公开(公告)号：KR101419533B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120157977

申请日：2012-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101286254B1

公开(公告)日：2013-07-15

申请号：KR1020110075575

申请日：2011-07-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  김영조 ,  우종창 ,  전동환 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/288

Abstract: 본 발명은 반도체 전기 도금용 장치에 보조적인 웨이퍼 홀더 장치를 거치하여 웨이퍼(기판)를 고정해주는 장치에 관한 것으로, 웨이퍼(기판)를 고정하고, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 상이한 길이를 가지며, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 교체 장착 하는 금속 전극, 웨이퍼(기판)와 결합하는 웨이퍼(기판) 거치 홈 및 웨이퍼(기판) 거치 홈과 이어져 금속 전극 폭에 대응되게 생성된 전극 거치 홈을 포함하는 홀더 기판, 전극 거치 홈에 위치하고, 금속 전극과 홀더 기판을 결합하는 전극 결합 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 웨이퍼(기판)를 고정하는 전극은 전극 팁을 더 포함하고 있는데, 전극 팁은 전극 끝 부분에 위치하며, 집게 또는 클립 형태로 이루어져 있고, 하방으로 절곡되어 웨이퍼(기판)를 압박하여 고정해준다.
또한, 금속 전극은 전극 결합 부재의 지름과 대응되는 폭을 가지고 수평 또는 수직의 길이 방향으로 장공을 포함하거나, 전극 팁이 구성되어 있는 전극 측면에 전극 팁을 수용하는 팁 수용 홈을 포함함으로써 전극의 길이를 조절하여 웨이퍼(기판)를 고정하면서 웨이퍼(기판)와 접촉한다.

公开(公告)号：KR1020130057647A

公开(公告)日：2013-06-03

申请号：KR1020110123500

申请日：2011-11-24

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  허종곤 ,  김영조 ,  박원규 ,  박상혁

IPC: H01L31/043

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/043

Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell having an electric current matching structure is provided to increase the generation of current by using cells and apertures. CONSTITUTION: A second solar cell(103) is formed on a substrate. A first solar cell(105) is formed on the second solar cell. An aperture part(201) sends sunlight to the second solar cell. The aperture part is formed in a part of the first solar cell. The aperture part penetrates from the first solar cell to the second solar cell. [Reference numerals] (AA) Sunlight

Abstract translation: 目的：提供具有电流匹配结构的多结太阳能电池，以通过使用电池和孔来增加电流的产生。 构成：在基板上形成第二太阳能电池（103）。 在第二太阳能电池上形成第一太阳能电池（105）。 孔部（201）将太阳光发送到第二太阳能电池。 开口部形成在第一太阳能电池的一部分中。 开口部分从第一太阳能电池穿透到第二太阳能电池。 （附图标记）（AA）阳光

公开(公告)号：KR101193810B1

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：KR1020110096960

申请日：2011-09-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  허종곤 ,  박원규 ,  박진홍

IPC: H01L31/047 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent the reduction of a lifetime of a carrier by bonding a substrate after grid matched materials are grown on heterogeneous substrates. CONSTITUTION: A first solar cell layer(12) is deposited or grown on a first base substrate. A second base substrate(20) is made of materials which are different from the first base substrate. A second solar cell layer(22) is deposited or grown on the second base substrate. A bonding layer(30) bonds an ohmic layer formed on the first solar cell layer or the first base layer to an ohmic layer formed on the second solar cell layer or the second base layer.

Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在异质基板上生长栅格匹配材料之后通过接合基板来降低载体的寿命。 构成：第一太阳能电池层（12）沉积或生长在第一基底上。 第二基底（20）由与第一基底不同的材料制成。 在第二基底衬底上沉积或生长第二太阳能电池层（22）。 接合层（30）将形成在第一太阳能电池层或第一基极层上的欧姆层与形成在第二太阳能电池层或第二基极层上的欧姆层接合。

公开(公告)号：KR101105250B1

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020100001525

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박용민 ,  김창주 ,  박상혁 ,  김신근 ,  성호근 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/06

