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公开(公告)号：KR1020150139705A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020140067739
申请日：2014-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 본발명은기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 기판을지지하는스핀척, 상기스핀척 상에서이동가능하게배치되고, 상기스핀척 상에지지되는기판의표면상에처리액의액적들을제공하는노즐, 상기스핀척 상에지지되는상기기판의표면을따라상기노즐을수평하게그리고상기기판의표면으로부터수직하게이동시키는노즐아암을포함한다. 상기노즐은상기기판의에지와상기기판의중심사이에서이동하되상기기판의중심으로갈수록상기기판의표면으로부터의거리가증가한다. 상기기판의중심에제공되는상기액적들의수직간격은상기기판의에지에제공되는상기액적들의수직간격에비해작다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理衬底的装置和方法。 用于处理衬底的设备包括：用于支撑衬底的旋转卡盘; 设置在所述旋转卡盘上以移动的喷嘴，并且将处理液体的液滴供给到由所述旋转卡盘的表面支撑的所述基板的表面上; 以及喷嘴臂，用于沿着支撑在旋转卡盘上的基板的表面沿水平方向沿着垂直方向从基板的表面移动喷嘴。 喷嘴在基板的边缘和基板的中心之间移动，其中当喷嘴移动到基板的中心时，距离基板的表面的距离增加。 供给到基板的中心的液滴的垂直间隙小于供给到基板的边缘的液滴的垂直间隙。
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公开(公告)号：KR1020150066005A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130150774
申请日：2013-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C11D11/00
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057
Abstract: 본발명은초임계세정제의정제방법및 그의정제장치를개시한다. 그의정제방법은, 식각제와, 제 1 세정제, 및제 2 세정제가각각혼합된제 1 혼합용액을제 1 온도이하로가열하여상기식각제및 제 1 세정제를증류하고, 상기제 2 세정제를제거하는단계와, 상기식각제및 상기제 1 세정제를압축또는응축하여상기식각제및 상기제 1 세정제가혼합된제 2 혼합용액을생성하는단계와, 상기제 2 혼합용액을제 1 온도보다낮은제 2 온도이하로가열하여상기식각제를재 증류하고, 상기제 1 세정제를추출하는단계를포함한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了一种超临界清洗剂的净化方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一温度下加热与蚀刻剂，第一清洗剂和第二清洗剂混合的第一混合溶液，蒸馏蚀刻剂和 第一清洗剂并除去第二清洗剂; 压缩或冷凝蚀刻剂和第一清洁剂，从而产生与蚀刻剂和第一清洁剂混合的第二混合溶液; 以及在低于第一温度的第二温度下加热第二混合溶液，再次蒸馏蚀刻剂并提取第一清洗剂及其净化装置。
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公开(公告)号：KR1020130032502A
公开(公告)日：2013-04-02
申请号：KR1020110096129
申请日：2011-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/0688
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a three dimensional semiconductor device is provided to improve etching selectivity by selectively forming a passivation film on the surface of insulating layers. CONSTITUTION: A lamination structure is formed on a substrate. A semiconductor layer(130) is formed through the lamination structure. A trench is formed between semiconductor layers. A passivation film(115) is selectively formed on the surface of an insulating layer(110) exposed by a trench. A sacrificial layer(SC) is selectively removed to form a recess region between insulating layers.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造三维半导体器件的方法，以通过在绝缘层的表面上选择性地形成钝化膜来提高蚀刻选择性。 构成：在基板上形成层叠结构。 通过层压结构形成半导体层（130）。 在半导体层之间形成沟槽。 在由沟槽暴露的绝缘层（110）的表面上选择性地形成钝化膜（115）。 牺牲层（SC）被选择性地去除以在绝缘层之间形成凹陷区域。
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公开(公告)号：KR1020100043934A
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR1020080103197
申请日：2008-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L21/823857
Abstract: PURPOSE: A semiconductor devices and methods of forming the same are provided to improve the electrical property of a metal oxide by supplying an oxygen in the sacrificial oxide to a metal oxide. CONSTITUTION: A metal oxide layer is formed on a substrate(100) as a single layer or a multilayer. A sacrificial oxide is formed on the metal oxide layer. A thermal treatment process on the substrate having the sacrificial oxide. In the thermal treatment process, a free energy of the sacrificial oxide is higher than that of the metal oxide.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其形成方法，以通过将牺牲氧化物中的氧供给到金属氧化物来改善金属氧化物的电性能。 构成：金属氧化物层作为单层或多层形成在基板（100）上。 在金属氧化物层上形成牺牲氧化物。 在具有牺牲氧化物的衬底上的热处理工艺。 在热处理过程中，牺牲氧化物的自由能高于金属氧化物的自由能。
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公开(公告)号：KR100807234B1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060113093
申请日：2006-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/28061 , H01L29/4941 , H01L29/517 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , G03F7/42
Abstract: A method for removing photoresist is provided to completely remove pretreated photoresist in a cleaning process using a photoresist cleaning solution by making the photoresist modified by being exposed to an ion implantation process have a state of being easily removed in a photoresist cleaning process. Supercritical carbon dioxide is penetrated into photoresist existing on a substrate having a conductive structure including metal to perform a pretreatment process on the photoresist so that the photoresist has a state of being easily removed in a subsequent cleaning process(S130). The pretreated photoresist is removed from the substrate by using a photoresist cleaning solution including an alkanolamine of 8-20 weight percent for avoiding corrosion of the metal, a polar organic solvent of 25-40 weight percent, a reducing agent of 0.5-3 weight percent and excess water(S150). The photoresist can include a photoresist pattern used as an ion implantation mask, a photoresist pattern used as an etch mask, and residual photoresist.
