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公开(公告)号：KR1020090060635A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127521
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A bio sensor which detects bio material through interaction between target molecule and probe molecule is provided to minimize the sensitivity to the difference of pH concentration and salt concentration and improve detection accuracy. A bio sensor comprises: a photo diode which contains a P-type doping layer(440), N-type doping layer(450) and non-doping area; an electrode which is formed at the both ends of P-type doping layer and N-type doping layer; and a probe molecule(P) which is fixed at the upper side of non-doping area. A method for manufacturing the bio sensor comprises: a step of forming photo diode containing the P-type doping layer, N-type doping layer and non-doping area; a step of forming electrode at the both ends of the P-type doping layer and N-type doping layer; a step of fixing the probe molecule at the upper side of the non-doping area; and a step of injecting target molecule into a sample.
Abstract translation: 提供通过靶分子和探针分子之间的相互作用检测生物材料的生物传感器，以最小化对pH浓度和盐浓度的差异的敏感性，并提高检测精度。 生物传感器包括：光电二极管，其包含P型掺杂层（440），N型掺杂层（450）和非掺杂区域; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成的电极; 以及固定在非掺杂区域的上侧的探针分子（P）。 一种用于制造生物传感器的方法，包括：形成含有P型掺杂层，N型掺杂层和非掺杂区的光电二极管的步骤; 在P型掺杂层和N型掺杂层的两端形成电极的步骤; 将探针分子固定在非掺杂区域的上侧的步骤; 以及将靶分子注入样品的步骤。
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公开(公告)号：KR100898752B1
公开(公告)日：2009-05-25
申请号：KR1020070094687
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류(leakage current)의 발생을 억제하여 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 고집적 반도체 메모리 소자는 기판에 형성되고, 채널영역과 쇼트키접합(schottky junction)을 형성하는 소스 및 드레인 전극 및 상기 채널영역의 기판 상부에 형성되고, 복수개의 실리콘나노점으로 구성된 플로팅게이트를 포함하고 있으며, 이를 통하여 반도체 메모리 소자의 고집적화에 따른 누설전류의 발생을 억제시켜 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 반도체 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다.
플래시메모리, 쇼트기 접합, 금속 실리사이드-
43.发明授权
公开(公告)号：KR100698014B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020040089475
申请日：2004-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/34 , C23C16/30 , C23C16/345 , H01L33/08 , H01L33/18 , Y10S977/773
Abstract: 본 발명의 발광소자용 실리콘 질화막은 실리콘 질화물 기저체와 그 내부에 동시에 형성된 실리콘 나노 결정구조들을 포함한다. 이 실리콘 질화막을 이용하면, 발광효율이 우수하고, 청색 및 보라색과 같은 단파장 영역을 비롯한 가시광선 영역뿐만 아니라 근적외선 영역에서의 발광도 가능한 발광소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
실리콘 질화막, 실리콘 발광소자, 나노 결정, 발광-
公开(公告)号：KR100590775B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050037623
申请日：2005-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/465 , H01L33/34 , H01L33/38
Abstract: DBR (Distributed Bragg Reflector)과 n형 도핑층, p형 기판 구조물을 채용한 고효율의 실리콘 발광 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 메사(mesa)형 p형 기판 구조물이 형성된 기판을 구비한다. 기판상에는 활성층이 형성된다. 활성층은 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가진다. 활성층의 제1 면에는 제1 반사층이 대향하고 있다. 활성층의 제2 면에는 제2 반사층이 대향하고 있다. 제2 반사층은 p형 기판 구조물을 사이에 두고 그 양측에 위치되어 있다. 활성층과 제1 반사층과의 사이에는 n형 도핑층이 개재되어 있다. 제1 전극이 n형 도핑층에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 제2 전극이 p형 기판 구조물에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다.
실리콘 발광 소자, DBR, n형 도핑층, p형 기판 구조물, 실리콘 나노점Abstract translation: 揭示了采用DBR（分布式布拉格反射器），n型掺杂层和p型衬底结构的高效硅发光器件。 根据本发明的硅发光器件包括在其上形成台面型p型衬底结构的衬底。 基底上形成有源层。 有源层具有彼此相对的第一侧和第二侧。 第一反射层与有源层的第一表面相对。 并且第二反射层与有源层的第二表面相对。 第二反射层位于其间的p型基板结构的两侧。 在有源层和第一反射层之间插入n型掺杂层。 第一电极形成为可电连接到n型掺杂层。 第二电极形成为可电连接到p型衬底结构。
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公开(公告)号：KR100576718B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020030096218
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/105 , H01L33/24 , H01L33/465
Abstract: 도핑층과 DBR(Distributed Bragg Reflector)을 동시에 채용한 실리콘 발광 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가지는 활성층을 포함한다. 상기 활성층의 제1 면에는 제1 반사부가 대향하고 있고, 상기 활성층의 제2 면에는 제2 반사부가 대향하고 있다. 상기 활성층과 제1 반사부와의 사이에는 제1 도핑층이 개재되어 있고, 상기 활성층과 제2 반사부와의 사이에는 제2 도핑층이 개재되어 있다. 상기 제1 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제1 전극과, 상기 제2 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제2 전극이 형성되어 있다. 상기 제1 반사부 및 제2 반사부 중 적어도 하나는 서로 다른 조성을 가지는 2종의 실리콘함유 절연층이 교대로 적층되어 있는 DBR과 게이트를 포함한다.
