公开(公告)号：DE102011116232B4

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102011116232

申请日：2011-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  STRASSBURG MARTIN ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Schichtenstapel aufweisend- eine erste Halbleiterschichtenfolge (21a), die einen ersten Halbleiterbereich (2a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (2b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2a) und dem zweiten Halbleiterbereich (2b) angeordnete erste aktive Zone (1a) zur Erzeugung von einer ersten elektromagnetischen Strahlung aufweist, und- eine zweite Halbleiterschichtenfolge (21b), die den zweiten Halbleiterbereich (2b) des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen dritten Halbleiterbereich (2c) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen dem zweiten Halbleiterbereich (2b) und dem dritten Halbleiterbereich (2c) angeordnete zweite aktive Zone (1b) zur Erzeugung von einer zweiten elektromagnetischen Strahlung aufweist, wobei- der zweite Halbleiterbereich (2b) mittels zweier voneinander beabstandeter erster Durchbrüche (10a) kontaktiert ist, die sich von einer der ersten aktiven Zone (1a) abgewandten Oberfläche des ersten Halbleiterbereichs (2a) bis in den zweiten Halbleiterbereich (2b) erstrecken, und- in den ersten Durchbrüchen (10a) eine erste elektrische Kontaktschicht (5) angeordnet ist und die erste elektrische Kontaktschicht (5) den ersten Halbleiterbereich (2a) derart bedeckt, dass die ersten Durchbrüche (10a) über die erste elektrische Kontaktschicht (5) miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：DE112012005156A5

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE112012005156

申请日：2012-11-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

公开(公告)号：DE102012109594A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109594

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/28 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 µm beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

公开(公告)号：DE102012217631A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217631

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILLIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L29/205

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur, die eine erste Galliumnitridschicht und eine aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht aufweist. Dabei grenzt die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht an die erste Galliumnitridschicht an. Außerdem weist die Schichtstruktur eine undotiert zweite Galliumnitridschicht auf, die an die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht auf, die an die aluminiumhaltige Nitridzwischenschicht angrenzt.

公开(公告)号：DE102011056140A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056140

申请日：2011-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE102009022966A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：DE102009022966

申请日：2009-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  MALM NORWIN VON ,  RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/58 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90)umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

公开(公告)号：DE102008011848A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：DE102008011848

申请日：2008-02-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102007019775B4

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102007019775

申请日：2007-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN DR ,  PLÖSSL ANDREAS DR ,  HEINDL ALEXANDER ,  EISSLER DIETER DR

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01S5/02

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (1) umfassend:- einen Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich (4) aufweist,- einen Träger (3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist,- zwei elektrische Kontakte (7,8), die auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden sind, wobei ein Teilbereich eines ersten Kontakts (7) der beiden Kontakte zwischen dem Halbleiterkörper und dem zweiten Kontakt (8) der beiden Kontakte angeordnet ist und die beiden Kontakte in diesem Teilbereich elektrisch voneinander isoliert sind,- die Kontakte (7,8) jeweils eine vom aktiven Bereich (4) abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen,- die Anschlussflächen (70,80) auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs (4) angeordnet sind,- eine der Anschlussflächen (70,80) auf einer vom Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite des Trägers (3) angeordnet ist; und- der Träger (3) strahlungsdurchlässig für im aktiven Bereich (4) zu erzeugende Strahlung ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE112014000633A5

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：DE112014000633

申请日：2014-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

公开(公告)号：DE102011116232A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102011116232

申请日：2011-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  STRASBURG MARTIN ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip mit einem Schichtenstapel angegeben, der eine erste Halbleiterschichtenfolge (21a) und eine zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) aufweist. Die erste Halbleiterschichtenfolge (21a) weist einen ersten Halbleiterbereich (2a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweiten Halbleiterbereich (2b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Zone (1a) auf. Die zweite Halbleiterschichtenfolge (21b) weist den zweiten Halbleiterbereich (2b) des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen dritten Halbleiterbereich (2c) des ersten Leitfähigkeitstyps und eine dazwischen angeordnete zweite aktive Zone (1b) auf. Weiter wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleitertyps angegeben.