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 pn 접합을 형성하는 pn 터널 다이오드와, pn 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110081387A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A solar cell having window layer with oxidation resistance is provided to implement a window with desired thickness by allowing a second window and a cap to have different etch selectivity to prevent the second window from being etched. CONSTITUTION: In a solar cell having window layer with oxidation resistance, a photovoltatic conversion cell(720) is formed on a substrate and converts an optical signal into an electrical signal. A first window layer(731) is formed on the photovoltatic conversion cell and is comprised of a compound semiconductor containing aluminum. A second window layer(732) is formed on the first window and is made of a fire resistance material. The cap layer is formed on the second window layer. The top electrode is formed on the bottom electrode and the cap layer. The second window layer has a different etch selectivity from the cap layer.

Abstract translation: 目的：提供具有耐氧化性的窗口层的太阳能电池，以通过允许第二窗口和盖具有不同的蚀刻选择性以防止第二窗口被蚀刻来实现具有期望厚度的窗口。 构成：在具有耐氧化窗口的太阳能电池中，在基板上形成光电转换元件（720），并将光信号转换为电信号。 第一窗口层（731）形成在光电转换单元上，并由包含铝的化合物半导体构成。 在第一窗口上形成第二窗口层（732）并由耐火材料制成。 盖层形成在第二窗口层上。 顶部电极形成在底部电极和盖层上。 第二窗口层具有与盖层不同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR101866298B1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：KR1020160184218

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 강호관 ,  정상현 ,  김창주 ,  신현범 ,  김영조 ,  김강호 ,  박경호 ,  박원규

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/055 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/055 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 본발명은양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지에관한것으로서, 지지기판상부에제1태양전지셀을형성하는제1단계와, 상기제1태양전지셀상부에오믹접촉층을형성하는제2단계와, 상기오믹접촉층상부에제2태양전지셀을형성하는제3단계와, 상기지지기판을제거하는제4단계와, 상기지지기판을제거한후, 상기제1태양전지셀의전면에제1전극을형성하는제5단계와, 상기제1전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층하부에제2전극을형성하는제6단계와, 상기제2태양전지셀의전면에제3전극을형성하는제7단계및 상기제3전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층상부에제4전극을형성하는제8단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기존의양면수광형태양전지의구조에서탈피하여, 전면과후면태양전지셀이상호대칭되게형성되도록하여전면과후면태양전지셀의효율차이가없어양면수광형태양전지의효율을개선시킨이점이있다.

公开(公告)号：KR101862076B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：KR1020160084879

申请日：2016-07-05

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  조주영 ,  박형호 ,  고유민 ,  성호근 ,  박원규

IPC: G01N27/12 ,  G01N25/32 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020180012385A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020160095038

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  조주영 ,  정상현 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  G01N27/414

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58 ,  G01N27/4141 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 用于形成使用真空沉积工艺形成纳米结构图案的本发明中，形成掩模图案层的第一步骤，以暴露一部分衬底上，在曝光区域和掩模图案层，基体材料的上部 设定真空沉积条件满足用于纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，使得由真空沉积工艺以在暴露的区域和掩模图案层生长纳米结构，所述基体材料的上部的第二步骤 第三步和通过利用真空蒸镀法去除掩模图案层，纳米包括在所述基板的暴露区域上形成纳米结构的第四步骤，以形成于基板顶部上的纳米结构图案 结构图案形成方法，使用其的传感器元件制造方法以及通过该方法制造的传感器元件。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。

公开(公告)号：KR101796006B1

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：KR1020160036148

申请日：2016-03-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김영조 ,  정상현 ,  김강호 ,  김창주 ,  신현범 ,  강호관 ,  최재혁 ,  박원규

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/049 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극을형성하는제2단계와, 상기후면전극상부에홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하는제4단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제5단계와, 상기홀패턴내부에전도성재료를충진시키는제6단계및 상기전도성재료가홀패턴에충진된플렉시블기판전면에금속백시트를형성하는제7단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는전도성기판을갖는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을사용하고, 상기홀패턴에전도성재료를충진하여사용함으로써, 플라스틱재료의유연성과전도성재료의전도성을융합시킨전도성을갖는플렉시블기판을적용하여, 기존플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시키고, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.