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公开(公告)号：KR1020140128347A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：KR1020147023484
申请日：2013-01-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/16 , H01L21/285 , H01L21/3105 , H01L23/532 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/0272 , C23C16/16 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/28556 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76843 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: SiCOH막으로 이루어지는 층간 절연막에 형성된 매립용의 오목부에 구리재를 매립하여 도전로를 형성함에 있어, 도전로의 저항을 낮게 하는 것이다.
SiCOH막(1)에 플라즈마에 의해 오목부를 형성할 때에 막으로부터 C가 이탈하여 손상층이 형성되지만, 이것을 불화수소산 등으로 제거하면 표면이 소수성으로 된다. 이 SiCOH막(1)에 대해서 붕소 화합물 가스, 실리콘 화합물 가스 혹은 트리메틸 알루미늄을 포함하는 가스를 공급함으로써, B, Si 혹은 Al을 SiCOH막(1)상에 흡착시킨다. 이들 원자가 Ru와 결합하므로 SiCOH막상으로의 Ru막(4)의 형성이 용이하게 된다. 그 다음에, 예를 들면, Ru
3 (CO)
12 가스와 CO 가스를 이용하여 CVD에 의해 Ru막(4)을 성막하고, 그 후 구리(5)를 매립하고, CMP 처리를 행하여 상층측의 배선 구조를 형성한다.Abstract translation: 通过将铜材料嵌入由SiCOH膜制成的层间绝缘膜中形成的用于嵌入的凹槽中，导电路径的电阻在形成导电路径时降低。
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公开(公告)号：KR101372793B1
公开(公告)日：2014-03-14
申请号：KR1020087025052
申请日：2007-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45574
Abstract: 본원에는 증착 시스템(1)에 있어서 기판(25)의 파티클 오염을 저감하기 위한 방법 및 시스템이 기술되어 있다. 증착 시스템 내에는 하나 이상의 파티클 디퓨저(47)가 배치되는데, 이 파티클 디퓨저는 막 전구체 파티클의 통과를 방지 혹은 부분적으로 방지하거나, 막 전구체 파티클을 파괴 혹은 부분적으로 파괴하도록 구성되어 있다. 파티클 디퓨저는 막 전구체 증발 시스템(50), 증기 이송 시스템(40), 혹은 증기 분배 시스템(30), 또는 이들 중 2곳 이상에 설치될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130095283A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020137010785
申请日：2011-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카다다히로 , 사쿠마다카시 , 하타노다츠오 , 요코야마오사무 , 고미아츠시 , 야스무로치아키 , 후쿠시마도시히코 , 도시마히로유키 , 가와마타마사야 , 미즈사와야스시 , 가토다카라
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020120135253A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020127024088
申请日：2011-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101196601B1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020107005343
申请日：2008-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
Abstract: 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 대직경부(94b)와 소직경부(94a)를 갖는 제 1 리프터핀 삽입 통과 구멍(81a)을 구비한 히터 플레이트(21)와, 적어도 피러치 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막온도 미만의 비성막 온도로 되고, 대직경부(92b)와 소직경부(92a)를 갖는 제 2 리프터핀 삽입 통과 구멍(81c)을 구비한 온도 조절 재킷과, 대직경부(94b)에 삽입 통과 가능한 덮개부(93b)와, 대직경부(94b) 및 소직경부(94a) 모두에 삽입 통과 가능한 축부(93a)를 구비한 제 1 리프터핀(24b-1)과, 대직경부(92b)에 삽입통과 가능한 덮개부(91b)와, 대직경부(92b) 및 소직경부(92a) 모두에 삽입통과 가능한 축부(91a)를 구비한 제 2 리프터핀(24b-2)를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101088931B1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020067006035
申请日：2004-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Inventor： 야마사키히데아키 , 마츠다츠카사 , 고미아츠시 , 하타노다츠오 , 다치바나,미츠히로 , 마츠자바고우메이 , 가와노유미코 , 레우싱크게르트제이. , 멕펠리펜톤알 , 말호트라산드라지 , 시몬앤드류에이치. , 유르카스존제이
IPC: H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 본 발명은 간헐적 전구체 가스 플로우 프로세스(intermittent precursor gas flow process)를 사용하여 기판 상에 금속 층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 환원성 가스에 기판을 노출시킴과 아울러 그 기판을 금속-카르보닐 전구체(metal-carbonyl precursor) 가스의 펄스에 노출시키는 것을 포함한다. 상기 프로세스는 소망의 두께를 지닌 금속 층이 기판 상에 형성될 때까지 실행된다. 상기 금속 층은 기판 상에 형성될 수 있거나, 그 대안으로 금속 층은 금속 핵형성 층 상에서 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101062586B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020087024696
申请日：2008-02-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/28562 , H01L21/76873
Abstract: 피처리 기판 표면에 금속 카보닐 원료의 기상 분자를 공급하여 상기 피처리 기판 표면 근방에서 분해시킴으로써 상기 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적하는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리 기판 표면에 금속층을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에서 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정을 마련하여, 상기 피처리 기판 외주부 근방에서 분위기 중의 CO 농도를 국소적으로 증대시켜, 상기 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제한다.
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公开(公告)号：KR100868837B1
公开(公告)日：2008-11-14
申请号：KR1020077013891
申请日：2005-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 피처리 기판을 유지하는 유지대를 내부에 구비한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 성막을 위한 처리 가스를 공급하고, 이 처리 용기 내에 플라즈마를 여기하기 위한 고주파 전력이 인가되는 샤워 헤드부를 갖는 성막 장치에 의한 성막 방법으로서, 상기 피처리 기판상에 금속을 포함하는 박막을 형성하는 성막 공정과, 상기 성막 공정 전에 상기 샤워 헤드부에 별도의 금속을 포함하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
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公开(公告)号：KR1020080043389A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：KR1020087008095
申请日：2006-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: A method and precursor for forming and integrating a Ta-containing layer in semiconductor processing. The tantalum precursor has the formula (CpR1)(CpR2)TaH(CO), where Cp is a cyclopentadienyl functional group and R1 and R2 are H or alkyl groups. The method includes providing a substrate in a process chamber of a deposition system, and exposing a process gas comprising the tantalum precursor to the substrate to form the Ta-containing layer. The Ta-containing layer may be treated to remove contaminants and modify the layer. The Ta-containing layer may contain tantalum metal, tantalum carbide, tantalum nitride, or tantalum carbonitride, or a combination thereof, and may be deposited in a TCVD, ALD, or PEALD process. A semiconductor device containing a Ta-containing layer formed on a patterned substrate containing one or more vias or trenches is provided.
Abstract translation: 一种用于在半导体处理中形成和积分含Ta层的方法和前体。 钽前体具有式（CpR1）（CpR2）TaH（CO），其中Cp是环戊二烯基官能团，R 1和R 2是H或烷基。 该方法包括在沉积系统的处理室中提供衬底，并将包含钽前体的工艺气体暴露于衬底以形成含Ta层。 可以处理含Ta层以除去污染物并改变层。 含Ta层可以包含钽金属，碳化钽，氮化钽或碳氮化钽，或其组合，并且可以沉积在TCVD，ALD或PEALD工艺中。 提供一种包含形成在包含一个或多个通孔或沟槽的图案化衬底上的含Ta层的半导体器件。
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