公开(公告)号：DE10212149A1

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：DE10212149

申请日：2002-03-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNINGER RALF ,  HIRLER FRANZ ,  KRUMREY JOACHIM ,  RIEGER WALTER ,  POELZL MARTIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

Abstract: The switching behavior of a transistor configuration is improved by providing a shielding electrode in an edge region. The shielding electrode surrounds at least sections of an active cell array. The capacitance between an edge gate structure and a drain zone and hence the gate-drain capacitance CGD of the transistor configuration is reduced by the shielding electrode located in the edge region.

公开(公告)号：DE10129348A1

公开(公告)日：2003-01-09

申请号：DE10129348

申请日：2001-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Device has two connectors of either conductor type contactable on either side of a semiconducting body, a drift zone bounding the first zone extending vertically to the second side, a body zone of a second type and a control electrode isolated from the body and is arranged in the semiconducting body lateral direction almost without overlapping the drift and second connection zones. The device has a first connection zone (112) of one conductor type contactable on one side of a semiconducting body (100), a second zone (132A) of this type contactable on the other side of the body, a drift zone (114A,114B) bounding on the first zone extending vertically to the second side, a body zone (122,124) of a second type and a control electrode isolated with respect to the body. The control electrode (142A,B) is arranged in the lateral direction of the semiconducting body almost without overlapping the drift zone and second connection zone. AN Independent claim is also included for the following: a method of manufacturing a semiconducting component.

公开(公告)号：DE10038177A1

公开(公告)日：2002-02-21

申请号：DE10038177

申请日：2000-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  HIRLER FRANZ ,  TIHANYI JENOE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: The invention relates to a semiconductor device which can be controlled by means of a field effect. Said device contains a semiconductor body (100) comprising a doped first and second contact area (20, 22, 24, 30) to which connecting electrodes (90, 92) for applying power supply potential are connected. A first control electrode (40, 42, 44; 48, 49) is insulated in relation to the semiconductor body (100; 200) and can be connected to a first control potential. A second control electrode (60, 62, 64; 66, 68; 67, 69; 61, 63) is arranged adjacently in relation to the first control electrode (40, 42, 44; 48, 49). Said second control electrode is arranged in the semiconductor body in an insulated manner and can be connected to a second control potential.

公开(公告)号：DE10014660A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：DE10014660

申请日：2000-03-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERNER WOLFGANG ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L21/764 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: The semiconducting arrangement has at least two rigid electrodes (6) that are electrically separated by an insulating arrangement consisting of at least one insulating or holding coating and/or a pn junction. The insulating arrangement also contains at least one hollow vol. (7).

公开(公告)号：DE10001128C1

公开(公告)日：2001-09-27

申请号：DE10001128

申请日：2000-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: The component has a first doping region (20a,20b) of a first conductor type (n) with a first basin (50) of a second conductor type (p) on the front, at least a second basin (60a,60b) within the first separate from its edge and of the first conductor type, a first connection (C) connected to the first and second basins and a channel region (45a,45b) between the second basin and the edge of the first. An insulated gate structure (70,80) above the channel region has a gate connector. A rear-doping region (40) of the second conductor type has a second connector (E). The first doping region has an intermediate region (30) dividing it into rear and front parts and the intermediate region is designed to lead to a considerable increase in the minority carrier density in the first part of the doping region.

公开(公告)号：DE102016103587B4

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102016103587

申请日：2016-02-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend:eine Vielzahl von Trenches (1051, 1052), die sich in einen Halbleiterkörper (102) von einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102) erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) und eine zwischen den wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) angeordnete elektrisch isolierende Struktur (106) aufweist und wobeijeder Trench (1051) einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1111) und eine zweite Elektrode (1112) umfasst, wobei die erste Elektrode (1111) elektrisch mit einem Steuerelektrodenpin (G) verbunden ist,jeder Trench (1052) einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1121) und eine zweite Elektrode (1122) umfasst, wobeiwenigstens eine Elektrode aus- der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem ersten Hilfselektrodenpin (AE1) und wenigstens eine andere Elektrode der verbleibenden Elektroden aus- der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2) .

