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41.发明专利含矽薄膜的選擇性沉積 SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS 审中-公开含硅薄膜的选择性沉积 SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS
公开(公告)号：TW200710950A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095103696
申请日：2006-02-03
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS , 艾倫奈 權特爾 ARENA, CHANTAL , 培特朗 羅奈爾德 BERTRAM, RONALD , 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 CODY, NYLES , 布蘭特 保羅 BRABANT, PAUL , 義特理諾 喬瑟分 ITALIANO, JOSEPH , 雅各布森 保羅 JACOBSON, PAUL , 威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 本發明中透過化學氣相沉積,利用丙矽烷和一含鹵素蝕刻劑源(例如氯)來在選定的混合基板區域上選擇性地沉積含Si薄膜。摻雜物源可與所述丙矽烷及所述蝕刻劑源混合,以選擇性地沉積摻雜的含Si薄膜。所述選擇性沉積方法可應用於各種用途,例如應用在半導體製造中。
Abstract in simplified Chinese: 本发明中透过化学气相沉积,利用丙硅烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙硅烷及所述蚀刻剂源混合,以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途,例如应用在半导体制造中。
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42.发明专利原子層沉積的電漿預處理表面方法 PLASMA PRE-TREATING SURFACES FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开原子层沉积的等离子预处理表面方法 PLASMA PRE-TREATING SURFACES FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
公开(公告)号：TW200634982A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095105729
申请日：2006-02-21
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor： 庫瑪 德文卓 KUMAR, DEVENDRA , 高德 卡邁勒 凱頓 GOUNDAR, KAMAL KISHORE , 凱梅琳 南森艾爾R C KEMELING, NATHANAEL R.C. , 福田英昭 FUKUDA, HIDEAKI , 史百瑞 赫塞爾 SPREY, HESSEL , 斯托克霍夫 馬丁 STOKHOF, MAARTEN
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/02063 , C23C14/02 , C23C16/02 , C23C16/36 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/76807 , H01L21/7681 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 本發明提供用於在積體電路中保形性地襯墊雙鑲嵌結構的方法與結構。指導較佳實施例以在形成於多孔材料中之開口上提供保形性襯墊。在絕緣層中形成(100)溝槽。隨後以特定電漿製程(101)充分處理層。在此電漿處理之後可發生自行限制、自行飽和原子層 積(ALD)反應(115)，而不大量填充形成經改良的互連件之微孔。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在集成电路中保形性地衬垫双镶嵌结构的方法与结构。指导较佳实施例以在形成于多孔材料中之开口上提供保形性衬垫。在绝缘层中形成(100)沟槽。随后以特定等离子制程(101)充分处理层。在此等离子处理之后可发生自行限制、自行饱和原子层 积(ALD)反应(115)，而不大量填充形成经改良的互连件之微孔。
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43.发明专利鬆弛矽化鍺層的磊晶成長 EPITAXIAL GROWTH OF RELAXED SILICON GERMANIUM LAYERS 审中-公开松弛硅化锗层的磊晶成长 EPITAXIAL GROWTH OF RELAXED SILICON GERMANIUM LAYERS
公开(公告)号：TW200509226A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093122682
申请日：2004-07-29
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor： 爾瑞那 謙托J ARENA, CHANTAL J. , 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 CODY, NYLES , 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L
CPC classification number: C30B29/06 , C30B25/02 , C30B29/52 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 一層鬆弛的矽化鍺結構包括一層矽緩衝層，係用化學氣相沈積製程，以一個大於約1 torr的選擇壓力形成，此鬆弛的矽化鍺結構進一步包括一層矽化鍺層沈積在矽緩衝層上，此矽化鍺層有每平方公分的牽引錯位少於10^7，透過在一個降低的沈積速度下沈積矽緩衝層，覆蓋的矽化鍺層可以有一個“沒有交叉陰影”的表面。
Abstract in simplified Chinese: 一层松弛的硅化锗结构包括一层硅缓冲层，系用化学气相沉积制程，以一个大于约1 torr的选择压力形成，此松弛的硅化锗结构进一步包括一层硅化锗层沉积在硅缓冲层上，此硅化锗层有每平方公分的牵引错位少于10^7，透过在一个降低的沉积速度下沉积硅缓冲层，覆盖的硅化锗层可以有一个“没有交叉阴影”的表面。
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44.发明专利使用載氣導引結構之改良式昇華基座 AN IMPROVED SUBLIMATION BED EMPLOYING CARRIER GAS GUIDANCE STRUCTURES 审中-公开使用载气导引结构之改良式升华基座 AN IMPROVED SUBLIMATION BED EMPLOYING CARRIER GAS GUIDANCE STRUCTURES
公开(公告)号：TW200403721A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092120786
申请日：2003-07-30
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
IPC: H01L
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4481 , C23C16/4483
Abstract: 本發明提供一種昇華系統，包括多個導引結構，一種紅外線感測器封裝包括一介電支撐體，作為氣體反應物的固體原料係大面積地覆蓋於支撐媒介上。藉由導引結構可以使固體原料重複地飽和於載氣中。另外，本發明還提供利用導引結構使載氣飽和的方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种升华系统，包括多个导引结构，一种红外线传感器封装包括一介电支撑体，作为气体反应物的固体原料系大面积地覆盖于支撑媒介上。借由导引结构可以使固体原料重复地饱和于载气中。另外，本发明还提供利用导引结构使载气饱和的方法。
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公开(公告)号：TWI557261B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100113130
申请日：2011-04-15
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 方杜魯利亞 凱勒 , FONDURULIA, KYLE , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 佛吉斯 摩希茲E , VERGHESE, MOHITH E. , 懷特 卡爾L , WHITE, CARL L.
IPC: C23C16/448
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI540221B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 瑞薩能 派提I , RAISANEN, PETRI I. , 鄭相鎬 , JUNG, SUNG HOON , 王強剛 , WANG, CHANG-GONG
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
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公开(公告)号：TWI500096B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW097141841
申请日：2008-10-30
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 艾格渥 拉敏德 , AGGARWAL, RAVINDER , 可雷夏克 馬克 , KLESHOCK, MARK , 雅可布斯 勞恩 , JACOBS, LOREN
CPC classification number: G01K7/04 , G01K13/00 , G01K15/00 , H01L21/67248
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公开(公告)号：TWI463538B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098114220
申请日：2009-04-29
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 史考特 羅賓 查理斯 , SCOTT, ROBIN CHARIS , 強森 梅特 , JOHNSON, MATT
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/02661 , C23C16/0209 , C30B25/186 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B33/12 , H01L21/02381
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公开(公告)号：TWI433956B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW097101458
申请日：2008-01-15
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 , ELERS, KAI-ERIK
IPC: C23C16/455 , H01L21/3205
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/4554
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公开(公告)号：TWI410513B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW096137237
申请日：2007-10-04
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 王長工 , WANG, CHANG-GONG , 雪洛 艾立克 , SHERO, ERIC , 威爾克 格蘭 , WILK, GLEN
CPC classification number: C23C16/405 , C23C16/401 , C23C16/45531
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