in der Einbettungsanordnung (170, 252) angeordnet ist, wobei der Schalldurchgang (180) akustisch mit dem MEMS-Bauelement (110) gekoppelt ist; undein Gitter (172), das in dem Schalldurchgang (180) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102018115509A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115509

申请日：2018-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  GRUBER MARTIN ,  JUERSS MICHAEL ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/28 ,  H01L23/373

Abstract: Eine Wärmedissipationsvorrichtung (100) weist einen ersten Teil (104) auf, welcher ein erstes Material aufweist und einen Oberflächenbereich (108) hat; und einen zweiten Teil (110) auf dem Oberflächenbereich, wobei der zweite Teil ein zweites Material aufweist; wobei der zweite Teil (110) eine Porosität hat.

公开(公告)号：DE102008028072B4

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：DE102008028072

申请日：2008-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POHL JENS ,  BRUNNBAUER MARKUS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L21/56

Abstract: Verfahren, aufweisend: Anordnen eines ersten Halbleiterchips (101) auf einem Träger (119), wobei eine aktive Hauptoberfläche des ersten Halbleiterchips (101) dem Träger (119) zugewandt ist; Bedecken des ersten Halbleiterchips (101) mit einer Pressmasse (102), wobei die dadurch erzeugte Pressmassenschicht (102) eine erste Hauptfläche (105) und eine der ersten Hauptfläche (105) gegenüber liegende zweite Hauptfläche (104) aufweist; Entfernen des Trägers (119) nach dem Bedecken des ersten Halbleiterchips (101) mit der Pressmasse (102); Abscheiden einer Maskierschicht (120) auf der aktiven Hauptoberfläche des ersten Halbleiterchips (101) nach dem Entfernen des Trägers (119); Ausbilden eines Durchgangslochs (103) in der Pressmasse (102); Abscheiden einer Metallschicht (121) gleichzeitig auf der ersten und zweiten Hauptfläche (104, 105) der Pressmassenschicht (102); Entfernen der Maskierschicht (120) nach dem Abscheiden der Metallschicht (121); und Abscheiden eines Lötmaterials (106) in das Durchgangsloch (103).

公开(公告)号：DE102014109870A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102014109870

申请日：2014-07-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FÖRG RAIMUND ,  KNAUER EDUARD ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SCHERL PETER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L23/373

Abstract: Ein Ausführungsverfahren zur Herstellung von elektronischen Vorrichtungen, die zwei von einer Metallschicht verbundene Bauteile aufweisen, enthält das Auftragen einer Metallschicht auf jedes Bauteil und das Verbinden der Metallschichten, sodass eine einzelne Metallschicht gebildet wird.

公开(公告)号：DE102014106132A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102014106132

申请日：2014-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EDER HANNES ,  ENGELHARDT MANFRED ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FUERGUT EDWARD ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56

Abstract: Ein Verfahren zur Verarbeitung einer Mehrzahl von gehäusten elektronischen Chips, die in einem gemeinsamen Substrat miteinander verbunden sind, wird vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Ätzen der elektronischen Chips, Detektieren von Informationen, welche eine wenigstens teilweise Entfernung einer Indikatorstruktur nach einer Freilegung der Indikatorstruktur anzeigen, die innerhalb wenigstens eines Teils der elektronischen Chips eingebettet ist und freigelegt wird, nachdem das Ätzen Chipmaterial über der Indikatorstruktur entfernt hat, und Einstellen der Verarbeitung beim Detektieren der Informationen, welche die wenigstens teilweise Entfernung der Indikatorstruktur anzeigen.

公开(公告)号：DE102010016696B4

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102010016696

申请日：2010-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POEPPEL GERHARD JOSEF ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/50 ,  G01B11/00 ,  G01N21/17 ,  G01N27/00 ,  G01P15/00 ,  H01L21/60

Abstract: Halbleiter-Bauelement, das Folgendes umfasst: einen Halbleiterchip, der eine erste Fläche und eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche definiert, wobei der Halbleiterchip mindestens ein Kontaktelement auf der ersten Fläche des Halbleiterchips umfasst; einen Kapselungskörper, der den Halbleiterchip kapselt, wobei der Kapselungskörper eine erste Fläche und eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche aufweist; eine Umverdrahtungsschicht, die sich über den Halbleiterchip und die erste Fläche des Kapselungskörpers erstreckt und eine Metallisierungsschicht enthält, die Kontaktbereiche umfasst, die mit den Kontaktelementen des Halbleiterchips verbunden sind; und ein Array von externen Kontaktelementen, die sich auf der zweiten Fläche des Kapselungskörpers befinden, gekennzeichnet durch eine Funktionsschicht, welche über der Metallisierungsschicht aufgebracht ist, wobei der Halbleiterchip auf der ersten Fläche mindestens ein weiteres Kontaktelement aufweist, welches mit der Funktionsschicht verbunden ist.

公开(公告)号：DE102013108967A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013108967

申请日：2013-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: KURZDARSTELLUNG DER OFFENBARUNG Eine Anzahl von Halbleiterchips beinhaltet jeweils eine erste Hauptseite und eine der ersten Hauptseite gegenüberliegende zweite Hauptseite. Die zweite Hauptseite beinhaltet mindestens ein elektrisches Kontaktelement. Die Halbleiterchips werden auf einen Träger platziert. Eine Materialschicht wird in die Zwischenräume zwischen benachbarten Halbleiterchips eingebracht. Der Träger wird entfernt, und eine erste elektrische Kontaktschicht wird auf die ersten Hauptseiten der Halbleiterchips aufgebracht, so dass die elektrische Kontaktschicht elektrisch mit jedem der elektrischen Kontaktelemente verbunden ist.

公开(公告)号：DE102011114774A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011114774

申请日：2011-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  FUERGUT EDWARD ,  THEUSS HORST

IPC: H01L23/04 ,  B81B7/00 ,  G01N27/12 ,  G01P15/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Bauelement weist einen Sensorchip, und eine Basisschicht auf, wobei der Sensorchip in der Basisschicht angeordnet ist, und das Bauelement weist ferner eine leitende Schicht auf, mit der der Sensorchip elektrisch verbunden ist, wobei die leitende Schicht elektrische Kontakte aufweist und wobei der Sensorchip mittels der elektrischen Kontakte kontaktierbar ist.