실리콘 발광 소자, DBR, 전반사 금속막, 게이트, 도핑층, 실리콘 나노점-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050059363A
公开(公告)日：2005-06-20
申请号：KR1020030091013
申请日：2003-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/24
CPC classification number: G11B7/124 , G11B7/1353 , G11B7/257 , G11B2220/2537
Abstract: 본 발명은 나비 넥타이형 안테나와 집광 회절격자를 이용하여 높은 집속효과와 회절한계(λ/2) 이하의 미세 초점을 구현할 수 있어 정보 용량의 대형화를 이룰 수 있는 새로운 구조의 광 정보 기록 헤드를 제공한다. 이를 통해, 정보 기록용량의 대형화를 만족시킬 수 있으며 광 정보 기록헤드의 소형화로 기록속도 향상을 이룰 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030056573A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086835
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01B11/26
CPC classification number: G01B11/26
Abstract: PURPOSE: A measuring apparatus for a slant angle of a SIL(Solid Immersion Lens) is provided to prevent a focal signal from generating error by measuring a slant degree of the SIL quantitatively with a principle of a collimator. CONSTITUTION: A measuring apparatus for a slant angle of a SIL(Solid Immersion Lens,211) comprises a light generating device(201), a first condenser(203) and a position sensing device(210). The light generating device generates light when projecting to the SIL formed like a hemisphere. The first condenser collects light reflected from a specular surface(208) on a lower portion of the SIL. The position sensing device measures a slant of the SIL according to a focus collected by the first condenser. A light divider(202) is included to project light generated from the light generating device to the first condenser and to progress light horizontally inside the SIL. Therefore, the focus of the SIL is formed correctly by measuring the slant of the SIL and compensating the slant with measured value.
Abstract translation: 目的：提供用于SIL（固体浸没透镜）的倾斜角的测量装置，以通过用准直器的原理定量测量SIL的倾斜度来防止焦点信号产生误差。 构造：用于SIL（固体浸没透镜211）的倾斜角度的测量装置包括发光装置（201），第一冷凝器（203）和位置感测装置（210）。 当投射到如半球形状的SIL时，发光装置产生光。 第一冷凝器收集从SIL的下部的镜面（208）反射的光。 位置检测装置根据由第一冷凝器收集的焦点测量SIL的倾斜度。 包括分光器（202）以将从发光装置产生的光投射到第一冷凝器，并在SIL内水平地进行光。 因此，通过测量SIL的斜度并用测量值补偿斜面，SIL的重点正确形成。
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公开(公告)号：KR102251512B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020160087697
申请日：2016-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판, 상기기판상에배치되는상부투명전극, 상기기판과상기상부투명전극사이에챔버를제공하는격벽, 상기챔버내에제공되되상기기판상에배치되는광변조부, 및상기챔버를채우고, 이온상태의제 1 금속을포함하는전해질을포함하는광변조소자를제공하되, 상기광변조부는상기기판상의반사층, 및상기반사층상의하부투명전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170115655A
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020160042945
申请日：2016-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/52
Abstract: 본발명의실시예에따른디중모드디스플레이는광 스위치, 상기광 스위치상에배치된미세공동구조체및 상기광 스위치와상기미세공동구조체사이에배치되며, 발광층을포함하는유기발광구조체를포함하되, 상기미세공동구조체는상기유기발광구조체의일면상에배치되는미세공동층, 상기미세공동층은상기미세공동층에입사된입사광을제 1 파장을갖는제 1 광으로바꿔, 상기광 스위치쪽으로반사시키고및 상기미세공동층상에배치되며, 불균일한표면을가져, 상기제 1 광을산란하는반사광산란층을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的双模式显示器包括光开关，设置在光开关上的微腔结构以及设置在光开关和微腔结构之间并包括发光层的有机发光结构， 微腔结构是设置在有机发光结构的一个表面上的微腔层，微腔层将入射在微腔层上的入射光转换成具有第一波长的第一光，并将入射光反射到光开关 并且设置在微孔层上并具有不均匀表面的反射光散射层散射第一光。
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