Abstract translation: 提供了一种去除光致抗蚀剂的方法，通过使光致抗蚀剂通过暴露于离子注入工艺而被修饰的光刻胶在光致抗蚀剂清洁过程中具有容易除去的状态，在使用光致抗蚀剂清洁溶液的清洁过程中完全去除预处理的光致抗蚀剂。 超临界二氧化碳渗透到具有包括金属的导电结构的基板上的光致抗蚀剂中，以在光致抗蚀剂上进行预处理工艺，使得光致抗蚀剂在随后的清洗过程中具有容易去除的状态（S130）。 通过使用包含8-20重量％的链烷醇胺的光致抗蚀剂清洁溶液从基材上除去预处理的光致抗蚀剂，以避免金属的腐蚀，25-40重量％的极性有机溶剂，0.5-3重量％的还原剂 和过量水（S150）。 光致抗蚀剂可以包括用作离子注入掩模的光致抗蚀剂图案，用作蚀刻掩模的光致抗蚀剂图案和残留光致抗蚀剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100674971B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050034914
申请日：2005-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: U자형 부유 게이트를 가지는 플래시 메모리 제조방법을 제공한다. 본 발명에서는, 상면과 양 측면 일부가 기판 표면으로부터 돌출된 소자분리막들을 형성한 다음, 소자분리막들 사이의 기판 상에 터널 산화막을 형성한다. 터널 산화막 상에 소자분리막들 사이를 채우지 않는 두께로 도전막을 형성한 다음, 도전막 상에 연마 희생막을 형성한다. 소자분리막 상의 연마 희생막 및 도전막을 제거하여 소자분리막들 사이에 자기 정렬된 U자형 부유 게이트를 형성함과 동시에 부유 게이트 상에 연마 희생막 패턴을 남긴다. 연마 희생막 패턴을 마스크로 이용하여 소자분리막들을 리세스시켜 부유 게이트의 양 측벽을 노출시킨다. 부유 게이트에 대해 연마 희생막 패턴을 선택적으로 제거하여 부유 게이트의 상면을 노출시킨다.
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公开(公告)号：KR100505693B1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020030042133
申请日：2003-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/02043 , Y10S438/906
Abstract: 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공한 후, 오존 가스 및 수증기를 제공하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법이 제공된다. 세정되어야 할 물질은 포토레지스트, 유기물 등이다. 초임계 이산화탄소에 의해 세정되어야 할 물질이 팽윤되고, 팽윤된 물질을 오존 가스 및 수증기가 산화시켜 세정이 가능하도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020050001797A
公开(公告)日：2005-01-07
申请号：KR1020030042133
申请日：2003-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/02043 , Y10S438/906
Abstract: PURPOSE: A method is provided to remove photoresist or post CMP(Chemical Mechanical Polishing) organic residue from a micro-electronic device substrate in short time by using SCCO2(Super Critical CO2) alone without a solvent. CONSTITUTION: SCCO2 is provided to a surface of a micro-electronic device substrate with photoresist or post CMP organic residue(S4). At this time, the photoresist or post CMP organic residue is swelled due to the SCCO2. The swelled photoresist or post CMP organic residue is removed from the substrate by using an ozone gas and water vapor(S8).
Abstract translation: 目的：提供一种在短时间内通过仅使用SCCO2（超临界CO 2）而不使用溶剂从微电子器件衬底去除光致抗蚀剂或后CMP（化学机械抛光）有机残留物的方法。 构成：SCCO2被提供到具有光致抗蚀剂或后CMP有机残余物的微电子器件衬底的表面（S4）。 此时，由于SCCO2，光致抗蚀剂或后CMP CMP有机残余物膨胀。 通过使用臭氧气体和水蒸汽从基板上除去溶胀的光致抗蚀剂或CMP后残留物（S8）。
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