公开(公告)号：DE102012222651B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102012222651

申请日：2012-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  RIEGER WALTER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  VOGL ERWIN JOHANN ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: Verkrallungsstruktur für ein Bauelement (1600), das ein Zellenfeld (1620) aufweist und auf einem Substrat (1610) ausgebildet ist, wobei die Verkrallungsstruktur Folgendes aufweist:eine Zwischen-Isolationsschicht (1660), die so strukturiert ist, dass eine Zwischen-Isolationsschicht (1660) durch mindestens ein Kontaktloch (1662a/b) unterbrochen ist;eine Metallstruktur (1650) auf der Zwischen-Isolationsschicht; undeine Trägerstruktur (1665a, 1665b), die Polysilizium (1665a, 1665b) aufweist und in einer in dem Substrat (1610) ausgebildeten Ausnehmung (1612a, 1612b) eingebettet ist, die auf das Kontaktloch (1662a/b) ausgerichtet ist, wobei die Trägerstruktur (1665a, 1665b) nicht Teil des Zellenfeldes (1620) ist,wobei sich die Metallstruktur (1650) durch das Kontaktloch (1662a/b) zu der Trägerstruktur (1665a, 1665b) erstreckt, mit der die Metallstruktur (1650) in einer Ebene einer Oberfläche des Substrats (1610) haftend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102015215024B4

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102015215024

申请日：2015-08-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÜCK DANIEL ,  AICHINGER THOMAS ,  HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/201 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), das einen ersten Lastanschluss (11), einen zweiten Lastanschluss (12), einen Steueranschluss (13) und einen Halbleiterkörper (10) mit einer Driftzone (101) umfasst, wobei der Halbleiterkörper (10) durch ein Halbleitermaterial mit einer Bandlücke, die größer als die Bandlücke von Silizium ist, ausgebildet ist und dazu konfiguriert ist, einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten und wobei das Halbleiterbauelement (1) Folgendes beinhaltet:- eine Sourcezone (102), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist;- eine zusammenhängende Zone (103), die in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet ist und die Sourcezone (102) von der Driftzone (101) isoliert;- einen Graben (14), der sich in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstreckt und einen Isolator (141) umfasst, der mit der zusammenhängenden Zone (103) in Kontakt steht; und- eine erste Elektrode (131), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei die erste Elektrode (131) mit dem Steueranschluss (13) elektrisch verbunden ist; und- eine zweite Elektrode (132), die innerhalb des Grabens (14) angeordnet und von dem Halbleiterkörper (10) durch den Isolator (141) isoliert ist, wobei der Isolator (141) die zweite Elektrode (132) von der ersten Elektrode (131) isoliert; wobei sich die zusammenhängende Zone (103) mindestens soweit entlang der vertikalen Richtung (Z) erstreckt wie der Graben (14).

公开(公告)号：DE102017108047A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017108047

申请日：2017-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEYERS JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  GAMERITH STEFAN ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche. In dem Halbleiterkörper ist eine Transistorstruktur ausgebildet. Eine Grabenstruktur erstreckt sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper. Eine Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung ist in der Grabenstruktur untergebracht. Die Struktur zum Schutz gegen elektrostatische Entladung umfasst ein erstes Anschlussgebiet und ein zweites Anschlussgebiet. Eine Source-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit Sourcegebieten der Transistorstruktur und mit dem ersten Anschlussgebiet elektrisch verbunden. Eine Gate-Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche ist mit einer Gateelektrode der Transistorstruktur und mit dem zweiten Anschlussgebiet elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102011053819B4

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102011053819

申请日：2011-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  MAUDER ANTON ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H01L21/8258 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden einer ersten porösen Halbleiterschicht (110) über einer oberen Oberfläche eines Substrats (100); Ausbilden einer ersten Epitaxieschicht (120) über der ersten porösen Halbleiterschicht (110); Ausbilden einer Schaltungsanordnung in und über der ersten Epitaxieschicht (120), wobei die Schaltungsanordnung ohne vollständiges Oxidieren der ersten Epitaxieschicht (120) ausgebildet wird; und Umwandeln mindestens eines Teils der ersten porösen Halbleiterschicht (110) in ein Metallsilizid.