公开(公告)号：KR101073550B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.

公开(公告)号：KR1020110046955A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.

Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。

公开(公告)号：KR101009642B1

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：KR1020080066722

申请日：2008-07-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  나흥열 ,  이기용

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명은 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치를 제공한다. 상기 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치는 금속으로 이루어지는 타켓의 근방에 배치되며, 일정의 자장을 형성하는 마그네트론 부와, 상기 타켓에 형성되는 자장이 기설정되는 기준 자장의 범위에 포함되도록 상기 마그네트론 부와 상기 타켓과의 거리를 일정 거리 이격시키는 이동 유니트를 구비한다. 또한, 본 발명은 상기 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치를 갖는 마그네트론 스퍼터링 설비도 제공함으로써, 공정이 진행되지 않는 경우에 타켓의 자화를 방지할 수 있도록 타켓과 마그네트론을 서로 일정 거리 이격 시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100114717A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。

公开(公告)号：KR1020100100187A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018928

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이길원 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  리사첸코,막심 ,  안지수 ,  김영대 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: PURPOSE: A polycrystalline silicon manufacturing is provided to improve the charge mobility of crystallized polycrystalline silicon layer by using hydrogen gas as the carrier gas during forming the amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A capping layer(130) is formed on the amorphous silicon layer. A crystallization guiding metal layer(140) is formed by depositing the crystallization guiding metal on the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅制造，以在形成非晶硅层期间通过使用氢气作为载气来提高结晶多晶硅层的电荷迁移率。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 在非晶硅层上形成覆盖层（130）。 结晶导向金属层（140）通过将结晶引导金属沉积在覆盖层上而形成。

公开(公告)号：KR100962967B1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020070113559

申请日：2007-11-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정민재 ,  조원석 ,  안재홍 ,  정석헌

IPC: C23C14/24

Abstract: 본 발명은 도가니 내부에 설치된 인너플레이트에 의해 유기 물질의 분사 압력을 조절할 수 있는 증발원에 관한 것이다. 본 발명에 따른 증발원은 바닥면으로부터 일정 높이까지 연장된 베리어에 의해 내부에 유기박막 재료인 유기물이 수납되는 도가니; 상기 도가니와 연통되도록 형성되어 상기 유기물을 기판에 분사시키는 적어도 하나의 분사노즐; 및 상기 도가니의 외주면에 설치되는 가열부;를 포함하되, 일단이 상기 베리어에 접하고, 타단이 상기 도가니에 내접하며, 적어도 하나의 개구부가 형성된 인너플레이트가 상기 도가니에 삽입된다. 이러한 구성에 의하여, 유기 물질을 대면적 기판 전체에 균일하게 성막할 수 있다.
증발원, 도가니, 인너플레이트